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CHENMKO ENTERPRISE CO。 , LTD。
表面贴装
N沟道增强型网络场效晶体管
电压30伏特
应用
*伺服电机控制。
*功率MOSFET栅极驱动器。
*其他开关应用。
CHT100PT
当前1.1安培
特征
*小型表面安装型。 ( SC - 59 / SOT- 346 )
*高密度电池设计低R
DS ( ON)
.
*适用于高封装密度。
*坚固可靠。
*高饱和电流能力。
*电压控制的小信号开关。
1.7~2.1
0.95
(1)
(2)
(3)
SC-59/SOT-346
0.95
2.7~3.1
0.3~0.51
施工
* N沟道增强
1.2~1.9
记号
* T100
D
0.89~1.3
0.085~0.2
0.3~0.6
2.1~2.95
0~0.1
电路
1
G
S
3
2
T
A
= 25 ° C除非另有说明
单位:毫米
SC-59/SOT-346
绝对最大额定值
符号
参数
CHT100PT
单位
V
DSS
漏源电压
30
V
V
GSS
I
D
栅源电压 - 连续
±
20
±
1.1
±
4.4
500
-55到150
V
最大漏极电流 - 连续
- 脉冲
A
A
mW
°C
P
D
T
J
,T
英镑
最大功率耗散
工作和存储温度范围
热特性
R
θ
JA
热阻,结到环境
250
K / W
2004-03
额定值特性曲线( CHT100PT )
电气特性
T
符号
参数
A
= 25 ° C除非另有说明
条件
典型值
最大
单位
开关特性
BV
DSS
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
V
GS
= 0 V,I
D
= 250 A
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V
T
C
=125°C
V
GS
= 12 V, V
DS
= 0 V
V
GS
= -12 V, V
DS
= 0 V
30
1
10
100
-100
V
A
A
nA
nA
门 - 体泄漏,正向
门 - 体泄漏,反向
基本特征
(注1 )
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
栅极阈值电压
V
DS
= 10V ,我
D
= 1.0 A
1
3.0
0.17
0.24
V
静态漏源导通电阻V
GS
= 4.5 V,I
D
= 0.5 A
V
GS
= 10 V,I
D
= 1.0 A
S
g
FS
正向跨导
V
DS
= 10 V,I
D
= 500μm的
1.3
2.4
动态特性
Q
g
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
on
t
r
t
关闭
t
f
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
开启时间
V
DS
= 24 V, V
GS
= 10 V,
I
D
= 1.0 A
5.5
0.8
1.3
nC
V
DS
= 10 V, V
GS
= 0 V,
F = 1.0 MHz的
150
90
30
pF
V
DD
= 10 V
I
D
= 500毫安, V
GS
= 5.0 V,
R
= 50
V
DD
= 10 V
I
D
= 500毫安, V
GS
= 5.0 V,
R
= 50
10
15
25
45
nS
打开-O FF时间
nS
漏源二极管的特性和最大额定值
I
S
I
SM
V
SD
最大连续漏源二极管的正向电流
最大脉冲漏源二极管的正向电流
漏源二极管正向
电压
V
GS
= 0 V,I
F
= 1.0 A
540
4.0
1.2
mA
A
V
额定值特性曲线( CHT100PT )
典型电气特性
图1.区域特征
4.0
图2.导通电阻变化
随温度
3.0
I
D
,漏源电流(A )
3.0
漏源导通电阻
R
DS ( ON)
归一化
V
GS
= 10V
5.0V
4.5V
4.0V
3.5V
2.0
2.0
V
GS
= 4.5V
I
D
= 5亿
3.0V
1.0
V
GS
= 10V
I
D
= 1000m时,
1.0
2.5V
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
,漏源电压(V )
0
-5 0
-2 5
0
25
50
75
100
T
J
,结牛逼emperature ( ° C)
125
150
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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地址:美驻深办公室:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼A18室/ 分公司:深圳华强北深纺大厦C座西7楼/ 市场部:华强北新亚洲电子市场3B047展销柜
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