High‐Efficiency5VMOSFETGateDriver
CHL8505
特点是什么？
IdealforServerMemoryapplicationsusing+5V
Fixed5VGateDrive
Largedriversdesignedtodrive3nFin<15ns
with+5Vdrive
Low‐sidedriver–2Asource/4Asink
High‐sidedriver–2Asource/2Asink
Transitionstimes&Propagationdelays<15ns
集成自举二极管
Capableofhighswitchingfrequenciesfrom200kHz
uptogreaterthan1MHz
兼容IR的专利活性三等级
（ ATL ） PWM的最快响应瞬态
冲
非重叠和欠电压保护
Thermallyenhanced10‐pinDFNpackage
无铅符合RoHS的封装
低静态功耗，以优化效率
说明
TheCHL8505MOSFETisahigh‐efficiencygatedriverwhich
可以切换两个高侧和低侧N沟道外部
MOSFET的同步降压转换器。它被用于
用于与IR数字PWM控制器，以提供一个总
电压调节器（ VR ）为当今先进的解决方案
计算应用。
TheCHL8505driveriscapableofrapidlyswitchinglarge
的MOSFET与低R
DSON
并用较大的输入电容
在高效率的设计。它独特的设计，
operatefroma5Vsourcesuchasasystem5Vor5V
待机电压，睡眠状态。
TheCHL8505hasauniquecircuitwhichimprovesdrive
strengthtotheexternalMOSFETsevenwithjust5V
在VDRV引脚提供。这保证了更快的开关
comparabletodriversdesignedfor+12Vdriveoperation.
集成的自举二极管减少了外部元件
count.TheCHL8505alsofeaturesanadaptivenon‐overlap
控制贯通保护。
TheCHL8505isconfiguredtodriveboththehighandlow‐
从专利的IR快速激活三电平侧开关
（ ATL）的PWM信号，其将优化的关断时间
各个阶段，优化瞬态性能。
应用程序“
多相同步降压转换器的服务器
CPU和DDR内存VR解决方案
高效率和紧凑的VRM
OptimizedforSleepstateS3systemsusing+5VSB
笔记本电脑和图形VR解决方案
基本应用
引脚图
PWM
VCC
VDRV
NC
BOOT
1
2
3
引脚11
4
5
3×3 DFN
7
6
开关
HI_GATE
顶视图
GND
8
LO_GATE
10
9
NC
NC
图1 ： CHL8505基本应用电路
图2 ： CHL8505包顶视图
1
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CHL8505
订购信息
CHL8505
包装
DFN
牛逼 - 磁带和卷轴
的R - 封装类型（ DFN ）
- 工作温度
（商业标准）
磁带&卷轴数量
3000
部件编号
CHL8505CRT
PWM
VCC
VDRV
NC
BOOT
1
2
3
引脚11
4
5
3×3 DFN
顶视图
GND
10
9
8
7
6
NC
NC
LO_GATE
开关
HI_GATE
图3 ： CHL8505引脚图放大
2
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CHL8505
功能框图
图4 ： CHL8505简化功能框图。
3
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CHL8505
典型应用图
5V
1
R
系列
R
Th
R
系列
RCS
CCS
12V
V
RCSP
21
PWM1
39
ISEN1
40
IRTN1
5V
VCC
CHL8505
BOOT
HIGATE
VDRV
开关
PWM
GND
LoGate
V_CPU_L1
L
O
A
D
2
3
28
RCSM
VCC
+3.3V
12V
V
4
VCC
CHL8505
BOOT
HIGATE
VDRV
开关
PWM
GND
LoGate
VSEN
5 VRTN
6 RRES
7
R
Th2
PWM 2 22
37
ISEN2
38
IRTN2
5V
TSEN
12V
V
8 V18A
CHL8325A
23
PWM3
35
ISEN3
36
IRTN3
5V
VCC
CHL8505
BOOT
HIGATE
VDRV
开关
PWM
GND
LoGate
9
+12V
R
VIN_1
10
VR_RDY_L1
1
/ PWRGD
2
VR_RDY_L2
1
/ PWROK
2
12V
V
11 VINSEN
R
VIN_2
VCC
CHL8505
BOOT
HIGATE
VDRV
开关
PWM4
17
SV_ALERT ＃
1
/ VFIXEN
2
18
SV_DIO
1
/ SVD
2
19
SV_CLK
1
/ SVC
2
15 VR_HOT ＃
1
/
VRHOT_ICRIT ＃
2
16
EN
ISEN4
IRTN4
24
33
34
PWM
GND
LoGate
EN
+3.3V
5V
VCC
CHL8505
BOOT
HIGATE
VDRV
开关
12V
V
V_CPU_L2
L
O
A
D
17
SMB_ALERT ＃
18
SMB_DIO
19
SMB_CLK
30 RCSP_L2
R
系列
R
Th
R
系列
RCS
CCS
PWM5
ISEN5
IRTN5
25
31
32
PWM
GND
LoGate
29
27
26
RCSM_L2
VSEN_L2
VRTN_L2
VAR_GATE_ 20
PM_ADDR
GND
笔记
1
英特尔& MPoL模式引脚定义
2
在AMD的模式引脚定义
图5 ：采用CHL8505 MOSFET驱动器& CHL8325A控制器4 + 1 CPU VR解决方案
4
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CHL8505
引脚说明
针＃
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
PAD(11)
引脚名称
PWM
VCC-
VDRV-
NC
自举
HI_GATE
开关“
LO_GATE
NC
NC
GND¤
引脚说明
ThePWMsignalisthecontrolinputforthedriverfroma1.8VIRATL‐basedPWMsignal.Connectthispin
到控制器的PWM输出。
Connectthispintoa+5Vbiassupply.PlaceahighqualitylowESRceramiccapacitorfromthispintoGND.
Connectthispintoaseparatesupplyvoltagebetween4.0Vand13.2Vtovarythedrivevoltageonthe
低侧MOSFET 。此引脚与GND放置一个高品质低ESR的陶瓷电容。
将该引脚悬空。
浮动自举电源引脚上的栅极驱动器。连接该引脚之间的自举电容
开关引脚。自举电容器提供打开上部MOSFET的电荷。看到内部
在选择电容值下的说明引导设备部分进行指导。
上栅极驱动输出。连接到高侧功率N沟道MOSFET栅极。
该引脚连接到上层MOSFET的源极和下MOSFET的漏极。
该引脚为上层栅极驱动器的返回路径
更低的栅极驱动器输出。连接到所述低侧功率N沟道MOSFET的栅极。
将该引脚悬空。
将该引脚悬空。
偏置和参考地。所有的信号都参考这个节点。它也是功率接地回
的驱动程序。
5
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