CHA5294
符合RoHS
30-40GHz中功率放大器
GaAs单片微波IC
描述
该CHA5294是一个高增益四阶段单片
中等功率放大器。它是专为宽
的应用范围，从军事到商业
通信系统。
该电路具有的pHEMT制
过程中， 0.15μm的栅极长度。
Vd1
Vd2
Vd3
Vd4
IN
OUT
Vg1
它是在芯片的形式提供。
Vg2
Vg3
Vg4
Vd4
典型的测量夹具
30
主要特点
■
性能： 30-40GHz
■
是22dBm输出功率@ 1分贝补偿。
■
24分贝GAIN
■
直流功耗， 500mA在3.5V
■
芯片尺寸： 4.10 X 1.42 X 0.07毫米
28
26
24
22
20
18
板着脸的1分贝补偿。 （ dBm的）
线性增益（dB ）
16
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
频率（GHz ）
主要特点
TAMB 。 = 25°
C
符号
FOP
G
P1dB
Id
参数
工作频率范围
小信号增益
在1分贝增益压缩输出功率
偏置电流
民
30
典型值
24
22
500
最大
40
单位
GHz的
dB
DBM
mA
ESD保护：静电放电敏感器件。观察处理注意事项！
参考文献。 ： DSCHA52948205 - 08年7月23日
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特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
联合单片半导体S.A.S.
路线Départementale 128 - BP46 - 91401奥赛Cedex法国
电话： ： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 08 - 传真： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 09
CHA5294
TAMB = + 25 °
C
符号
FOP
G
30-40GHz中功率放大器
晶圆电气特性（ 1 ）
参数
工作频率范围
小信号增益从30到34GHz
从34到40GHz
G
Is
P1dB
小信号增益平坦度
反向隔离
脉冲输出功率在1dB压缩为30 34GHz
从34到40GHz
PSAT
饱和功率从30到34GHz
从34到40GHz
IP3
输出截取点3级30 34GHz
从34到40GHz
VSWRin
VSWRout
Vd
Id
输入VSWR
输出VSWR
漏极偏压的直流电压
偏置电流@小信号
民
30
典型值
最大
40
单位
GHz的
dB
dB
dB
DBM
24.5
23
±1.5
40
23
22
24.5
23
30
28
2.0:1
4.0:1
3.5
500
650
DBM
DBM
V
mA
（ 1 ）这些值代表都提出，没有脉冲的晶圆测试
接合线在RF端口。
绝对最大额定值
TAMB 。 = 25° （1）
C
符号
Vd
Id
Vg
针
总胆固醇
Ta
TSTG
参数
最大漏极偏置电压引脚最大= -2dBm
漏极偏置电流VD = 3.5V的小信号
栅极偏置电压
与VD = 3.5V最大峰值输入功率过载（ 2 ）
最大通道温度
工作温度范围
存储温度范围
值
+4.0
700
-2至+0.4
+6.0
+175
-40至+80
-55到+125
单位
V
mA
V
DBM
°
C
°
C
°
C
（ 1 ）本设备上面这些参数中的任何一个操作可能会造成永久性的损害。
（2 ）持续< 1秒。
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电话： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 08 - 传真： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 09
30-40GHz中功率放大器
典型的在CW模式测量夹具
偏置条件： VD = 3.5V
CHA5294
在1dB压缩与频率的线性增益&输出功率
30
28
26
24
22
20
18
板着脸的1分贝补偿。 （ dBm的）
线性增益（dB ）
16
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
频率（GHz ）
漏极电流与输入功率
650
625
600
575
550
ID （MA ）
525
500
475
450
425
400
-15 -14 -13 -12 -11 -10 -9
-8
-7
-6
-5
-4
-3
-2
-1
0
1
2
3
4
5
输入功率（dBm ）
32GHz
34GHz
38GHz
40GHz
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CHA5294
30-40GHz中功率放大器
芯片组装和机械数据
Vd的DC漏极供电
10nF
120pF
Vd1
Vd2
Vd3
Vd4
Vg1
Vg2
Vg3
Vg4
120pF
10nF
至Vg直流电源门
注：供应饲料应电容旁路。 25微米直径的金线将被优先。
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30-40GHz中功率放大器
焊盘位置
（芯片厚度为70μm ）
CHA5294
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