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CHENMKO ENTERPRISE CO。 ， LTD。
表面贴装
N沟道增强型网络场效晶体管
电压30伏特
应用
*伺服电机控制。
*功率MOSFET栅极驱动器。
*其他开关应用。
CHM703ALPAPT
当前40安培
特征
*小型封装。 （TO- 252A ）
*超级高密度电池设计极低R
DS （ ON）
.
*高功率和电流移交能力。
.280 (7.10)
.238 (6.05)
.220 (5.59)
.195 (4.95)
TO-252A
.094 (2.40)
.087 (2.20)
.035 (0.89)
.018 (0.45)
* N沟道增强
(1)
(3) (2)
.417 (10.6)
.346 (8.80)
施工
.261 (6.63)
.213 (5.40)
.035 (0.90)
.025 (0.64)
.102 (2.59)
.078 (1.98)
1门
.024 (0.61)
.016 (0.40)
电路
(1)
G
D
(3)
2 SOURCE
3漏极（散热器）
S
(2)
尺寸以英寸（毫米）
TO-252A
绝对最大额定值
符号
参数
T
A
= 25 ° C除非另有说明
CHM703ALPAPT
单位
V
DSS
V
GSS
漏源电压
栅源电压
最大漏极电流 - 连续
30
V
V
±
20
40
I
D
- 脉冲
P
D
T
J
T
英镑
（注3）
A
120
50
-55到150
-55到150
W
°C
°C
在Tc最大功率耗散= 25°C
工作温度范围
存储温度范围
注： 1.表面安装在FR4板，T < = 10秒
2.脉冲测试，脉冲宽度< = 300US ，占空比< = 2 ％
3.重复评级，脉冲宽度linited由最高结温
4.设计保证，不受生产trsting
热特性
R
θ
JA
热阻，结到环境
（注1 ）
50
° C / W
2006-02
额定值特性曲线（ CHM703ALPAPT ）
电气特性
T
符号
参数
A
= 25 ° C除非另有说明
条件
民
典型值
最大
单位
开关特性
BV
DSS
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
门体漏
V
GS
= 0 V，I
D
= 250 A
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V
V
GS
= 20V,V
DS
= 0 V
V
GS
= -20V, V
DS
= 0 V
30
1
+100
-100
V
A
nA
nA
基本特征
（注2 ）
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
FS
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
GS
= 10V ，我
D
=25A
V
GS
= 4.5V ，我
D
=10A
1
15
23
30
3
19
32
V
m
S
正向跨导
V
DS
= 10V ，我
D
= 25A
开关特性
（注4 ）
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
on
t
r
t
关闭
t
f
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
开启时间
上升时间
打开-O FF时间
下降时间
V
DS
= 10V ，我
D
=25A
V
GS
=5V
V
DD
= 15V
I
D
= 25A ，V
GS
= 10 V
R
根
= 24
15
4
6
18
120
80
60
20
nC
23
180
120
165
nS
漏源二极管的特性和最大额定值
I
S
V
SD
漏源二极管的正向电流
漏源二极管正向电压I
S
= 25A ，V
GS
= 0 V
0.93
40
1.3
A
V
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