CHENMKO ENTERPRISE CO。 ， LTD。
表面贴装
N沟道增强型网络场效晶体管
电压30伏特
应用
*伺服电机控制。
*功率MOSFET栅极驱动器。
*其他开关应用。
CHM3055LAPAPT
当前12安培
特征
*小型封装。 （TO- 252A ）
*超级高密度电池设计极低R
DS （ ON）
.
*高功率和电流移交能力。
.280 (7.10)
.238 (6.05)
.220 (5.59)
.195 (4.95)
TO-252A
.094 (2.40)
.087 (2.20)
.035 (0.89)
.018 (0.45)
* N沟道增强
(1)
(3) (2)
.417 (10.6)
.346 (8.80)
施工
.261 (6.63)
.213 (5.40)
.035 (0.90)
.025 (0.64)
.102 (2.59)
.078 (1.98)
1门
.024 (0.61)
.016 (0.40)
电路
(1)
G
D
(3)
2 SOURCE
3漏极（散热器）
S
(2)
尺寸以英寸（毫米）
TO-252A
绝对最大额定值
符号
参数
T
A
= 25 ° C除非另有说明
CHM3055LAPAPT
单位
V
DSS
V
GSS
漏源电压
栅源电压
最大漏极电流 - 连续
30
V
V
±
20
12
I
D
- 脉冲
P
D
T
J
T
英镑
（注3）
A
45
31
-55到150
-55到150
W
°C
°C
在Tc最大功率耗散= 25°C
工作温度范围
存储温度范围
注： 1.表面安装在FR4板，T < = 10秒
2.脉冲测试，脉冲宽度< = 300US ，占空比< = 2 ％
3.重复评级，脉冲宽度linited由最高结温
4.设计保证，不受生产trsting
热特性
R
θ
JA
热阻，结到环境
（注1 ）
50
° C / W
2006-02
QQ：2880707522 复制
