CHA5093TCF
24-26GHz高功率放大器
GaAs单片微波集成电路的SMD无铅封装
描述
该包装单片微波IC
（ MMIC）是一个高增益的三阶段
单片高功率放大器。这是
设计用于广泛的应用范围，
从军事到商业通信
系统。
该电路与一个PM-制
HEMT的过程中， 0.25μm的栅极长度，通过
穿过衬底，空气桥的孔和
电子束光刻门。这是
在一个新的SMD无引线芯片供给
载体。
主要特点
■
性能： 24-26GHz
■
增益= 19分贝（典型值）
■
输出功率（P
-1dB
）为29dBm （典型值）
■
SMD无铅封装
■
尺寸： 6.35 X 6.35 X 0.97毫米
3
SMD封装尺寸
"Please注意， PIN 1位于包（正面视图）的左下角从美国半导体单片全贴片式封装。
它是通过在包盖的三角形表示。与PIN 1其他片开始逆时针（前视图）的编号。注意：在点
包装（有金属片即侧）的背面只是为了制造目的，不表明PIN的位置
参考文献。 ： DSCHA50932035 - 04 - 二月-02
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特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
联合单片半导体S.A.S.
路线Départementale 128 - BP46 - 91401奥赛Cedex法国
电话： ： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 08 - 传真： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 09
CHA5093TCF
概要
CHA5093TCF
24-26GHz高功率放大器
Vd1,2
Vd3
在RF
RF OUT
Vg1,2,3
Vd3
典型的偏置条件
为+ 25 ° C的环境温度
符号
Vd1,2,3
Vg1,2,3
国际直拨电话
PIN号
2,4 & 8
10
2,4 & 8
漏偏置电压
第一，第二&第三阶段的栅极偏置电压
总漏电流
参数
值
6
-0.4
600
单位
V
V
mA
所有其他引脚不用于该设备。
绝对最大额定值
TAMB 。 = 25 ° C（ 1 ）
符号
VDS
IDS
VGS
VDG
针
Ta
TSTG
(1)
(2)
(3)
(4)
参数
漏极偏置voltage_small信号
漏极偏置current_small信号
栅极偏置电压
负栅极漏极电压（ = VDS - VGS）
最大峰值输入功率过载（ 3 ）
工作温度范围（ 4）
存储温度范围
值
6.0
1200
-2至+0.4
+8
+12
-40到+70
-55 155
单位
V
mA
V
V
DBM
°C
°C
该设备上面这些参数中的任何一个操作可能会造成永久性的损害。
6V推荐了一个最大的1分贝增益压缩。
持续< 1秒。
温度上限很大程度上取决于主板的设计;评级定为
理想的热耦合
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24-26GHz高功率放大器
VD = 6V ，标识调整的600毫安
增益与输出功率
23
22
21
20
19
18
增益（dB ）
CHA5093TCF
在PCB上的典型结果（推荐主板布局）
17
16
15
14
13
12
11
10
20
21
22
23
24
25
26
的Pout （ dBm的）
27
28
29
30
31
32
23GHz
24GHz
25GHz
26GHz
脚印
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CHA5093TCF
应用说明
24-26GHz高功率放大器
主板的设计拥有所有性能上有很大的影响
因为从主板到封装的过渡是同等大。在
案件联合单片半导体中的表面贴装型封装
主板应根据以下给出的信息来设计
要取得良好的业绩。其它配置也是可能的，但可能会导致
不同的结果。如果您需要提醒，请联系美半导体单片
了解更多信息。
UMS的SMD型封装应该允许设计微型和MM-和制造
波模块的成本低。因此，一个合适的主板环境一直
选择。所有的测试和验证对罗杰斯RO4003已经完成。这
材料显示出3.38的电容，并已用于具有厚度为200μm的
[ 8密耳]和一个1 / 2盎司或更少的铜包层。对应的50欧姆
传输线具有约460μm [约条带的宽度。 18密耳。
主板为包连接上的接触区域应
根据上面给出的足迹而设计的。通过在结构中的适当的
接地垫是非常重要的，以便实现良好的射频和寿命
性能。所有的测试已经完成通过大量的通孔电镀网格
用直径小于200微米[8密耳]和小于400微米的间隔[16
密耳]从两个相邻的通孔的中心。在通过电网应涵盖整个
下接地垫空间和最接近于所述RF端口的通孔应设
该垫的边缘附近，以允许良好的RF接地连接。由于通孔是
用于热传递很重要，通过填充适当的应在保证
装配程序来获得包和散热片之间的低热阻。
对于功率器件通过电网在主板，而不是使用热蛞蝓是
推荐使用。
对于安装过程中的贴片型封装能够被处理为标准
表面安装元件。使用任一焊料或导电环氧树脂是可能的。
回流后的焊料厚度应为50μm的典型[2密耳]和横向
封装和母板之间的对准，应在50微米[2-
密耳。读者应注意，以获得在整个一个很好的和可靠的接触
键盘区域。空隙或其它不当的连接，特别是地面之间
母板和封装的焊盘将导致的射频性能的劣化
和散热。后者的效果可大幅降低可靠性和寿命
的产物。
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24-26GHz高功率放大器
CHA5093TCF
RF端口包括在码片级的DC阻塞电容器。直流连接
包括直流去耦电容（一般120pF ）在包的第一级。
然而，所有的DC偏置端口应该还连接到地面的10nF
在板级电容，以防止MMIC的振荡。这些部件应
被放置在靠近SMD无铅封装。如果相同的偏压时需要
不同的DC端口，线路，仅可连接后面这些块的电容器。
上的SMD无铅封装应用的砷化镓的更多信息
单片微波集成电路中给出了UMS应用笔记AN0005 。
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