CHA7010
符合RoHS
X波段的GaInP HBT大功率放大器
GaAs单片微波IC
描述
该
CHA7010
是单片两阶段
砷化镓高功率放大器专为X
频带应用。
此装置被使用的GaInP制
HBT工艺，经由通孔，包括
在基片和空气桥。氮化物
层保护的晶体管和
无源组件。特殊的散热
技术实现，以保证
高可靠性。
为了简化装配过程：
在芯片的背面是RF和
直流接地
键合焊盘和背面侧有金
镀有共晶芯片的兼容性
连接法和热压或
热压粘合处理。
VCTR
VCTR
Vc
主要特点
10W输出功率
高增益： > 18分贝@ 10GHz的
高PAE ： > 35 ％@ 10GHz的
片上偏置控制
线性集电极电流控制
脉冲高阻抗接口
模式
温度补偿
芯片尺寸： 4.74 X 4.36 X 0.1毫米
Vc
输入
匹配
网
级间
产量
合
VCTR
Vc
VCTR
Vc
主要特点
TAMB = + 25°C
符号
F_op
P_sat
P_1dBc
G_lin
参数
民
8.4
典型值
9.4
10
8
18
1/7
最大
10.4
单位
GHz的
W
W
dB
工作频率范围
饱和输出功率
输出功率@ 1dBc
线性增益
ESD保护：静电放电敏感器件观察处理注意事项！
参考文献。 ： DSCHA70104054 - 04年2月23日
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
联合单片半导体S.A.S.
路线Départementale 128 - BP46 - 91401奥赛Cedex法国
电话： ： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 08 - 传真： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 09
X波段高功率放大器
电气特性
CHA7010
环境温度Tamb = 25°C ，VC = 9V ， IC （ Quiescient ） = 2.4A ，脉冲宽度=为80μs ，占空比= 30 ％
符号
F_op
G_lin_1
G_lin_2
G_lin_T
RL_in
RL_OUT
P_sat_1
P_sat_2
P_sat_T
P_1dBc_1
P_1dBc_2
PAE_sat
PAE_1dBc
Vc
Ic
VCTR
Zctr
顶部
参数
工作频率
线性增益（ 8.4 9.4GHz ）
线性增益（ 9.4 10.4GHz ）
线性增益变化与温度的关系
输入回波损耗
输出回波损耗
饱和输出功率（ 8.4 9.8GHz ）
饱和输出功率（ 9.8 10.4GHz ）
饱和输出功率变化对
温度
输出功率@ 1dBc （ 8.4 9.8GHz ）
输出功率@ 1dBc （ 9.8 10.4GHz ）
在饱和功率附加效率
功率附加效率@ 1dBc
电源电压
供电的静态电流（1）
集电极电流控制电压（2）
VCTR输入端口阻抗（3）
工作温度范围（ 4）
民
8.4
14
16
8
6
39
38
典型值
9.4
16
18
-0.035
12
12
40
39
-0.01
39
38
35
32
9
2.4
5.1
350
最大
10.4
单位
GHz的
dB
dB
分贝/°C的
dB
dB
DBM
DBM
分贝/°C的
DBM
DBM
%
%
V
A
V
欧姆
°C
38
37
30
-30
+70
(1)
(2)
(3)
(4)
这个参数是固定的VCTR
控制电压脉冲的建议报告。
此值对应于平行（引脚3 ， 8，16， 21）的4个端口
基准是在芯片的背面侧
绝对最大额定值（ 1 ）
环境温度Tamb = 25°C
符号
CMP
Vc
Ic
Ic_sat
VCTR
TSTG
(1)
(2)
参数
压缩级别（ 2 ）
电源电压
电源静态电流
在饱和电源电流
集电极电流控制电压
存储温度范围
值
6
10
2.8
3.5
6.5
-55到+125
单位
dB
V
A
A
V
°C
该设备上面这些参数中的任何一个操作可能会造成永久性的损害。
对于较高压缩程度的限制，可以增加通过使用速率下降的电压Vc
0.5 V / dBc的
参考文献。 DSCHA70104054 - 04年2月23日
2/7
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
路线Départementale 128 ， BP46 - 91401 Cedex的ORSAY - 法国
电话： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 08 - 传真： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 09
X波段高功率放大器
典型的测量特性
CHA7010
测量测试治具：
环境温度Tamb = 25°C ，VC = 9V ， IC （ Quiescient ） = 2.4A ，脉冲宽度=为80μs ，占空比= 30 ％
20
16
12
S21 ，S11， S22 （ dB）的
8
4
0
-4
-8
-12
-16
-20
8
8,5
9
9,5
10
10,5
11
11,5
12
频率（GHz ）
db(S21)
db(S11)
db(S22)
S-参数
42
40
38
输出功率（dBm ）
36
34
32
30
28
26
24
22
-1
0
1
2
3
4
压缩电平（dB ）
噘嘴@ 8.4 GHz的
噘嘴@ 8.6 GHz的
噘嘴@ 8.8 GHz的
噘嘴@ 9 GHz的
噘嘴@ 9.2 GHz的
噘嘴@ 9.4 GHz的
噘嘴@ 9.6 GHz的
噘嘴@ 9.8 GHz的
噘嘴@ 10 GHz的
噘嘴@ 10.2 GHz的
噘嘴@ 10.4 GHz的
5
6
7
输出功率与压缩等级： F = 8.4 10.4GHz
参考文献。 DSCHA70104054 - 04年2月23日
3/7
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
路线Départementale 128 ， BP46 - 91401 Cedex的ORSAY - 法国
电话： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 08 - 传真： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 09
X波段高功率放大器
典型的测量特性
CHA7010
测量测试治具：
环境温度Tamb = 25°C ，VC = 9V ， IC （ Quiescient ） = 2.4A ，脉冲宽度=为80μs ，占空比= 30 ％
42
40
38
36
34
32
30
28
26
24
22
20
18
16
14
12
10
8,4
8,6
8,8
3900
3700
3500
3300
3100
2900
2700
噘嘴@针= 27 dBm的
PAE @针= 27 dBm的
增益@针= 27 dBm的
IC @销= 27 dBm的
P_out （DBM ） ，丹皮酚（ ％ ） ，增益（dB ）
2500
2300
2100
1900
1700
1500
9
9,2
9,4
9,6
9,8
10
10,2
10,4
频率（GHz ）
饱和输出功率， PAE ，增益和集电极电流与频率的关系
参考文献。 DSCHA70104054 - 04年2月23日
4/7
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
路线Départementale 128 ， BP46 - 91401 Cedex的ORSAY - 法国
电话： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 08 - 传真： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 09
集电极电流（毫安）
X波段高功率放大器
芯片机械数据和引脚参考
CHA7010
切屑厚度= 100 +/- 10
HF垫（ 12 ， 24） = 118 X 68
DC垫（ 3 ， 8 ， 16 ， 21 ） = 96 ×96
DC垫（ 5 ， 10 ， 14 ， 19 ） = 288 ×96
引脚数
引脚名称
24
IN
1, 2, 7, 17, 22, 23
3, 8, 16, 21
VCTR
4, 6, 9, 11, 13, 15, 18, 20
GND
5, 10, 14, 19
Vc
12
OUT
描述
RF输入端口
NC
集电极电流的控制端口
地（ NC ）
电源电压
射频输出端口
参考文献。 DSCHA70104054 - 04年2月23日
5/7
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
路线Départementale 128 ， BP46 - 91401 Cedex的ORSAY - 法国
电话： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 08 - 传真： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 09
CHA7010
X波段的GaInP HBT大功率放大器
GaAs单片微波IC
描述
该
CHA7010
是一个单片两阶段
砷化镓高功率放大器专为X
频带应用。
此装置被使用的GaInP制
HBT工艺，经由通孔，包括
在基片和空气桥。氮化物
层保护的晶体管和
无源组件。特殊的散热
技术实现，以保证
高可靠性。
为了简化装配过程;
在芯片的背面是RF和
直流接地
键合焊盘和背面侧有金
镀有共晶芯片的兼容性
附加方法和热 - 超音或
热压粘合处理。
VCTR
Vc
主要特点
n
n
n
n
n
n
10W输出功率
高增益： > 18分贝@ 10GHz的
高PAE ： > 35 ％@ 10GHz的
片上偏置控制
线性集电极电流控制
脉冲高阻抗接口
模式
n
温度补偿
n
芯片尺寸： 4.74 X 4.36 X 0.1毫米
VCTR
Vc
输入
匹配
网
级间
产量
合
VCTR
Vc
VCTR
Vc
主要特点
TAMB = + 25°C
符号
F_op
P_sat
P_1dBc
G_lin
参数
民
8.4
典型值
9.4
10
8
18
1/7
最大
10.4
单位
GHz的
W
W
dB
工作频率范围
饱和输出功率
输出功率@ 1dBc
线性增益
ESD保护：静电放电敏感器件观察处理注意事项！
参考文献。 ： DSCHA70102175 -24月-02
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
联合单片半导体S.A.S.
路线Départementale 128 - BP46 - 91401奥赛Cedex法国
电话： ： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 08 - 传真： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 09
X波段高功率放大器
电气特性
环境温度Tamb = 25°C ，VC = 9V ， VCTR = 5.5V ，脉冲宽度=为80μs ，占空比= 30 ％
符号
F_op
G_lin_1
G_lin_2
G_lin_T
RL_in
RL_OUT
P_sat_1
P_sat_2
P_sat_T
P_1dBc_1
P_1dBc_2
PAE_sat
PAE_1dBc
Vc
Ic
VCTR
Zctr
顶部
CHA7010
参数
工作频率
线性增益（ 8.4 9.4GHz ）
线性增益（ 9.4 10.4GHz ）
线性增益变化与温度的关系
输入回波损耗
输出回波损耗
饱和输出功率（ 8.4 9.8GHz ）
饱和输出功率（ 9.8 10.4GHz ）
饱和输出功率变化对
温度
输出功率@ 1dBc （ 8.4 9.8GHz ）
输出功率@ 1dBc （ 9.8 10.4GHz ）
在饱和功率附加效率
功率附加效率@ 1dBc
电源电压
供电的静态电流（1）
集电极电流控制电压
VCTR输入端口阻抗（2）
工作温度范围（ 3）
民
8.4
14
16
8
6
39
38
典型值
9.4
16
18
-0.035
12
12
40
39
-0.01
39
38
35
32
9
2.4
5.5
350
最大
10.4
单位
GHz的
dB
dB
分贝/°C的
dB
dB
DBM
DBM
分贝/°C的
DBM
DBM
%
%
V
A
V
欧姆
°C
38
37
30
27
-30
+80
（1）这个参数是固定的VCTR
（2）该值对应于在平行（引脚4 ， 9 ，17， 22）的4个端口
（3）参照是在芯片的背面侧
绝对最大额定值
(1)
环境温度Tamb = 25°C
符号
CMP
Vc
Ic
Ic_sat
VCTR
TSTG
(1)
参数
压缩级别
电源电压
电源静态电流
在饱和电源电流
集电极电流控制电压
存储温度范围
值
6
10
2.8
3.5
6.5
-55到+125
单位
dB
V
A
A
V
°C
该设备上面这些参数中的任何一个操作可能会造成永久性的损害。
参考文献。 ： DSCHA70102175 -24月-02
2/7
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
路线Départementale 128 ， BP46 - 91401 Cedex的ORSAY - 法国
电话： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 08 - 传真： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 09
X波段高功率放大器
典型的测量特性
测量测试治具：
环境温度Tamb = 25°C ，VC = 9V ， VCTR = 5.5V ，脉冲宽度=为80μs ，占空比= 30 ％
20
16
12
S21 ，S11， S22 （ dB）的
8
4
0
-4
-8
-12
-16
-20
8
8,5
9
9,5
10
10,5
11
db(S21)
db(S11)
db(S22)
CHA7010
11,5
12
频率（GHz ）
S-参数
42
40
38
输出功率（dBm ）
36
34
32
30
28
26
24
22
-1
0
1
2
3
4
压缩电平（dB ）
噘嘴@ 8.4 GHz的
噘嘴@ 8.6 GHz的
噘嘴@ 8.8 GHz的
噘嘴@ 9 GHz的
噘嘴@ 9.2 GHz的
噘嘴@ 9.4 GHz的
噘嘴@ 9.6 GHz的
噘嘴@ 9.8 GHz的
噘嘴@ 10 GHz的
噘嘴@ 10.2 GHz的
噘嘴@ 10.4 GHz的
5
6
7
输出功率与压缩等级： F = 8.4 10.4GHz
参考文献。 ： DSCHA70102175 -24月-02
3/7
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
路线Départementale 128 ， BP46 - 91401 Cedex的ORSAY - 法国
电话： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 08 - 传真： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 09
X波段高功率放大器
典型的测量特性
测量测试治具：
环境温度Tamb = 25°C ，VC = 9V ， VCTR = 5.5V ，脉冲宽度=为80μs ，占空比= 30 ％
42
40
38
36
34
32
30
28
26
24
22
20
18
16
14
12
10
8,4
8,6
8,8
CHA7010
3900
3700
3500
3300
3100
2900
2700
噘嘴@针= 27 dBm的
PAE @针= 27 dBm的
增益@针= 27 dBm的
IC @销= 27 dBm的
P_out （DBM ） ，丹皮酚（ ％ ） ，增益（dB ）
2500
2300
2100
1900
1700
1500
9
9,2
9,4
9,6
9,8
10
10,2
10,4
频率（GHz ）
饱和输出功率， PAE ，增益和集电极电流与频率的关系
参考文献。 ： DSCHA70102175 -24月-02
4/7
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
路线Départementale 128 ， BP46 - 91401 Cedex的ORSAY - 法国
电话： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 08 - 传真： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 09
集电极电流（毫安）
X波段高功率放大器
尺寸和垫分配
CHA7010
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1
13
24 23 22 21
20
19
18
17
16
15
14
单位=微米
外部芯片尺寸（包括锯街道） = 4740 X 4360 +/- 35
切屑厚度= 100 +/- 10
HF垫（ 1 ， 13 ） = 118 X 68
直流垫（4， 9，17 ， 22） = 96 ×96
直流垫（6 ，11，15 ，20） = 288 ×96
引脚数
1
2, 3, 8, 18, 23, 24
4, 9, 17, 22
5, 7, 10, 12, 14, 19, 16, 21
6, 11, 15, 20
13
参考文献。 ： DSCHA70102175 -24月-02
引脚名称
IN
VCTR
GND
Vc
OUT
描述
RF输入端口
NC
集电极电流的控制端口
地（ NC ）
电源电压
射频输出端口
5/7
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
路线Départementale 128 ， BP46 - 91401 Cedex的ORSAY - 法国
电话： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 08 - 传真： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 09
QQ：2880707522 复制
