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CHENMKO ENTERPRISE CO。 ， LTD。
表面贴装
PNP数字硅晶体管
电压50伏
应用
*开关电路，逆变器，接口电路，驱动电路。
CHDTA114EEPT
现在的50 mAmpere
特征
*小型表面安装型。 （ SC - 75 / SOT- 416 ）
*高电流增益。
*适用于高封装密度。
*
*
*
*
低colloector发射极饱和。
高饱和电流能力。
内部隔离的PNP晶体管在一个封装中。
内置偏置电阻（ R1 = 10kΩ的，典型值）。
0.1
0.2±0.05
0.5 1.6±0.2
0.5
SC-75/SOT-416
(2)
(3)
1.0±0.1
0.1
0.3±0.05
施工
*一个PNP晶体管和薄膜电阻器于一体的偏见
封装。
0.1
0.2±0.05
0.8±0.1
(1)
记号
EE3
GND
In
1
0.15±0.05
0.1Min.
0.6~0.9
0~0.1
1.6±0.2
电路
2
R2
TR
R1
3
OUT
单位：毫米
SC-75/SOT-416
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
CC
V
IN
I
O
直流输出电流
I
C（最大值）。
P
合计
T
英镑
T
J
Rθ
-S
记
1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。
2003-02
参数
电源电压
输入电压
条件
分钟。
马克斯。
-50
+10
-50
V
V
单位
-40
T
AMB
≤
25
O
C，注意1
55
结 - 焊接点
mA
-100
150
+150
150
140
mW
O
总功耗
储存温度
结温
热阻
C
C
C / W
O
O
额定特性（ CHDTA114EEPT ）
特征
T
AMB
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
V
IOFF ）
V
我（上）
V
O（上）
I
I
I
C（ OFF）
h
FE
R
1
R
2
/R
1
f
T
参数
输入过电压
输入电压
输出电压
输入电流
输出电流
直流电流增益
输入电阻
电阻率
跃迁频率
I
C
= -5mA ，V
CE
=-10.0V
f=100MHz
=
条件
I
O
= -100uA ; V
CC
=-5.0V
I
O
= -10mA ; V
O
=-0.3V
I
O
= -10mA ;我
I
=-0.5mA
V
I
=-5V
V
I
=0V; V
CC
=-50V
I
O
= -5mA ; V
O
=-5.0V
分钟。
-0.5
30
7.0
0.8
10.0
1.0
250
典型值。
马克斯。
-3.0
-0.3
-0.88
-0.5
13.0
1.2
K
兆赫
V
V
V
mA
uA
单位
记
1.Pulse测试： tp≤300uS ;
δ≤0.02.
额定值特性曲线（ CHDTA114EEPT ）
典型电气特性
图1输入电压与输出电流
（ON特性）
-100
-50
V
O
=-
0.3V
图2输出电流与输入电压
（关特征）
-10m
-5m
输出电流：木卫一
(A)
V
CC
=-
5V
输入电压： V
我（上）
(V)
-2m
-1m
-500
-200
-100
-50
-20
-10
-5
-2
-1
-0
-20
-10
-5
-2
-1
-500m
-200m
-100m
-100 -200 -500 -1m -2m
-5m -10m -20m -50m -100m
TA = - 40
O
C
25
O
C
=
100
O
C
TA = 100℃
25
O
C
-40
O
C
O
-0.5
-1.0
-1.5
-2.0
-2.5
-3.0
输出电流：我
O
(A)
输入电压： V
我（关闭）
(V)
图3直流电流增益与输出
当前
1k
500
直流电流增益：摹
I
图4输出电压和输出
当前
-1
-500m
输出电压： V
O（上）
(V)
V
O
=- 5V
TA = 100℃
25
O
C
-40
O
C
O
l
O
/l
I
=
20
Ta=100
O
C
25
O
C
-40
O
C
200
100
50
20
10
5
2
1
-100 -200
-500 -1m
-200m
-100m
-50m
-20m
-10m
-5m
-2m
-2m
-5m -10m -20m -50m -100m
-1m
-100 -200
-500 -1m -2m
-5m -10m -20m -50m -100m
输出电流：我
O
(A)
输出电流：我
O
(A)
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