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12V高性能栅极驱动器
IR3537
CHL8510
特点
驱动两高侧和低侧MOSFET中的一个
同步降压配置
大型驱动器,设计用于驱动6NF服务器类场效应管
o
低端驱动器 - 源4A / 6A汇
o
高侧驱动器 - 源3A / 4A汇
o
过渡时期&传播延迟为20ns <
独立可变栅极驱动电压为
高边和低边驱动器在4.5V至13.2V
o
提高效率
o
兼容IR控制器VGD功能
集成自举二极管
o
减少了外部元件数量
能够从200kHz的高开关频率
高达1MHz
操作可配置的PWM模式
o
IR活动三电平( ATL ) ,禁用两个MOSFET
在为30ns ,没有拖延时间
o
通用三态PWM与保持关闭
自适应非重叠最小化的保护二极管
导通时间
欠压保护输入电源
耐热增强型10引脚DFN封装
无铅符合RoHS的封装, MSL等级1
描述
的IR3537 / CHL8510是一个高效率的栅极驱动器,其
可以切换两个高侧和低侧N沟道外部
MOSFET的同步降压转换器。它被用于
与国际整流器公司的数字式PWM使用
控制器,以提供一个总的电压调节器( VR)的
解决方案为当今先进计算应用。
该IR3537 / CHL8510低侧驱动器能够迅速
开关大功率MOSFET具有低R
DS ( ON)
大投入
电容在高效率的设计中使用。
该IR3537 / CHL8510功能的单独控制
无论是高侧和低侧栅极驱动电压从
4.5V至13.2V 。这使得能够切换的优化
和在外部MOSFET的导通损耗。当
与IR专有的可变栅极驱动用( VGD )
技术,在效率显著改善是
在整个负载范围内观察到。
的IR3537 / CHL8510可以被配置为同时驱动
从独特的IR快速有效高亮侧和低侧开关
三电平( ATL )的PWM信号或一个通用的三态PWM
模式。红外ATL模式允许控制器禁用
在较少的高侧和低侧FET的比为30ns ,而不
需要有专门的禁用引脚。这提高了VR
瞬态性能,尤其是在负载释放。
集成的自举二极管可减少外部
元件数量。该IR3537 / CHL8510还具有
自适应非重叠控制直通
保护。这样可以防止两个高跨导
侧和低侧MOSFET和最小化的体二极管
导通时间,以提供最佳的效率。
应用
多相同步降压转换器
采用英特尔服务器和台式电脑和
AMD VR解决方案
高效率和紧凑的VRM
高电流的DC / DC转换器
基本应用
V
CC
R
VCC
V
CC
C
VCC
PWM从
调节器
漂浮的CHiL的
ATL模式
引脚图
BOOT
HS
MOSFET
R
BOOT
BOOT
VCC
PWM
模式
LVCC
HVCC
C
BOOT
1
2
3
顶视图
4
5
3×3 DFN
GND
引脚11
10
9
8
7
6
HI_GATE
开关
模式
GND
LO_GATE
HI_GATE
开关
HVCC
PWM
V
VGD
IR3537/
CHL8510
LO_GATE
GND
LS
MOSFET
VCC
LVCC
图1 :基本应用电路
1
2012年9月17日|最后| V1.11
图2 : IR3537 / CHL8510包顶视图
12V高性能栅极驱动器
IR3537
CHL8510
订购信息
IR3537 M
DFN
PBF
=无铅
TR
=卷带式
封装类型( DFN )
DFN
磁带&卷轴数量
3000
750
产品型号
IR3537MTRPBF
IR3537MTR1PBF
CHL8510
T
=卷带式
R
- 封装类型( DFN )
C
工作温度
(商业标准)
DFN
磁带&卷轴数量
3000
产品型号
CHL8510CRT
2
2012年9月17日|最后| V1.11
12V高性能栅极驱动器
IR3537
CHL8510
功能框图
HVCC
BOOT
HI_GATE
模式
SHOOT
通过
控制
开关
LVCC
VCC
PWM
POR ,
参考
控制
LO_GATE
GND
图3 : IR3537 / CHL8510功能框图
引脚说明
针#
1
引脚名称
BOOT
引脚说明
浮动自举电源引脚上的栅极驱动器。连接之间的自举电容
这个引脚和开关引脚。自举电容器提供了打开的上的电荷
MOSFET。请参阅下说明内部自举装置部分指导选择
电容值。
将此引脚连接到VCC ( + 12V)或4.5V至13.2V和一间单独的电源,以提供较低
上的高侧MOSFET的栅极驱动电压。它被连接到内部引导的阳极
二极管。此引脚与GND放置一个高品质低ESR的陶瓷电容。
PWM信号是控制输入,用于从1.8V或3.3V的PWM信号的驱动器。 PWM信号
可在操作过程中输入三个不同的状态;看到在三态PWM输入部分
说明进一步的细节。该引脚连接到控制器的PWM输出。
该引脚连接到+ 12V的偏置电源。将高品质低ESR的陶瓷电容,这
连接到GND 。
将此引脚连接到VCC ( + 12V)或4.5V和13.2V改变驱动器之间的单独的电源电压
电压上的低侧MOSFET 。此引脚与GND放置一个高品质低ESR的陶瓷电容。
该引脚必须始终≤ VCC + 0.7Vdc 。
更低的栅极驱动器输出。连接到所述低侧功率N沟道MOSFET的栅极。
偏置和参考地。所有的信号都参考这个节点。它也是功率接地回
的驱动程序。
该引脚允许选择的PWM信号的电压为1.8V或3.3V的正常运行。浮此引脚
配置驱动程序,使用1.8V的PWM ,以及连接该引脚到地的IR活动三电平( ATL )
配置驱动程序,使用3.3V的PWM通用活跃三态操作。
该引脚连接到上层MOSFET的源极和下MOSFET的漏极。该引脚
提供了用于上部栅极驱动器的返回路径。
上栅极驱动输出。连接到高侧功率N沟道MOSFET栅极。
偏置和参考地。所有的信号都参考这个节点。它也是功率接地回
的驱动程序。
2
HVCC
3
PWM
4
VCC
5
6
7
LVCC
LO_GATE
GND
8
模式
9
10
垫( 11 )
开关
HI_GATE
GND
3
2012年9月17日|最后| V1.11
12V高性能栅极驱动器
IR3537
CHL8510
典型应用框图
12V
1
R
系列
R
Th
R
系列
RCS
CCS
V
RCSP
30
PWM1
47
ISEN1
48
IRTN1
V_VGD
BOOT
HI_GATE
VCC
HVCC开关
LVCC
PWM LO_GATE
MODE GND
V_CPU
L
O
A
D
2
3
28
36
4
V
RCSM
CHL8510
+3.3V
12V
VCC
V_VGD
PWM 2 31
45
ISEN2
46
IRTN2
12V
V
VCPU
5 VRTN
6 SADDR /
GAMER_OFF
To
中央处理器
7
R_IMON
C_IMON
BOOT
HI_GATE
VCC
HVCC开关
LVCC
PWM LO_GATE
MODE GND
V
CHL8510
IMON
V
VRTN
8 RRES
9 VINSEN
10
TSEN
R
Th2
CHL8316
PWM3
ISEN3
IRTN3
32
43
44
V_VGD
BOOT
HI_GATE
VCC
HVCC开关
LVCC
PWM LO_GATE
MODE GND
V
+12V
R
VIN_1
CHL8510
12V
R
VIN_2
V
V_VGD
11
EN
12 V18A
PWM4
ISEN4
IRTN4
33
41
42
12V
13
SALERT #
14
SDA
15
SCL
V
系统
+3.3V
SMBUS
BOOT
HI_GATE
VCC
HVCC开关
LVCC
PWM LO_GATE
MODE GND
V
CHL8510
V
V
V_VGD
PWM5
ISEN5
IRTN5
34
39
40
12V
16
17
18
19
20
21
BOOT
HI_GATE
VCC
HVCC开关
LVCC
PWM LO_GATE
MODE GND
V
V
V
V
PSI #
VID7
VID6
VID5
VID4
VID3
CHL8510
V
V
V
从CPU
V_VGD
35
PWM6
37
ISEN6
38
IRTN6
BOOT
HI_GATE
VCC
HVCC开关
LVCC
PWM LO_GATE
MODE GND
V
V
V
CHL8510
12V
V
V
22 VID2
23
24
25
26
VID1
VID0
VR_READY
VR_HOT
GND
V
V
NC 29
VAR_GATE
27
To
中央处理器
BOOT
HI_GATE
VCC
HVCC开关
LVCC
PWM LO_GATE
MODE GND
V
V_VGD
可选变量
栅极驱动电路
CHL8510
图4 : 6相稳压器采用IR3537 / CHL8510 MOSFET驱动器& CHL8316控制器
4
2012年9月17日|最后| V1.11
12V高性能栅极驱动器
IR3537
CHL8510
绝对最大额定值
BOOT
PWM
VCC , HVCC
LVCC
LO_GATE
GND
开关
HI_GATE
模式
ESD - 带电器件模型JESD22 - C101 -C
热信息
热阻( θ
JC
)
热阻( θ
JA
)
1
最大工作结温
最大存储温度范围
最大的铅温度(焊接10秒)
3°C/W
45°C/W
150°C
-65 ℃150 ℃的
300°C
+ 35.0V参考GND ,
+ 15V参考SWITCH
+7.0V
+15.0V
VCC + 0.7Vdc到最大为+ 15.0V
DC : -0.3V到<0.3V上述VCC ,
<200ns : -2V至<0.3V上述VCC
0V+/- 0V
DC : -0.3V至+ 15V , <20nS : 25V , <5nS : -10V ,
<20 NS : -4Vdc和<200 NS : -2Vdc
DC : SWITCH - 0.3V至0.3V以上VBOOT ,
<200ns : SWITCH - 2V至0.3V以上VBOOT
-0.3V至+ 15.0V
通行证+/- 1000V
注1 :
θ
JA
测定用安装在一个高的有效热导率测试板在自由空气中的分量。
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
该设备在这些或超出中的业务部门所标明的任何其他条件,只有和功能操作
规格是不是暗示。
5
2012年9月17日|最后| V1.11
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    -
    -
    -
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联系人:刘经理
地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
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全新原装正品/质量有保证
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