CHA7012
符合RoHS
X波段HBT大功率放大器
GaAs单片微波IC
描述
该
CHA7012
芯片是单片两阶段
砷化镓高功率放大器专为X波段
应用程序。
此装置被使用的GaInP制
HBT工艺，其中包括，通过穿过孔
基板和空中桥梁。氮化物层保护
晶体管和无源器件。
特别
热
切除
技术
是
实现，以保证高可靠性。
为了简化装配过程：
芯片-The背面是射频和直流
接地
-bond垫和背面都是镀金的
采用共晶芯片粘接方法的兼容性
和热压或热压
粘接工艺。
TI维生素C
TO
VCTRL
偏置
电路
VC VC
TTL
电路
IN
OUT
TTL
电路
偏置
电路
TI维生素C
44
TO
VCTRL维生素C
Vc
噘嘴& PAE @ 3dBc ，线性增益
PAE @ 3dBc （ ％ ）
40
36
32
28
主要特点
频段： 9.2 -10.4GHz
输出功率（ P3dB ） ： 38.5dBm
高线性增益： > 20分贝
高PAE ： > 38 ％
两个偏置模式：
-VDigital控制由于TTL接口
-VAnalog控制由于偏置电路
芯片尺寸： 5.00× 3.68 X 0.1毫米
Pout@3dBc(dBm
线性增益（引脚=为0dBm ）
24
20
1
6
9
9.2
9.4
9.6
9.8
1
0
1
0.2
1
0.4
1
0.6
频率（GHz ）
噘嘴& PAE @ 3dBc和线性增益@ 25 °
C
主要特点
VC = 7.5V ， IC （静态） = 1.9A ，脉冲宽度= 100μS ，占空比= 20 ％
符号
参数
民
典型值
FOP
PSAT
P_3dBc
G
顶部
最大
10.4
单位
GHz的
W
W
dB
°
C
工作频率范围
饱和输出功率@ 25 °
C
输出功率@ 3dBc @ 25 °
C
小信号增益@ 25 °
C
工作温度范围
9.2
9
7
20
-40
+80
ESD保护：静电放电敏感器件。观察处理注意事项！
参考文献。 ： DSCHA70129082- 09年3月23日
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特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
联合单片半导体S.A.S.
路线Départementale 128 - BP46 - 91401奥赛Cedex法国
电话： ： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 08 - 传真： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 09
CHA7012
电气特性
X波段高功率放大器
环境温度Tamb = 20 ° VC = 7.5V ， IC （静态） = 1.9A ，脉冲宽度= 100μS ，占空比= 20 ％
C,
参数
民
典型值
最大
单位
FOP
工作频率
9.2
10.4
GHz的
G
小信号增益
17.5
20
23
dB
G_T
小信号增益变化与
-0.025
分贝/ Ω
C
温度
RLIN
输入回波损耗
8
10
dB
RLOUT
输出回波损耗
8
12
dB
PSAT
饱和输出功率
39.5
DBM
Psat_T
饱和输出功率变化对
-0.01
分贝/ Ω
C
温度
P_3dBc
输出功率@ 3dBc （ 3 ）
38
38.5
DBM
PAE_3dBc
功率附加效率@ 3dBc
34
38
%
Vc
电源电压（3）
7.5
8
V
Ic
供电的静态电流（1）
1.9
A
TI
TTL输入电压
0
5
V
I_TI
TTL输入电流
1
mA
VCTRL
集电极电压控制
5
V
Zctr
VCTRL输入端口阻抗（2）
350
欧姆
顶部
工作温度范围
-40
+80
°
C
（ 1 ）通过参数可调VCTRL时控制偏置电路使用。
（2）该值对应于在平行（引脚4 ，8， 14 ，18）的4个端口
（3）对Vc的0.5V变化导致围绕输出功率（上冲击的0.4分贝变异
稳健性看最大额定值）
符号
绝对最大额定值
(1)
环境温度Tamb = 20 °
C
符号
CMP
Vc
Ic
Ic_sat
VCTRL
Tj
TSTG
参数
压缩级别（ 2 ）
与RF电源电压
电源静态电流
在饱和电源电流
集电极电流控制电压
最高结温
存储温度范围
值
6
8
2.8
3.5
6.5
175
-55到+125
单位
dBc的
V
A
A
V
°
C
°
C
（ 1 ）本设备上面这些参数中的任何一个操作可能会造成永久性的损害。
（2）对于较高的压缩级别限制可以增加通过使用降低电压Vc
率0.5 V / dBc的
到背面等效热阻： 6 °
C / W
参考文献。 ： DSCHA70129082- 09年3月23日
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特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
路线Départementale 128 ， BP46 - 91401 Cedex的ORSAY - 法国
电话： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 08 - 传真： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 09
X波段高功率放大器
典型的测量特性
在测量夹具
CHA7012
VC = 7.5V ， VTTL = 5V ， IC （静态） = 1.9A ，脉冲宽度= 100μS ，占空比= 20 ％
30
28
26
线性增益（dB ）
24
22
20
18
16
14
12
10
8.5
8.7
8.9
9.1
9.3
9.5
9.7
9.9
10.1 10.3 10.5 10.7 10.9 11.1
频率（GHz ）
线性增益与频率的关系以及温度
+20°
C
+80°
C
-40°
C
42
41
40
39
的Pout （ dBm的）
38
37
36
35
34
33
32
8.5
8.7
8.9
9.1
9.3
9.5
9.7
9.9
10.1 10.3 10.5 10.7 10.9 11.1
频率（GHz ）
+20°
C
+80°
C
-40°
C
输出功率@ 3dBc与频率和温度
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CHA7012
50
45
40
PAE （％）
35
30
25
20
8.5
8.7
8.9
9.1
9.3
9.5
9.7
+20°C
+80°C
-40°C
X波段高功率放大器
9.9 10.1 10.3 10.5 10.7 10.9 11.1
频率（GHz ）
PAE @ 3dBc随频率和温度
3
2.9
2.8
2.7
2.6
IC （ A）
2.5
2.4
2.3
2.2
2.1
2
8.5
8.7
8.9
9.1
9.3
9.5
9.7
9.9 10.1 10.3 10.5 10.7 10.9 11.1
频率（GHz ）
集成电路@ 3dBc随频率和温度
+20°C
+80°C
-40°C
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X波段高功率放大器
CHA7012
40
38
36
的Pout （ dB）的
34
32
30
28
26
-1
0
1
2
3
4
5
6
7
8
压（ dB）的
输出功率@ 25 °与压缩和FREQUENC
C
9.2GHz
9.4GHz
9.6GHz
9.8GHz
10GHz
10.2GHz
10.4GHz
50
45
40
35
PAE （％）
30
25
20
15
10
5
0
-1
0
1
2
3
4
5
6
7
8
压（ dB）的
PAE的25°相对于压缩和频率
C
9.2GHz
9.4GHz
9.6GHz
9.8GHz
10GHz
10.2GHz
10.4GHz
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