CHM1290REF
20-30GHz SUB -谐泵浦搅拌机
GaAs单片微波集成电路的SMD无铅封装
描述
单片微波集成电路（ MMIC）中的
包是一个多功能芯片这
集成了一个自偏置LO缓冲放大器
和一个分谐波混频器二极管为2LO
抑制。这既为上调，并可用
下变频，它被设计为一个
广泛的应用，典型地
商用通信系统
宽带本地接入（ LMDS ） 。
该电路与一个PM-制
HEMT的过程中， 0.25μm的栅极长度，通过
穿过衬底，空气桥的孔和
电子束光刻门。这是
在一个新的SMD型无引线芯片供给
载体。
主要特点
宽带性能： 20-30GHz
10.5分贝转换损耗
2LO -25dBm @功率RF端口
-4dBm LO输入功率
-3dBm输入功率1dB压缩
低直流功率消耗，
33毫安@ 3.0V
尺寸： 5.08 X 5.08 X 0.97毫米
3
SMD封装尺寸
参考： DSCCHM1290REF2239 -27 -八月-02
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特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
路线Départementale 128 ， BP46 - 91401 Cedex的ORSAY - 法国
电话： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 08 - 传真： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 09
CHM1290REF
概要
20-30GHz SHP搅拌机
典型的偏置条件
为+ 25 ° C的环境温度
符号
V
d
I
d
针无
3
3
参数
漏偏置电压
漏电流
值
4
33
单位
V
mA
绝对最高可评级
(1)
TAMB 。 = 25°C
符号
Vd
针
顶部
TSTG
漏偏置电压
最大峰值输入OVERDIVE （ 2 ）
工作温度范围（ 3）
存储温度范围
参数
值
5
8
-55到85
-55至125
单位
V
DBM
C
C
该设备（1 ）操作上述这些参数中的任何可能导致永久性残疾
（2 ）持续<1s
（ 3 ）温度上限值很大程度上取决于主板的设计;评级定为理想
热耦合。
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20-30GHz SHP搅拌机
VD = 4V ，编号为33毫安
CHM1290REF
在PCB上的典型结果（推荐主板布局）
CHM1290 SMD封装：上变频器（转化率损失&泄漏原因的）
VDS = 4V / IDS = 33毫安/ LO功率= -4dBm / IF频率= 1Ghz的
0
-2.5
-5
转换损耗（dB ）
-7.5
射频（+） = 21千兆赫
RF （ + ） = 31 GHz的
5
Lc(2xLO-IF)
Lc(2xLO+IF)
2*OL/RF
OL / RF
0
-5
-10
-15
-20
-25
射频（ - ）= 29千兆赫
-10
-12.5
-15
-17.5
-20
射频（ - ）= 19千兆赫
-30
-35
-40
-45
9
10
11
12
13
14
15
16
-22.5
-25
LO频率（GHz ）
CHM1290 SMD封装：上变频器（转化率损失&泄漏原因的）
VDS = 4V / IDS = 33毫安/ LO功率为0dBm = / IF频率= 1Ghz的
0
-2.5
-5
-7.5
转换损耗（dB ）
-10
-12.5
5
Lc(2xLO-IF)
Lc(2xLO+IF)
2*OL/RF
OL / RF
0
-5
射频（+） = 21千兆赫
RF （ + ） = 31 GHz的
-10
-15
-20
射频（ - ）= 29千兆赫
-15
-17.5
-20
-22.5
-25
9
10
11
12
13
14
15
16
-25
射频（ - ）= 19千兆赫
-30
-35
-40
-45
LO频率（GHz ）
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漏@振& 2×10 （ DBM）
漏@振& 2×10 （ DBM）
CHM1290REF
脚印
20-30GHz SHP搅拌机
请注意，密码1位于包（前侧的左下角
视图）从美国半导体单片全贴片式封装。这是
通过在包盖的三角形表示。开始PIN 1其他垫
编号为逆时针（前视图）。注意：在背面上的点
包装（有金属片即边）只是为了制造目的，不
不显示PIN 1的位置。
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20-30GHz SHP搅拌机
应用说明
CHM1290REF
主板的设计有过，因为所有性能上有很大的影响
从主板到封装的过渡是同等大。在箱子
美国半导体单片主板的贴片式封装
应根据在下面给定的实现中的信息来设计
良好的性能。其它配置也是可能的，但可能会导致不同的
结果。如果您需要提醒，请联系美半导体单片的
进一步的信息。
UMS的SMD型封装应允许设计微型和MM-和制造
波模块的成本低。因此，一个合适的主板环境一直
选择。所有的测试和验证对罗杰斯RO4003已经完成。这
材料显示出3.38的电容，并已用于具有厚度为200μm的
[ 8密耳]和一个1 / 2盎司或更少的铜包层。对应的50欧姆
传输线具有约460μm [约条带的宽度。 18密耳。
主板为包连接上的接触区域应
根据上面给出的足迹而设计的。通过在结构中的适当的
接地垫是为了实现良好的射频和寿命性能非常重要。
所有的测试都已经用直径进行使用大量的网格镀通孔
的比为200μm [8密耳]和从不到400μm的[16密耳]的间隔小于
两个相邻通孔的中心。在通过电网应涵盖在整个空间
接地焊盘与最接近于所述RF端口的通孔应位于边缘附近
垫，以允许良好的RF接地连接。由于通孔是用于热重
转移，通过填充适当的应安装过程中保证
获得包裹和散热片之间的低热阻。对于功率器件
推荐使用的主板，而不是通过电网热蛞蝓。
对于安装过程中的贴片型封装能够被处理为标准
表面安装元件。使用任一焊料或导电环氧树脂是可能的。
回流后的焊料厚度应为50μm的典型[2密耳]和横向
封装和母板之间的对准，应在50微米[ 2密耳。
读者应注意，以获得在整个垫一个良好的，可靠的接触
区。空隙或其它不当的连接，特别的接地焊盘之间
主板和包将导致的RF性能和劣化
散热。后者的效果可大幅降低可靠性和寿命
产品。
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