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高效率的可变栅MOSFET驱动器
CHL8515
特点是什么?
IdealforServerMemoryapplicationsusing+5V
独立HVCC和LVCC能够驱动电压
from4.0to13.2Vforoptimalsystemefficiency
可调式热警告标志相逐
相热保护
Largedriversdesignedtodrive3nFin<10nswith
anyvoltagefrom5Vto12V(typ)suppliedtothe
HVCC和LVCC销
Low‐sidedriver–2Asource/4Asink
High‐sidedriver–2Asource/2Asink
Transitionstimes&Propagationdelays<10ns
集成自举二极管
Capableofhighswitchingfrequenciesfrom200kHz
uptogreaterthan1MHz
兼容IR的专利活性三等级
( ATL ) PWM的最快响应瞬态
非重叠和欠电压保护
Thermallyenhanced10‐pinDFNpackage
无铅符合RoHS的封装
低静态功耗,以优化效率
说明
TheCHL8515MOSFETdriverisahigh‐efficiencygatedriver
这可以切换两个高侧和低侧N-沟道
外部MOSFET的同步降压转换器。这是
旨在用于IR数字PWM控制器提供
对于当今先进的总电压调节器( VR )解决方案
计算应用。
TheCHL8515driveriscapableofrapidlyswitchinglarge
的MOSFET与低R
DSON
并用较大的输入电容
在高效率的设计。它独特的设计,
operatefroma5Vsource,minimizingloadcurrent.
它还具有独立的HVCC和LVCC变频器的输入,能够
of4.0Vto13.2Voperation.UsedinconjunctionwithIR’s
VariableGateDrivecontrollerfeature,ora5Vstandby
源在睡眠模式下,最大功率级效率
可以实现。
TheCHL8515hasauniquecircuitwhichmaintainsdrive
实力外部MOSFET不管驱动器
voltage,insuringfastswitchingevenat5Vasthedrive
电压。集成的自举二极管可减少外部
componentcount.TheCHL8515alsofeaturesanadaptive
非重叠控制贯通保护。
TheCHL8515isconfiguredtodriveboththehighand
从专利的IR快速激活三电平低边开关
( ATL)的PWM信号,其将优化的关断时间
各个阶段,优化瞬态性能。
Phase‐by‐phasethermalprotectioncanbesetfrom61C
to150Cwithasimpleresistorsetting,andathermalflag
可以用来实现一个热警告或热
该系统由OT #引脚连接在一起关机
和系统使在多相应用。
应用程序“
多相同步降压转换器的服务器
CPU和DDR内存VR解决方案
高效率和紧凑的VRM
OptimizedforSleepstateS3systemsusing+5VSB
笔记本电脑和图形VR解决方案
基本应用
引脚图
图1 : CHL8515基本应用电路
图2 : CHL8515包顶视图
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December6,2011|FINAL|V1.05
高效率的可变栅MOSFET驱动器
CHL8515
订购信息
CHL8515
包装
DFN
牛逼 - 磁带和卷轴
的R - 封装类型( DFN )
- 工作温度
(商业标准)
磁带&卷轴数量
3000
部件编号
CHL8515CRT
图3 : CHL8515引脚图放大
2
December6,2011|FINAL|V1.05
高效率的可变栅MOSFET驱动器
CHL8515
功能框图
图4 : CHL8515简化功能框图。
3
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高效率的可变栅MOSFET驱动器
CHL8515
典型应用图
图5 :采用CHL8515 MOSFET驱动器& CHL8112A控制器和驱动器CHL8510为VGD 4 + 1 CPU VR解决方案
4
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高效率的可变栅MOSFET驱动器
CHL8515
引脚说明
针#
1
2
3
引脚名称
PWM
VCC-
LVCC
引脚说明
ThePWMsignalisthecontrolinputforthedriverfroma1.8VIRATL‐basedPWMsignal.Connectthispin
到控制器的PWM输出。
Connectthispintoa+5Vbiassupply.PlaceahighqualitylowESRceramiccapacitorfromthispintoGND.
Connectthispintoaseparatesupplyvoltagebetween4.0Vand13.2Vtovarythedrivevoltageonthe
低侧MOSFET 。此引脚与GND放置一个高品质低ESR的陶瓷电容。
Connectthispintoaseparatesupplybetween4.0Vand13.2Vtoprovidealowergatedrivevoltageonthe
高边MOSFET 。这是在内部自举二极管的阳极。将高品质的低ESR陶瓷
电容此引脚与GND 。
浮动自举电源引脚上的栅极驱动器。连接该引脚之间的自举电容
开关引脚。自举电容器提供打开上部MOSFET的电荷。看到内部
在选择电容值下的说明引导设备部分进行指导。
上栅极驱动输出。连接到高侧功率N沟道MOSFET栅极。
该引脚连接到上层MOSFET的源极和下MOSFET的漏极。
该引脚为上层栅极驱动器的返回路径
更低的栅极驱动器输出。连接到所述低侧功率N沟道MOSFET的栅极。
开漏低电平有效信号表示该驱动器的温度(非常接近相温度)
已经超过了OTSET引脚设置的值。连接到系统控制器或系统启动创建
热关断。
Usea1%resistortogroundtosettheOverTemperaturesetpointfrom61Cto150C.
Leaveopentousedefaultsettingof150C.
偏置和参考地。所有的信号都参考这个节点。它也是功率接地回
的驱动程序。
4
HVCC
5
6
7
8
9
自举
HI_GATE
开关“
LO_GATE
OT #
10
PAD(11)
OTSET
GND¤
5
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