CHM2179a
W波段混频器
GaAs单片微波IC
描述
该CHM2179a是一个平衡肖特基
基于六四分之一波二极管混频器
环结构。这个电路被制造
与BES - MMIC工艺： 1微米
肖特基二极管装置，空气桥梁，通过
通过在衬底的步进孔
光刻技术。
它是在芯片的形式提供。
LO
RF
IF
-5
■
W波段LO和RF频率范围
■
低转换损耗
■
如果从DC到100MHz的
■
高LO / RF隔离
■
高LO / AM噪声抑制
■
非常低中频噪声
■
低LO输入功率
■
小的芯片尺寸： 1.53 X 1.17 X 0.10毫米
转换损耗（dB ）
主要特点
-7,5
-10
-12,5
-15
75
75,5
76
76,5
77
77,5
78
LO频率（GHz ）
典型的转换特性
LO功率= 5dBm的; IF = 10MHz时
（测量测试夹具）
主要特点
TAMB 。 = 25°C
符号
F_LO ， F_RF
F_IF
Lc
I_lo / RF
N_if
参数
LO ， RF频率范围
IF频率范围
转换损耗
LO / RF隔离
中频噪声密度@ 100kHz的
典型值
76-77
DC-100
7.5
20
-158
单位
GHz的
兆赫
dB
dB
dBm / Hz计
ESD保护：静电放电敏感器件。观察处理注意事项！
参考文献。 ： DSCH21790192 - 22军， 00
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特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
联合单片半导体S.A.S.
路线Départementale 128 - BP46 - 91401奥赛Cedex法国
电话： ： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 08 - 传真： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 09
CHM2179a
电气特性
W波段混频器
TAMB 。 = 25 ° C，根据部分“典型的偏见和IF配置”和使用“典型
组装和射频配置“
符号
F_LO ， F_RF
F_IF
Lc
P_LO
VSWR_lo
VSWR_rf
IF_load
I_lo / RF
R_AM_LO
N_if
Id
参数
LO ， RF频率范围
IF频率范围
转换损耗
LO输入功率
LO端口驻波比（ 50Ω ）
RF端口驻波比（ 50Ω ）
如果负载阻抗
LO / RF隔离
LO AM噪声抑制
中频噪声密度@ 100kHz的（ 1 ）
电源电流（ 2 ）
民
76-77
DC-100
典型值
最大
单位
GHz的
兆赫
7.5
3
5
2:1
2:1
200
17
22
27
-158
1
9
7
dB
DBM
dB
dB
dBm / Hz计
mA
（ 1 ）在测量IF 50Ω负载阻抗。
（ 2 ）请参见本章“典型的偏见和IF配置”
绝对最大额定值
(1)
TAMB = + 25°C
符号
Id
P_LO
P_RF
顶部
TSTG
电源电流
在LO端口的最大峰值输入功率过载（ 2 ）
在RF端口最大峰值输入功率过载（ 2 ）
工作温度范围
存储温度范围
参数
值
3
10
10
-40至+100
-55到+125
单位
mA
DBM
DBM
°C
°C
（ 1 ）本设备上面这些参数中的任何一个操作可能会造成永久性的损害。
（2 ）持续< 1秒
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W波段混频器
芯片机械数据和引脚参考
CHM2179a
3
2
1
4
5
6
11
10
9
8
7
单位=微米
外部芯片尺寸= 1530 X 1170
切屑厚度= 100 +/- 10
HF垫（ 2,5） = 68 X 118
直流/中频垫= 100×100个
引脚数
1,3,4,6
2
5
7
8
9
10
11
LO
RF
GND
IF
C_EXT
+V
引脚名称
描述
接地：不应该被粘合。如果需要的话，
请索取详细信息。
LO输入
RF输入
接地（可选）
没有连接
IF输出
偏差解耦
正电源电压
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CHM2179a
典型的偏置和IF配置
W波段混频器
几个外部配置是可能的偏见和IF 。的目的是为了得到
灵活的集成。
作为这个分量主要致力于低IF的使用，有几种可能性
与IF放大器低噪声接口。最佳IF负载转换损耗为200Ω ，
然而，根据IF放大器噪声特性该负载可以为了修改
优化噪声系数。一系列的电容器，中频输出端和负载之间的
推荐使用。
由于高灵敏度放电一个集成电阻用于与两个端口
可用于偏置。一个是用于去耦电容器的连接（ C-EXT ）和
另一种是用于通过外部串联电阻与电源电压连接（+ V
端口）。然而，为了保持与CHM2179的相容性，只有“ C-EXT ”端口
都可以使用。
+V
C_BIAS
R_bias1
+V
1k
R_load_IF
+V
R_load_IF
C_IF
IF
C_BIAS
R_bias2
C_IF
C_EXT
C_EXT
+V
1k
IF
LO
RF
LO
RF
推荐外部偏置和
IFconfiguration
其他可能的配置
（与以前的版本兼容）
外部元件的推荐值是：
C_BIAS
R_bias1
R_bias2
R_load_IF
R_bias * C >> 1 / F_IF
2.9kΩ电流为1mA的电流消耗（V = 4.5V ，典型的LO
电源）
R_bias2 = R_bias1 + 1kΩ的
从50到200Ω
注释：
1. R_bias = R_bias1 + 1kΩ的时候“ + V”口时， otherwize R_bias = R_bias2
2. R_bias可以根据需要进行调整;这允许优化性能时
有些参数是从推荐的人（电源电压， LO功率...）不同。
然而，对于目前的最大额定值，必须考虑到。
3.推荐使用DC去耦电容串联在中频输出。
参考文献。 ： DSCH21790192 - 22军， 00
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W波段混频器
典型的装配和射频配置
CHM2179a
为了使用上可接受的引线接合长度，具有自动兼容
取放和引线键合设备中，外部匹配网络是
提出了低介电常数基片。
50 OHM
390
200
呃 2.2
H = 0.127毫米
630
200
390
4
5
6
11
10
9
8
7
3
2
250
150
420
390
50 OHM
采用低介电常数的基片集成的例子：二= 2.2 ，
唤起注意= 0.127毫米（尺寸单位为μm）的
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L 0.25nH
呃 2.2
H = 0.127毫米
390
860
120 100
1
100 120
L 0.25nH
320
QQ：2880707522 复制
