CHM2378a
W波段双通道混频器
GaAs单片微波IC
描述
该CHM2378是一款双通道混频器。
每个混频器单元是一个平衡的结构
基于六四分之一波环上。非
线性器件是高品质的肖特基
二极管提供低转换损耗和
非常低1 / f噪声。
这个电路与BES-制
MMIC工艺： 1微米肖特基二极管
装置中，空气桥，经由通孔
基板，步进光刻。
它是在芯片的形式提供。
转换增益（dB ）
RF1
LO
RF2
IF2
IF1
双通道混频器的框图
-5
-6
主要特点
n
n
n
n
n
n
n
n
n
W波段LO和RF频率范围
低转换损耗
如果从DC到100MHz的
高LO / RF隔离
高LO / AM噪声抑制
非常低1 / f噪声
低LO输入功率
自动装配导向
芯片尺寸： 1.98 X 2.07 X 0.10毫米
-7
-8
-9
-10
-11
-12
-13
-14
-15
75
75,5
76
76,5
LO频率（GHz ）
77
77,5
78
典型的转换特性
LO功率= 8dBm的; IF = 10MHz时
（测量测试夹具）
主要特点
TAMB 。 = 25°C
符号
F_lo ， F_rf
F_IF
Lc
I_lo / RF
N_if
参数
LO ， RF频率
IF频率范围
转换损耗
LO / RF隔离
中频噪声@ 100kHz的
民
76
DC-100
典型值
76.5
最大
77
单位
GHz的
兆赫
7.5
25
-162
9.5
dB
dB
dBm / Hz计
ESD保护：静电放电敏感器件。观察处理注意事项！
参考文献。 ： DSCHM23781269 -26 -九月-01
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特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
联合单片半导体S.A.S.
路线Départementale 128 - BP46 - 91401奥赛Cedex法国
电话： ： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 08 - 传真： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 09
CHM2378a
电气特性
W波段双通道混频器
整个工作温度范围内，根据部分“典型安装和使用偏置
CON组fi guration “
符号
F_lo ， F_rf
F_IF
Lc
参数
LO ， RF频率
IF频率范围
转换损耗
民
76
DC-100
4.5
7.5
9.5
0.3
（待确认）
典型值
最大
77
单位
GHz的
兆赫
dB
dB
DBM
DBM
| （D （ ΔLc ） / DT ） *
T|
从转换损耗差异
芯片到芯片与温度的关系
P_LO
P_RF_1dB
VSWR_lo
VSWR_rf
IMP_if
I_lo / RF
I_rf1/rf2
I_rfi / RFJ
R_lo_am
NF
LO输入功率
在1分贝RF输入功率
LO端口驻波比（ 50Ω ）
RF端口驻波比（ 50Ω ）
如果负载阻抗（ 1 ）
LO / RF隔离
RF信道之间的隔离
RF和IF之间的隔离
频道
LO AM噪声抑制（ SSB ）
噪声系数IF = 1kHz时（ 2 ）
噪声系数IF = 10kHz时（ 2 ）
噪声系数IF = 100kHz的（ 2 ）
噪声系数IF = 200kHz的（ 2 ）
+V
+I
顶部
正电源电压（ 3 ）
正电源电流（ 3 ）
工作温度范围
-40
20
25
25
25
4
-3
7
0
2:1
2:1
200
25
30
30
30
34
28
20.5
17
4.5
1.5
11
2.5:1
2.5:1
dB
dB
dB
dB
39
33
25.5
22
dB
dB
dB
dB
V
2.5
+100
mA
°C
（1） IF最佳负载转换损耗是200Ω 。对于最小噪声系数该负载可以低一些，
最好的结果已获得对50Ω 。
（ 2 ）测量的200Ω阻抗IF 。
（ 3 ）外部电阻控制偏置电流（参见“典型的装配和偏差
配置“）
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W波段双通道混频器
绝对最大额定值
(1)
符号
+V
+I
P_LO
P_rf_cw
TSTG
电源电压
电源电流（一个输入）
在LO端口的最大峰值输入功率过载（ 2 ）
在RF端口最大输入功率（ 3 ）
存储温度范围
参数
CHM2378a
值
6
2.5
12
3
-55到+125
单位
V
mA
DBM
DBM
°C
（ 1 ）本设备上面这些参数中的任何一个操作可能会造成永久性的损害。
（2 ）持续< 1秒
（ 3 ）连续波模式。
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CHM2378a
W波段双通道混频器
芯片机械数据和引脚参考
4
5
6
7
8
9
10
11
3
2
1
12
13
14
19 18 17 16 15
单位=微米
外部芯片尺寸（包括切割街道） = 1980 X 2070
±
35
切屑厚度= 100 +/- 10
HF垫（ 2,10,13 ） = 68 X 118
直流/中频垫= 100×100个
引脚数
1,3,9,11,12,14
6,17
7,16
2
4
5
8
10
13
15
18
19
引脚名称
描述
接地：不应该被粘合。如果需要的话，
请索取详细信息。
接地（可选）
没有连接
LO输入
正电源电压1
偏置1脱钩
第一中频输出
第一RF输入
第二个RF输入
第二中频输出
偏见2脱钩
正电源电压2
LO
+V1
C1
IF1
RF1
RF2
IF2
C2
+V2
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W波段双通道混频器
偏置和IF外部元件
CHM2378a
几个外部配置是可能的偏见和IF 。的目的是为了得到柔韧性
为一体。
作为这个分量主要致力于低IF的使用，有几种可能性
与IF放大器低噪声接口。最佳IF负载转换损耗为200Ω ，
然而对噪声系数的最佳结果已获得对50Ω 。取决于中频
放大器的噪声特性此负载可以以优化的噪声系数来修改..
一系列的电容器，中频输出与负载之间的建议。
由于高灵敏度的电气放电的集成电阻用于与两个端口
可用于偏置每个混频器。一个是用于去耦电容器的连接（C1，
C2）和另一种是通过外部串联在电源电压连接
电阻（ + V 1 + V 2） 。然而，如果需要的话只有“ C1，C2 ”的端口都可以使用。
+V
R_load_IF
C1
V1
1k
IF1
C1
R_BIAS
V1
1k
C_IF
IF1
RF1
LO
RF2
1k
RF1
LO
RF2
1k
C2
C2
V2
IF2
V2
R_BIAS
IF2
C_IF
在MMIC的框图
+V
R_load_IF
推荐IF / DC外部配置
外部元件的推荐值是：
C1,C2
R_bias_t
R_bias_t * C >> 1 / F_if
2.5kΩ的1.5毫安消耗电流（V = 4.5V ，典型的LO
电源）
从50到200Ω
R_load_IF
注释：
1. R_bias_t = R_bias +为1kΩ时， V1和V2的端口使用。
2. R_bias_t可以根据需要进行调整;这允许优化性能的一些时
参数是从推荐（电源电压， LO功率...）不同。但
对于当前的最大额定值，必须考虑到。
3.推荐使用DC去耦电容串联在中频输出。
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