CHR3694-QDG
符合RoHS
37-40GHz集成下变频器
GaAs单片微波集成电路的封装SMD
描述
该CHR3694 - QDG是一个多功能的芯片，
它集成了一个平衡的冷FET混频器，
时间2乘法器，以及一个射频LNA包括增益
控制权。
它被设计用于广泛的应用范围，
典型的商业通讯系统。
该电路具有的pHEMT制
过程中， 0.25μm的栅极长度，经由通孔
在基片和空气桥。
它是无铅SMD封装。
镜像版本与RF & LO访问
作为CHR3794 - QDG 。
转换增益（增刊模式） @ IF = 2GHz的
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
36
UMS
R3694
YYWW
主要特点
■
宽带性能37-40GHz
■
12分贝增益
■
15dBc镜像频率抑制
■
-5dBm IIP3
■
4分贝增益控制
■
DC功耗： 4V ， 150毫安
■
24L-QFN4x4
■
ESD保护
■
MSL等级1
转换增益（dB ）
增益@ 0V
@增益-2V
37
38
39
40
41
射频频率（ GHz）的
主要特点
TAMB = + 25 ° VDL = VDX = 4V
C,
符号
F
RF
F
LO
F
IF
G
参数
RF频率范围
LO频率范围
IF频率范围
转换增益@ VGC = -2V
转换增益@ VGC = 0V
民
37
17.5
DC
8
11
10
14
典型值
最大
40
21
3.5
单位
GHz的
GHz的
GHz的
dB
dB
ESD保护：静电放电敏感器件观察处理注意事项！
电气特性
参考文献。 ： DSCHA3694 - QDG9077 - 09年3月18日
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特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
联合单片半导体S.A.S.
路线Départementale 128 - BP46 - 91401奥赛Cedex法国
电话： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 08 - 传真： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 09
CHR3694-QDG
符号
F
RF
F
LO
F
IF
G
参数
RF频率范围
LO频率范围
IF频率范围
转换增益@ VGC = -2V
转换增益@ VGC = 0V
巴解组织
IFR
NF
LO输入功率
镜像频率抑制（ 1 ）
噪声系数@ VGC = -2V
噪声系数@ VGC = 0V
IIP3
LO RL
RF RL
Gc
输入IP3
LO输入回波损耗
RF输入回波损耗
增益控制范围
37-40GHz下变频器
TAMB = + 25 ° VDL = VDX = 4V ，典型的VGX = -0.9V & VG M = -0.7V
C,
民
37
17.5
DC
8
11
10
14
1
13
15
5
4.5
-5
-10
-4
4
4
-2
100
110
140
150
0
180
190
-8
-3
6.5
6
典型值
最大
40
21
3.5
单位
GHz的
GHz的
GHz的
dB
dB
DBM
dBc的
dB
dB
DBM
dB
dB
dB
V
V
mA
mA
VDL ， VDX漏极偏置电压
VGC
IDL +并按Idx
增益控制电压（2）
偏置电流@ VGC = -2V （ 3 ）
偏置电流@ VGC = 0V （ 3 ）
（1）在外部的I / Q 90 °混合耦合器
（ 2 ） IDL = 50mA在VGC = -2V ， IDL = 60毫安@ VGC = 0V
（ 3 ）通常情况下， IDL = 60毫安@ VGC = 0V ，并按Idx = 90毫安
这些数值代表的车载测量为在规定的图纸上
16页CHR3694 - QDG和17页CHR3794 - QDG 。
参考文献。 ： DSCHA3694 - QDG9077 - 09年3月18日
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特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
路线Départementale 128 ， BP46 - 91401 Cedex的ORSAY - 法国
电话： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 08 - 传真： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 09
37-40GHz下变频器
绝对最大额定值
(1)
TAMB = + 25 °
C
符号
VDL ， VDX
IDL +并按Idx
VGM ， VGX
VGC
P_RF
P_LO
总胆固醇
Ta
TSTG
参数
最大漏极偏置电压
最大漏极偏置电流
栅极偏置电压
控制电压增益
最大RF输入功率
最大的LO输入功率
最大通道温度
工作温度范围
存储温度范围
CHR3694-QDG
值
4.5
200
-2.0到0
-3.0至+4
10
10
175
-40至+85
-55到+125
单位
V
mA
V
V
DBM
DBM
°
C
°
C
°
C
（ 1 ）本设备上面这些paramaters中的任何一个操作可能会造成永久性的损害。
参考： DSCHA3694 - QDG9077 - 09年3月18日
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CHR3694-QDG
器件的热性能
37-40GHz下变频器
所有在本节中给出的数字是假设高QFN器件冷却
下来才通过封装的热传导垫片（无对流模式
考虑） 。
将温度在封装背面侧接口（温度上限），如下所示进行监测。
在系统的最高温度必须以保证温度上限来调整
保持低于比下表中规定的最大值。因此，系统的PCB
设计必须符合这一要求。
降容必须在耗散功率应用如温度上限温度不能
以下保持超过规定的最高温度（见曲线PDISS最大）的
命令来保证标称设备寿命时间（ MTTF） 。
设备散热规范： CHR3694 - QDG
马克斯。结温（Tj最大）
:
144 °
C
马克斯。连续耗散功率@温度上限=
85 °C :
0,6 W
(1)
= > PDISS降额以上的温度上限=
85 °C :
10毫瓦/°
C
(2)
结 - 壳热阻（ Rth的J- C）
:
<97 °
C / W
(3)
分钟。包装背面的操作温度
:
-40 °
C
(3)
马克斯。包装背面的操作温度
:
85 °
C
分钟。储存温度
:
-55 °
C
马克斯。储存温度
:
125 °
C
（ 1 ）降额在结温恒定= Tj最高。
（2） Rth的JC被计算为最坏情况下
热结
在MMIC中被考虑。
（ 3 ）温度上限=包背在芯片附着垫测量端温度（见下图） 。
0,7
0,6
0,5
0,4
0,3
0,2
PDISS 。马克斯。 （W）的
0,1
0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
温度上限（ ℃）
PDISS 。马克斯。 （W）的
TCASE
的QFN 16L 3x3的例子
背面图，温度
基准点（温度上限）的位置。
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37-40GHz下变频器
典型的实测性能
CHR3694-QDG
TAMB = + 25 ° VDX = VDL = 4V ，典型的VGX = -0.9V & V GM = -0.7V ， P_LO = 1dBm的
C,
这些数值代表的机载测量（连接器上接入平面）
作为绘图97445页16 CHR3694 - QDG和绘图97342第17页上的定义
对于CHR3794 - QDG 。该板损失估计为2至3分贝中的频率范围。
转换增益@ Freq_IF = 2GHz的， F_RF = 2xF_LO - F_IF ， VGC = 0V
与温度的关系
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
36
转换增益（dB ）
GC最大@ -40 °
C
GC最大@ + 25 °
C
GC最大@ + 75 °
C
37
38
39
40
41
射频频率（ GHz）的
转换增益@ Freq_IF = 2GHz的， F_RF = 2xF_LO - F_IF ， VGC = -2V
与温度的关系
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
转换增益（dB ）
GC分@ -40 °
C
GC分@ + 25 °
C
GC分@ + 75 °
C
36
37
射频频率（ GHz）的
38
39
40
41
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