【CHENMKO ENTERPRISE CO。， LTD。表面贴装N沟道增强型网络场效晶体管电压30】,IC型号CHM63A3PAPT,CHM63A3PAPT PDF资料,CHM63A3PAPT经销商,ic,电子元器件-51电子网

CHENMKO ENTERPRISE CO。， LTD。

表面贴装

N沟道增强型网络场效晶体管

电压30伏特

应用

*伺服电机控制。

*功率MOSFET栅极驱动器。

*其他开关应用。

CHM63A3PAPT

当前55安培

特征

*小型封装。（TO- 252A ）

*超级高密度电池设计极低R

DS （ ON）

*高功率和电流移交能力。

.280 (7.10)

.238 (6.05)

.220 (5.59)

.195 (4.95)

TO-252A

.094 (2.40)

.087 (2.20)

.035 (0.89)

.018 (0.45)

* N沟道增强

(1)

(3) (2)

记号

* 63A3

.035 (0.90)

.025 (0.64)

.102 (2.59)

.078 (1.98)

1门

.417 (10.6)

.346 (8.80)

施工

.261 (6.63)

.213 (5.40)

.024 (0.61)

.016 (0.40)

电路

(1)

(3)

2 SOURCE

3漏极（散热器）

(2)

尺寸以英寸（毫米）

TO-252A

绝对最大额定值

符号

参数

= 25 ° C除非另有说明

CHM63A3PAPT

单位

DSS

GSS

漏源电压

栅源电压

最大漏极电流 - 连续

- 脉冲

英镑

（注3）

150

-55到150

°C

在Tc最大功率耗散= 25°C

工作温度范围

存储温度范围

注： 1.表面安装在FR4板，T < = 10秒

2.脉冲测试，脉冲宽度< = 300US ，占空比< = 2 ％

3.重复评级，脉冲宽度linited由最高结温

4.设计保证，不受生产trsting

热特性

热阻，结到环境

（注1 ）

° C / W

2006-02

电特性（ CHM63A3PAPT ）

电气特性

符号

参数

= 25 ° C除非另有说明

条件

民

典型值

最大

单位

开关特性

DSS

GSSF

GSSR

漏源击穿电压

零栅极电压漏极电流

门体漏

= 0 V，I

= 250 A

= 30 V, V

= 0 V

= 20V,V

= 0 V

= -20V, V

= 0 V

+100

-100

基本特征

（注2 ）

GS （ TH）

DS （ ON）

栅极阈值电压

静态漏源导通电阻

= V

, I

= 250 A

= 10V ，我

=30A

= 4.5V ，我

=24A

8.5

正向跨导

= 10V ，我

= 30A

开关特性

（注4 ）

关闭

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

开启时间

上升时间

打开-O FF时间

下降时间

= 15V ，我

=45A

=10V

= 15V

= 45A ，V

= 10 V

根

= 24

5.5

8.2

156

220

140

漏源二极管的特性和最大额定值

漏源二极管的正向电流

漏源二极管正向电压I

= 30A ，V

= 0 V

1.2

额定值特性曲线（ CHM63A3PAPT ）

典型电气特性

图1.输出特性

图2.传输特性

的s = 1 0 ， 8,6 ， 5伏

，漏电流（ A）

的s = 4 。 0 V

=125°C

=-55°C

=25°C

的s = 3 。 0 V

3.0

4.0

1.0

2.0

1.0

2.0

3.0

4.0

5.0

，漏极至源极电压（ V）

，栅 - 源极电压（ V）

图3.栅极电荷

=45V

=45A

2.2

1.9

图4.导通电阻变化与

温度

=10V

=30A

，门源电压（ V）

漏源导通电阻

DS （ ON）

没有

RMALIZED

1.6

1.3

1.0

0.7

，总栅极电荷（ NC）

0.4

-100

-50

100

，结牛逼emperature （ ° C）

150

200

图5.门阈值的变化与

温度

1.3

1.2

=250uA

归一化的栅 - 源

阈值电压

1.1

1.0

0.9

0.8

0.7

0.6

-50

-25

100

，结牛逼emperature （ ° C）

125

150

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