CHA6042
13-16GHz高功率放大器
GaAs单片微波IC
描述
该CHA6042是四阶段的pHEMT HPA
MMIC设计的VSAT地面终端
和其他无线电应用。该CHA6042
提供32dBm的标称输出功率
在13-16GHz 1分贝增益压缩
的频率范围，和32分贝小信号
获得。该产品将在芯片可用
形式。
主要特点
频率范围：
13-16GHz
增益：
32dB
输出功率（ P- 1分贝） ： 32dBm的
输出TOI ：
40dBm
输入回波损耗：
15dB
输出回波损耗：
13dB
偏见：
9V ， 1A
尺寸： 2.34 X 1.36 X 0.07毫米
35
增益（dB ）
0
30
-5
25
输出回波损耗（dB ）
-10
20
-15
15
输入回波损耗（dB ）
-20
10
11
12
13
14
15
16
17
18
频率（GHz ）
-25
参考文献。 ： DSCHA6042218 - 06 - 八月-02
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特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
联合单片半导体S.A.S.
路线Départementale 128 - BP46 - 91401奥赛Cedex法国
电话： ： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 08 - 传真： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 09
回波损耗（分贝）
S. S.增益（dB ）
CHA6042
13-16GHz高功率放大器
在1分贝增益压缩预计输出功率
36
输出功率（ P- 1分贝） （ DBM）
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
12
13
14
15
16
17
频率（GHz ）
绝对最大额定值
TAMB 。 = 25
°C
(1)
符号
VDS
IDS
VGS
VDG
针
Ta
TSTG
参数
漏极偏置voltage_small信号
漏极偏置current_small信号
栅极偏置电压
最大栅极漏极电压（VD -VG ）
最大峰值输入功率过载（ 2 ）
工作温度范围（ 3）
存储温度范围
值
10.5
1500
-2至+0.4
+12
+18
-45到+80
-55到+125
单位
V
mA
V
V
DBM
C
C
1.操作该设备，这些参数中的任何一个以上的可能会造成永久性的损害。
2.持续< 1秒
3.金锡焊安装到铜钨或粗磨载体假设
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13-16GHz高功率放大器
概要
Vd1
Vd2
Vd3
CHA6042
Vd4
RF
RF OUT
Vg1
Vg2
Vg3
Vg4
典型的偏置条件
TAMB 。 = 25
°C
符号
Vd的1，2， 3，4
Vg的1，2， 3，4
国际直拨电话
参数
漏偏置电压
栅极偏置电压
总漏电流
值
9.0
-0.5
1000
单位
V
V
mA
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CHA6042
13-16GHz高功率放大器
MMIC大纲&邦德片
不按比例，尺寸以毫米为单位
2
3
4
5
1
1.36
±0.35
6
1
9
8
7
2.34
±0.35
焊盘
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
符号
X -暗淡。
Y型暗淡。
X -CENTER
Y型中心
RF输入
Vd1
Vd2
Vd3
Vd4
RF输出
Vg4
Vg3
Vg2
Vg1
（微米）
100
100
100
150
200
100
100
100
100
100
（微米）
200
100
100
100
100
200
100
100
100
100
（微米）
115
305
470
1280
1775
2235
1630
1310
920
525
（微米）
835
1255
1255
1255
1255
785
105
105
105
105
芯片尺寸： 2340μm +/- 35μm的X 1360μm +/- 35μm的
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13-16GHz高功率放大器
CHA6042
MMIC大会和键合图（不按比例）
V
D
100p
100p
0.01
VD1 Vd2的
VD3
VD4
R
F
O
U
50 Ohm线路
50 Ohm线路
RFIN
R
F
IN
RFOUT
VG
VG
VG3
VG
100p
100p
V
g
0.01
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