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CHA5051-QDG
符合RoHS
7-16GHz中功率放大器
GaAs单片微波集成电路的封装SMD
描述
该CHA5051 - QDG是一种高增益三
舞台单片中功率放大器。
它被设计用于大范围的
应用，从军事到商业
通信系统。
该电路具有的pHEMT制
过程中， 0.15μm的栅极长度，导通孔
通过衬底。
它是无铅SMD封装提供
主要特点
■
宽带性能7-16GHz
■
25分贝增益& 3.2分贝噪声系数
■
RF端口的ESD保护（见第8页）
■
25dBm的输出功率@ 1dB压缩
■
直流功耗， 310毫安@ 4.5V
■
24LQFN4x4
典型的板尺寸
主要特点
TAMB 。 = 25° Vd的= 4.5V
C,
符号
FOP
G
NF
P1dB
Id
参数
工作频率范围
小信号增益
噪声系数
在1分贝增益压缩输出功率
偏置电流
民
7
典型值
最大
16
单位
GHz的
dB
dB
DBM
mA
25
3.2
25
310
ESD保护：静电放电敏感器件。观察处理注意事项！
参考文献。 ： DSCHA5051 - QDG7152 - 07年6月1日
1/10
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
联合单片半导体S.A.S.
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CHA5051-QDG
电气特性
7-16GHz中功率放大器
TAMB = 25 ° VD = 4.5V和Id = 310毫安
C,
这些值代表了在船上测量的图纸上定义
96270B
符号
FOP
G
P1dB
P03
NF
VSWRin
参数
工作频率范围
小信号增益
脉冲输出功率在1dB压缩
输出功率3分贝增益压缩
噪声系数
输入VSWR
民
7
典型值
最大
16
单位
GHz的
dB
DBM
DBM
dB
25
25
26
3.2
2.0:1
2.0:1
32
29
4.5
310
VSWRout输出VSWR
IP3
输出IP3
7 12GHz的
13日至16 GHz的
Vd
Id
直流电压
偏置电流
DBM
V
mA
绝对最大额定值
环境温度Tamb = 25 ° （1）
C
符号
Vd
Id
Vg
针
Tj
顶部
TSTG
参数
最大漏极偏置电压
电源静态电流
栅极偏置电压
最大输入功率过载（ 2 ）
最大信道温度（3）
工作温度范围
存储温度范围
值
+5
390
-2至+0.4
+10
+175
-40至+80
-55到+125
单位
V
mA
V
DBM
°
C
°
C
°
C
（ 1 ）本设备上面这些参数中的任何一个操作可能会造成永久性的损害。
（2 ）持续< 1秒。
（ 3 ）热电阻通道地面桨= 67.6 °
= + 80 ° C / W的Tpaddle 。
C
参考文献。 ： DSCHA5051 - QDG7152 - 07年6月1日
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特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
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7-16GHz中功率放大器
典型的实测性能
CHA5051-QDG
在船上测量
TAMB = + 25 ° VD = + 4.5V n = 310毫安
C,
测量在所述连接器接入架，使用所提出的
土地格局&板96270B
的S参数与频率
30
25
20
S参量（ dB）的
15
10
5
0
-5
-10
-15
-20
-25
-30
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
26
频率（GHz ）
S11
S22
S21
噪声系数随频率（分贝）
10
9
8
7
NF（ dB）的
6
5
4
3
2
1
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
频率（GHz ）
参考文献。 ： DSCHA5051 - QDG7152 - 07年6月1日
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CHA5051-QDG
7-16GHz中功率放大器
参考文献。 ： DSCHA5051 - QDG7152 - 07年6月1日
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CHA5051-QDG
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