CHM1298-99F
55-65GHz单边带混频器
GaAs单片微波IC
描述
该CHM1298是一个多功能芯片（ MFC）
它集成了LO缓冲放大器和一个
次谐波平衡二极管混频器
2LO抑制和镜像抑制。这是
无论对于可用的上转换和下
转换。它被设计用于大范围的
应用，从军事到商业
通信系统。的背侧
该芯片是射频和直流接地。这
有助于简化组装过程。
该电路具有的pHEMT制
过程中， 0.25μm的栅极长度，导通孔
穿过衬底，空气桥和
电子束光刻门。
它是在芯片的形式提供。
主要特点
■宽带性能： 55-65GHz
■ 12分贝转换损耗
■ 10dBc的镜像抑制
■ + 10dBm的LO输入功率
■ + 0dBm的输入功率（ 1分贝增益补偿）。
■直流功耗： 90毫安@ 3.5V
■芯片尺寸： 2.10x1.17x0.10mm
主要特点
Tamb.=+25°C
符号
参数
民
典型值
最大
单位
的fRF
RF频率范围
55
65
GHz的
为fLO
LO频率范围
27.5
32.5
GHz的
FIF
IF频率范围
DC
5
GHz的
Lc
转换损耗
12
dB
ESD保护：静电放电敏感器件。观察处理注意事项！
参考文献。 ： DSCHM1298-1293 - 11年10月20日
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特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
联合单片半导体S.A.S.
路线Départementale 128 - BP46 - 91401奥赛Cedex法国
电话： ： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 08 - 传真： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 09
CHM1298-99F
TAMB = + 25 ° C， VD = 3.5V
符号
参数
的fRF
RF频率范围
为fLO
LO频率范围
FIF
IF频率范围
Lc
转换损耗
巴解组织
LO输入功率
2×10 2×10泄漏泄漏（对巴解组织= + 5dBm的）
图Rej启动
镜像抑制
(1)
P1dB
输入功率1分贝增益压缩
P03
输入功率3分贝增益压缩
IP3
输入3阶截取点
LO LO匹配匹配
(2)
RF匹配RF匹配
(2)
如果匹配，则IF匹配
Vg
栅极偏置电压
Id
偏置电流与巴解组织= + 10dBm的
(3)
(1)
55-65GHz SSB混频器
电气特性的宽带运营
民
55
27.5
DC
典型值
最大
65
32.5
5
单位
GHz的
GHz的
GHz的
dB
DBM
DBM
dBc的
DBM
DBM
DBM
12
+10
-35
10
+0
+2
+8
2.0:1
2.0:1
2.0:1
-0.35
90
V
mA
与外部正交混合耦合器（要求参考） 。的极小值
取决于外部正交组合的质量。
(2)
通常0.1焊线到0.15nH将提高访问匹配。
(3)
各地50毫安无射频功率
绝对最大额定值
(1)
Tamb.=+25°C
符号
参数
Vd
漏偏置电压
Id
漏极偏置电流
Vg
栅极偏置电压
P
LO
最大的LO输入功率
Tj
结温
Ta
工作温度范围
TSTG
存储温度范围
(1)
值
4.0
150
-2至+0.4
+15
175
-40至+85
-55到+150
单位
V
mA
V
DBM
°C
°C
°C
该设备上面这些参数中的任何一个操作可能会造成永久性的损害。
参考文献。 ： DSCHM1298-1293 - 11年10月20日
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特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
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55-65GHz SSB混频器
CHM1298-99F
典型的在片测量上转换模式
与外部组合
偏置条件：Tamb = + 25 ° C， VD = 3.5V ，ID = 90毫安
上变换模式与外部合
P LO = + 10dBm的f若= 1,0GHz
0
0
上变换模式与外部合
P LO = + 10dBm的f若= 2,0GHz
CONV 。损失&泄漏2×10 （分贝& DBM）
-4
-8
-12
-16
-20
-24
-28
-32
-36
-40
-44
27.5
CONV 。损失&泄漏2×10 （分贝& DBM）
-4
-8
-12
-16
-20
-24
-28
-32
-36
-40
-44
27.5
2×10噘嘴
CL INF
CL SUP
2×10噘嘴
CL INF
CL SUP
28
28.5
29
29.5
30
30.5
31
31.5
32
32.5
28
28.5
29
29.5
30
30.5
31
31.5
32
32.5
LO频率（GHz ）
LO频率（GHz ）
上变频燮。压缩与外部合
LO = 30GHz的P LO = + 10dBm的IF = 2,0GHz （ RF = 62GHz ）
0
0
上变频天道酬勤。压缩与外部合
LO = 30GHz的P LO = + 10dBm的IF = 2,0GHz （ RF = 58GHz ）
输出功率&转化率。损耗（ dBm的&分贝）
-4
-8
-12
-16
-20
-24
-28
-32
-36
-40
-44
-15
输出功率&转化率。损耗（ dBm的&分贝）
-4
-8
-12
-16
-20
-24
-28
-32
-36
-40
-44
-15
噘嘴燮我
CL燮我
噘嘴天道酬勤Q
CL天道酬勤Q
噘嘴天道酬勤我
CL天道酬勤我
噘嘴燮Q
CL燮Q
-13
-11
-9
-7
-5
-3
-1
-13
-11
-9
-7
-5
-3
-1
IF
LO频率（GHz ）
输入功率（dBm ）
IF
LO频率（GHz ）
输入功率（dBm ）
典型的在片测量的降压转换模式
与外部组合
偏置条件：Tamb = + 25 ° C， VD = 3.5V ，ID = 90毫安
降压转换模式与外部合
P LO = + 10dBm的f若= 1,0GHz & 2,0Hz
0
-4
CL天道酬勤Q
CL燮Q
CL燮我
LO FREQ
CL天道酬勤我
CONV 。损失&镜像抑制（分贝）
-8
-12
-16
-20
-24
-28
-32
-36
-40
52
54
56
58
60
62
64
66
68
RF频率
（千兆赫）
LO频率
（千兆赫）
编号： DSCHM1298-1293 - 11年10月20日
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CHM1298-99F
55-65GHz SSB混频器
典型的在片测量上转换模式，而不
外部组合
偏置条件：Tamb = + 25 ° C， VD = 3.5V ，ID = 90毫安
上变换模式，无需外部组合
P LO = + 10dBm的楼罗= 27,5GHz （F 2LO = 55GHz ）
0
上变换模式，无需外部组合
P LO = + 10dBm的楼罗= 30GHz的（F = 2LO的60GHz ）
0
CONV 。损失&泄漏2×10 （分贝& DBM）
CONV 。损失&泄漏2×10 （分贝& DBM）
-4
-8
-12
-16
-20
-24
-28
-32
-36
-40
-44
-48
-5.5
CONV 。损耗I（ dB）的
P2lo / RF Q（ DBM）
楼罗（千兆赫）
P2lo / RF I（ DBM）
CONV 。损耗Q（分贝）
-4
-8
-12
-16
-20
-24
-28
-32
-36
-40
-44
-48
-5.5
CONV 。损耗I（ dB）的
P2lo / RF Q（ DBM）
楼罗（千兆赫）
P2lo / RF I（ DBM）
CONV 。损耗Q（分贝）
P2lo / RF I（ DBM）
CONV 。损耗Q（分贝）
CONV 。损耗I（ dB）的
P2lo / RF Q（ DBM）
楼罗（千兆赫）
-4.5
-3.5
-2.5
-1.5
-0.5
0.5
1.5
2.5
3.5
4.5
5.5
-4.5
-3.5
-2.5
-1.5
-0.5
0.5
1.5
2.5
3.5
4.5
5.5
IF频率（GHz ）
IF频率（GHz ）
上变换模式，无需外部组合
P LO = + 10dBm的楼罗= 32,5GHz （F 2LO = 65GHz ）
0
CONV 。损失&泄漏2×10 （分贝& DBM）
-4
-8
-12
-16
-20
-24
-28
-32
-36
-40
-44
-48
-5.5
CONV 。损耗I（ dB）的
P2lo / RF Q（ DBM）
楼罗（千兆赫）
P2lo / RF I（ DBM）
CONV 。损耗Q（分贝）
P2lo / RF I（ DBM）
CONV 。损耗Q（分贝）
CONV 。损耗I（ dB）的
P2lo / RF Q（ DBM）
楼罗（千兆赫）
-4.5
-3.5
-2.5
-1.5
-0.5
0.5
1.5
2.5
3.5
4.5
5.5
IF频率（GHz ）
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55-65GHz SSB混频器
芯片组装和机械数据
CHM1298-99F
注：供应饲料应被忽略。 25微米直径的金线是优选的。
到的IF端口，如果图像使用一个外部混合型正交组合，有必要
抑制功能是必需的。
105
1 755
1 070
925
775
1 980
915
1 170
625
315
150
000
2 100
Cotation ：微米
公差： ± 35μm的
焊盘位置。
（芯片厚度： 100μm的所有尺寸都在微米）
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1 980
295
000
QQ：2881677436 复制
