CHR3693-99F
符合RoHS
21-26.5GHz集成下变频器
GaAs单片微波IC
描述
该CHR3693-99F是一个多功能的芯片，
它集成了一个平衡的冷FET混频器，
一时间2乘法器，以及一个RF自偏压
LNA 。
它被设计用于大范围的
应用程序，
通常
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通信系统。
该电路具有的pHEMT制
过程中， 0.25μm的栅极长度，导通孔
穿过衬底，空气桥和
电子束光刻门。
它是在芯片的形式提供。
I
LO
VGX
X2
Q
VDX
VGM
VDL
RF
主要特点
■宽带性能21-26.5GHz
· 18分贝增益
■ -7dBm输入IP3
■ 18dBc的镜像抑制
■直流偏置： Vd=4.0Volt@Id=160mA
■芯片尺寸： 2.45 X 2.45 X 0,1mm
主要电气特性
TAMB = + 25 ° C， VDX = VDL = + 4.0V ， Vgx的= -0.9V ， VGM = -0.7V
符号
参数
民
典型值
最大
单位
F_RF
RF频率范围
21
26.5
GHz的
F_LO
LO频率范围
9
14
GHz的
F_IF
IF频率范围
DC
3.5
GHz的
Gc
转换增益
11
15
dB
ESD保护：静电放电敏感器件。观察处理注意事项！
参考文献。 ： DSCHR36931192 - 11年7月11日
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特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
联合单片半导体S.A.S.
路线Départementale 128 - BP46 - 91401奥赛Cedex法国
电话： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 08 - 传真： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 09
CHR3693-99F
电气特性
21-26.5GHz综合下来
变流器
TAMB = + 25 ° C， VDX = VDL = + 4.0V ， Vgx的= -0.9V ， VGM = -0.7V
符号
参数
民
典型值
最大
单位
F_RF
RF频率范围
21
26.5
GHz的
F_LO
LO频率范围
9
14
GHz的
F_IF
IF频率范围
DC
3.5
GHz的
Gc
转换增益
11
15
19
dB
NF
噪声系数为IF>0.1GHz
3.2
3.7
dB
P_LO
LO输入功率
2
5
DBM
(2)
图燮镜像抑制
15
18
dBc的
IIP3
输入IP3
-7
DBM
LO_RL
LO回波损耗
-9.5
-7
dB
射频回波损耗（21 24GHz的）
-9.5
-7
dB
RF_RL
RF回波损耗（ 24至26.5GHz的）
-8
-6
dB
Id
偏置电流
(1)
（ IDL + IDX）
120
160
200
mA
(1)
通常情况下， IDL = 90毫安，并按Idx = 70毫安
(2)
与外部I / Q 90 °混合耦合器
这些值代表了在片制成，没有粘合的测量
电线在RF端口。通常0.1焊线到0.15nH将完善配套的
的访问。
绝对最大额定值
(1)
TAMB = + 25°C
符号
参数
值
单位
Vd
最大漏极偏置电压
4.5
V
Id
最大漏极偏置电流
230
mA
Vg
栅极偏置电压
-2.0到+0.4
V
P_RF
最大RF输入功率
(2)
10
DBM
P_LO
最大的LO输入功率
(2)
10
DBM
总胆固醇
最大通道温度
175
°C
Ta
工作温度范围
-40至+85
°C
TSTG
存储温度范围
-55到+150
°C
(1)
该设备上面这些参数的任何操作可能会导致永久性的
损害。
(2)
持续< 1秒。
参考文献。 ： DSCHR36931192 - 11年7月11日
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21-26.5GHz综合下来
变流器
典型的晶圆上测量
环境温度Tamb = 25°C ， VDX = VDL = 4V ，典型Vgx的= -0.9V & VGM = -0.7V
CHR3693-99F
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CHR3693-99F
典型的晶圆上测量
21-26.5GHz综合下来
变流器
环境温度Tamb = 25°C ， VDX = VDL = 4V ，典型Vgx的= -0.9V & VGM = -0.7V
参考文献。 ： DSCHR36931192 - 11年7月11日
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21-26.5GHz综合下来
变流器
机械数据
焊盘位置
CHR3693-99F
芯片厚度： 100微米。
芯片尺寸： 2450x2450 ± 35μm的
所有尺寸都在微米
供应饲料应电容旁路。
为25μm直径的金导线，推荐。
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