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CHENMKO ENTERPRISE CO。 ， LTD。
表面贴装
P沟道增强型场效应晶体管
电压20伏
应用
*伺服电机控制。
*功率MOSFET栅极驱动器。
*其他开关应用。
CHT2301PT
当前2.3安培
特征
*小型表面安装型。 （ SC - 59 / SOT- 346 ）
*高密度电池设计低R
DS （ ON）
.
*适用于高封装密度。
*坚固可靠。
*高饱和电流能力。
*电压控制的小信号开关。
1.7~2.1
0.95
(1)
(2)
(3)
SC-59/SOT-346
0.95
2.7~3.1
0.3~0.51
施工
* P沟道增强
1.2~1.9
记号
* 01
D
0.89~1.3
0.085~0.2
3
0.3~0.6
2.1~2.95
0~0.1
电路
1
G
2
S
单位：毫米
SC-59/SOT-346
绝对最大额定值
符号
参数
T
A
= 25 ° C除非另有说明
CHT2301PT
单位
V
DSS
V
GSS
漏源电压
栅源电压
最大漏极电流 - 连续
（注1 ）
-20
V
V
±
8
-2.3
I
D
- 脉冲
I
S
P
D
T
J
,T
英镑
漏源乙糖正向电流
最大功率耗散
（注1 ）
（注2 ）
A
-10
-1.6
1250
-55到150
A
mW
°C
（注1 ）
工作和存储温度范围
注： 1.表面安装在FR4板，T < = 10秒
2.脉冲测试，脉冲宽度< = 300US ，占空比< = 2 ％
热特性
R
θ
JA
热阻，结到环境
85
° C / W
2005-12
额定值特性曲线（ CHT2301PT ）
电气特性
T
符号
参数
A
= 25 ° C除非另有说明
条件
民
典型值
最大
单位
开关特性
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
I
GSS
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
门体漏
V
GS
= 0 V，I
D
= -250 A
V
DS
= -16 V, V
GS
= 0 V
V
GS
= 8 V, V
DS
= 0 V
V
GS
= -8 V, V
DS
= 0 V
-20
-1
+100
-100
V
A
nA
nA
基本特征
（注2 ）
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
V
SD
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250 A
V
GS
= -4.5V ，我
D
=-2.8A
V
GS
= -2.5V ，我
D
=-2.0A
-0.6
130
190
1.0
V
m
V
乙糖正向电压
V
DS
= 0V时，我
S
= -1.0 A
开关特性
（注3）
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
on
t
r
t
关闭
t
f
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
开启时间
上升时间
打开-O FF时间
下降时间
4.32
V
DS
= -10V ，我
D
=-1A
V
GS
=-4.5V
V
DD
= -10V
I
D
= -1.0A ，V
根
= -4.5 V
R
L
= 10
, R
根
= 10
1.06
0.84
13
36
42
34
nS
nC
注： 3，通过设计保证，不受生产trsting
额定值特性曲线（ CHT2301PT ）
典型电气特性
图1.输出特性
10
10
图2.传输特性
V
I
D
，漏源电流（A ）
8
I
D
，漏源电流（A ）
的s = 5 。 0 V
4.5V
4.0V
3.5V
3.0V
T
J
=-55°C
8
T
J
=125°C
T
J
=25°C
6
6
V
的s = 2 。 5 V
4
4
V
的s = 2 。 0 V
2
2
0
0
1
2
3
4
V
DS
，漏源电压（V ）
0
5
6
0
1.0
2.0
3.0
4.0
V
GS
， GATE -TE - 源极电压（V ）
5.0
6.0
图3.击穿电压变化
随温度
1.15
1.8
ID=-250uA
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
图4.导通电阻变化与
温度
V
GS
=-4.5V
I
D
=-2.8A
BV
DSS
归一化的栅 - 源
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
0.80
-50
漏源导通电阻
1.10
击穿电压
R
DS （ ON）
没有
RMALIZED
-25
0
25
50
75
T
J
，结牛逼emperature （ ° C）
100
125
0.4
-50
-25
0
25
50
75
T
J
，结牛逼emperature （ ° C）
100
125
图5.门阈值的变化与
温度
1.12
1.09
5
ID=-250uA
图6.栅极电荷
V
DS
=10V
I
D
=1.0A
V
GS
，门源电压（ V）
V
th
归一化的栅 - 源
4
阈值电压
1.06
1.03
1.00
0.97
0.94
0.91
-50
3
2
1
0
-25
0
25
50
75
T
J
，结牛逼emperature （ ° C）
100
125
0
1
2
3
4
5
Q
g
，总栅极电荷（ NC）
6
7
8
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