CHA5010b
X波段驱动放大器
GaAs单片微波IC
描述
这CHA5010b是一个两阶段的单片
驱动放大器。
该电路具有一个制
标准MESFET制程：通孔
穿过衬底，空气桥和
电子束光刻门。
它是在芯片的形式提供。
Vg
Vd
主要特点
宽带性能： 9-10.5GHz
27dBm的输出功率
（脉冲测定值， -1dB增益压缩）
15dB增益的雪
±
1.5分贝增益平坦度
芯片尺寸： 2,09 X 1.27 X 0.10毫米
IN
OUT
主要特点
TAMB 。 = 25°C
符号
FOP
G
噘
参数
工作频率范围
小信号增益
输出功率
（脉冲测定值，引脚= + 13dBm的）
民
9
14
26
15
27
典型值
最大
10.5
单位
GHz的
dB
DBM
ESD保护：静电放电敏感器件。观察处理注意事项！
参考文献。 ： DSCHA50100096 - 05 -APR- 00
1/4
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
联合单片半导体S.A.S.
路线Départementale 128 - BP46 - 91401奥赛Cedex法国
电话： ： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 08 - 传真： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 09
CHA5010b
电气特性
TAMB = + 25 ° C， VD = 8V ， V G = -1.5V
符号
FOP
G
G
P1db
PAE
VSWRin
Id
X波段驱动放大器
(1)
参数
工作频率范围
小信号增益@针= + 5dBm的
小信号增益平坦度
脉冲输出功率@脚= + 13dBm的
功率附加效率饱和
输入电压驻波比（2）
偏置电流
民
9
14
典型值
最大
10.5
单位
GHz的
dB
dB
DBM
%
15
±
1.5
26
27
15
2.0:1
520
mA
（1）这些值代表了在片制成，没有脉冲测量
接合线在RF端口。
（ 2 ） VD = 3.5V ， V G = -1.5V ， [S]参数测量。
绝对最大额定值
(1)
TAMB = + 25°C
符号
Vd
PDISS
Vg
针
Ta
TSTG
参数
正电源电压
最大功率耗散
负电源电压
最大峰值输入功率过载（ 2 ）
工作温度范围
存储温度范围
值
+10
7.0 @ TA = + 25℃
4.3 @ TA = + 70℃
-3.5到0
+20
-25至+70
-55到+125
单位
V
W
V
DBM
°C
°C
（ 1 ）本设备上面这些paramaters中的任何一个操作可能会造成永久性的损害。
（2 ）持续< 1秒。
参考文献。 ： DSCHA50100096 - 05 -APR- 00
2/4
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
路线Départementale 128 ， BP46 - 91401 Cedex的ORSAY - 法国
电话： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 08 - 传真： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 09
X波段驱动放大器
典型的晶圆散射参数
TAMB = + 25 ° C，偏置条件： VD = + 3.5V ， V G = -1.5V
频率。
GHz的
2.00
2.50
3.00
3.50
4.00
4.50
5.00
5.50
6.00
6.50
7.00
7.50
8.00
8.50
9.00
9.50
10.00
10.50
11.00
11.50
12.00
12.50
13.00
13.50
14.00
14.50
15.00
15.50
16.00
16.50
17.00
17.50
18.00
CHA5010b
S11
dB
-5.35
-3.66
-2.44
-1.64
-1.23
-1.14
-1.35
-1.85
-2.76
-4.02
-5.77
-9.90
-30.64
-16.21
-17.14
-16.15
-14.23
-14.32
-12.68
-9.50
-7.26
-5.60
-4.23
-3.17
-2.32
-1.69
-1.28
-0.91
-0.69
-0.54
-0.43
-0.40
-0.38
S11
/
°
-109.2
-124.6
-139.2
-153.7
-168.0
178.2
164.6
150.7
136.2
121.9
103.0
70.0
-156.2
158.2
154.5
161.7
140.0
79.1
-4.8
-53.5
-78.7
-94.5
-106.5
-117.0
-126.3
-134.9
-142.7
-149.7
-155.9
-161.7
-166.8
-171.6
-175.6
S12
dB
-55.93
-49.08
-55.27
-65.52
-65.41
-66.55
-62.69
-63.21
-61.27
-52.79
-45.72
-38.39
-33.93
-34.35
-34.69
-34.10
-32.64
-32.41
-34.15
-37.14
-40.31
-43.56
-46.48
-49.61
-51.81
-54.83
-59.52
-62.73
-61.49
-68.06
-58.31
-58.30
-63.76
S12
/
°
-22.8
-104.8
146.9
-164.9
174.6
111.1
58.7
17.3
25.1
-30.6
-76.9
-139.7
139.3
72.7
26.2
-15.8
-63.2
-118.3
-174.5
140.8
103.6
69.4
44.1
13.0
-18.7
-53.3
-66.4
-147.8
170.2
127.7
125.2
126.4
97.9
S21
dB
-17.94
-12.92
-22.15
-32.08
-41.95
-55.23
-41.77
-24.61
-7.89
0.85
6.90
13.60
17.69
16.58
15.54
15.56
16.05
15.80
13.21
9.36
5.50
1.81
-1.77
-5.36
-8.95
-12.57
-16.24
-19.95
-24.09
-28.46
-33.59
-38.98
-45.29
S21
/
°
61.1
-13.8
-111.5
-148.9
173.3
170.7
-130.7
-130.4
177.7
102.2
45.0
-16.2
-100.9
-171.5
138.6
93.0
42.9
-15.8
-75.2
-123.9
-164.3
159.5
125.7
93.8
63.3
33.7
4.8
-24.0
-53.2
-82.7
-109.6
-136.5
-159.7
S22
dB
-0.89
-5.12
-1.14
-0.66
-0.79
-1.10
-1.69
-2.70
-4.52
-7.17
-9.17
-6.75
-7.63
-17.46
-10.44
-6.80
-5.52
-6.78
-9.67
-8.56
-6.54
-5.09
-4.02
-3.23
-2.58
-2.06
-1.66
-1.34
-1.07
-0.85
-0.69
-0.56
-0.45
S22
/
°
-113.5
-132.4
-127.3
-148.8
-166.6
175.7
157.1
135.3
107.9
70.7
6.2
-76.9
-155.2
-143.4
-121.2
-145.7
177.5
121.5
41.0
-26.9
-61.6
-81.6
-95.5
-105.9
-114.3
-121.6
-128.1
-134.2
-139.8
-145.0
-149.6
-154.0
-157.7
参考文献。 ： DSCHA50100096 - 05 -APR- 00
3/4
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
路线Départementale 128 ， BP46 - 91401 Cedex的ORSAY - 法国
电话： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 08 - 传真： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 09
CHA5010b
芯片机械数据
X波段驱动放大器
74
426
990
456
74
GND
1120
Vg1
Vd
1270
±
35
IN
450
OUT
355
2090
±
35
UMS
所有尺寸都在微米
垫： 100微米X 100微米
厚度： 100微米
±
10m
订购信息
芯片形式
:
CHA5010b99F/00
提供的资料被认为是准确和可靠。但
联合单片半导体
S.A.S.
对使用这些信息的后果也不对任何侵权行为概不负责
第三方专利或可能导致其使用的其他权利。没有获发牌照以暗示或
否则，下的任何专利或专利权
联合单片半导体S.A.S ..
特定网络阳离子
本出版物中提到如有变更，恕不另行通知。本出版物取代并替换所有
以前提供的信息。
联合单片半导体S.A.S.
产品未被授权的
使用生命支持设备或系统的关键部件未经明确的书面批准
UNITED
单片半导体S.A.S.
参考文献。 ： DSCHA50100096 - 05 -APR- 00
4/4
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
路线Départementale 128 ， BP46 - 91401 Cedex的ORSAY - 法国
电话： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 08 - 传真： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 09
CHA5010b
X波段驱动放大器
GaAs单片微波IC
描述
这CHA5010b是一个两阶段的单片
驱动放大器。
该电路具有一个制
标准MESFET制程：通孔
穿过衬底，空气桥和
电子束光刻门。
它是在芯片的形式提供。
Vg
Vd
主要特点
宽带性能： 9-10.5GHz
27dBm的输出功率
（脉冲测定值， -1dB增益压缩）
15dB增益的雪
±
1.5分贝增益平坦度
芯片尺寸： 2,09 X 1.27 X 0.10毫米
IN
OUT
主要特点
TAMB 。 = 25°C
符号
FOP
G
噘
参数
工作频率范围
小信号增益
输出功率
（脉冲测定值，引脚= + 13dBm的）
民
9
14
26
15
27
典型值
最大
10.5
单位
GHz的
dB
DBM
ESD保护：静电放电敏感器件。观察处理注意事项！
参考文献。 ： DSCHA50100096 - 05 -APR- 00
1/4
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
联合单片半导体S.A.S.
路线Départementale 128 - BP46 - 91401奥赛Cedex法国
电话： ： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 08 - 传真： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 09
CHA5010b
电气特性
TAMB = + 25 ° C， VD = 8V ， V G = -1.5V
符号
FOP
G
G
P1db
PAE
VSWRin
Id
X波段驱动放大器
(1)
参数
工作频率范围
小信号增益@针= + 5dBm的
小信号增益平坦度
脉冲输出功率@脚= + 13dBm的
功率附加效率饱和
输入电压驻波比（2）
偏置电流
民
9
14
典型值
最大
10.5
单位
GHz的
dB
dB
DBM
%
15
±
1.5
26
27
15
2.0:1
520
mA
（1）这些值代表了在片制成，没有脉冲测量
接合线在RF端口。
（ 2 ） VD = 3.5V ， V G = -1.5V ， [S]参数测量。
绝对最大额定值
(1)
TAMB = + 25°C
符号
Vd
PDISS
Vg
针
Ta
TSTG
参数
正电源电压
最大功率耗散
负电源电压
最大峰值输入功率过载（ 2 ）
工作温度范围
存储温度范围
值
+10
7.0 @ TA = + 25℃
4.3 @ TA = + 70℃
-3.5到0
+20
-25至+70
-55到+125
单位
V
W
V
DBM
°C
°C
（ 1 ）本设备上面这些paramaters中的任何一个操作可能会造成永久性的损害。
（2 ）持续< 1秒。
参考文献。 ： DSCHA50100096 - 05 -APR- 00
2/4
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
路线Départementale 128 ， BP46 - 91401 Cedex的ORSAY - 法国
电话： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 08 - 传真： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 09
X波段驱动放大器
典型的晶圆散射参数
TAMB = + 25 ° C，偏置条件： VD = + 3.5V ， V G = -1.5V
频率。
GHz的
2.00
2.50
3.00
3.50
4.00
4.50
5.00
5.50
6.00
6.50
7.00
7.50
8.00
8.50
9.00
9.50
10.00
10.50
11.00
11.50
12.00
12.50
13.00
13.50
14.00
14.50
15.00
15.50
16.00
16.50
17.00
17.50
18.00
CHA5010b
S11
dB
-5.35
-3.66
-2.44
-1.64
-1.23
-1.14
-1.35
-1.85
-2.76
-4.02
-5.77
-9.90
-30.64
-16.21
-17.14
-16.15
-14.23
-14.32
-12.68
-9.50
-7.26
-5.60
-4.23
-3.17
-2.32
-1.69
-1.28
-0.91
-0.69
-0.54
-0.43
-0.40
-0.38
S11
/
°
-109.2
-124.6
-139.2
-153.7
-168.0
178.2
164.6
150.7
136.2
121.9
103.0
70.0
-156.2
158.2
154.5
161.7
140.0
79.1
-4.8
-53.5
-78.7
-94.5
-106.5
-117.0
-126.3
-134.9
-142.7
-149.7
-155.9
-161.7
-166.8
-171.6
-175.6
S12
dB
-55.93
-49.08
-55.27
-65.52
-65.41
-66.55
-62.69
-63.21
-61.27
-52.79
-45.72
-38.39
-33.93
-34.35
-34.69
-34.10
-32.64
-32.41
-34.15
-37.14
-40.31
-43.56
-46.48
-49.61
-51.81
-54.83
-59.52
-62.73
-61.49
-68.06
-58.31
-58.30
-63.76
S12
/
°
-22.8
-104.8
146.9
-164.9
174.6
111.1
58.7
17.3
25.1
-30.6
-76.9
-139.7
139.3
72.7
26.2
-15.8
-63.2
-118.3
-174.5
140.8
103.6
69.4
44.1
13.0
-18.7
-53.3
-66.4
-147.8
170.2
127.7
125.2
126.4
97.9
S21
dB
-17.94
-12.92
-22.15
-32.08
-41.95
-55.23
-41.77
-24.61
-7.89
0.85
6.90
13.60
17.69
16.58
15.54
15.56
16.05
15.80
13.21
9.36
5.50
1.81
-1.77
-5.36
-8.95
-12.57
-16.24
-19.95
-24.09
-28.46
-33.59
-38.98
-45.29
S21
/
°
61.1
-13.8
-111.5
-148.9
173.3
170.7
-130.7
-130.4
177.7
102.2
45.0
-16.2
-100.9
-171.5
138.6
93.0
42.9
-15.8
-75.2
-123.9
-164.3
159.5
125.7
93.8
63.3
33.7
4.8
-24.0
-53.2
-82.7
-109.6
-136.5
-159.7
S22
dB
-0.89
-5.12
-1.14
-0.66
-0.79
-1.10
-1.69
-2.70
-4.52
-7.17
-9.17
-6.75
-7.63
-17.46
-10.44
-6.80
-5.52
-6.78
-9.67
-8.56
-6.54
-5.09
-4.02
-3.23
-2.58
-2.06
-1.66
-1.34
-1.07
-0.85
-0.69
-0.56
-0.45
S22
/
°
-113.5
-132.4
-127.3
-148.8
-166.6
175.7
157.1
135.3
107.9
70.7
6.2
-76.9
-155.2
-143.4
-121.2
-145.7
177.5
121.5
41.0
-26.9
-61.6
-81.6
-95.5
-105.9
-114.3
-121.6
-128.1
-134.2
-139.8
-145.0
-149.6
-154.0
-157.7
参考文献。 ： DSCHA50100096 - 05 -APR- 00
3/4
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
路线Départementale 128 ， BP46 - 91401 Cedex的ORSAY - 法国
电话： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 08 - 传真： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 09
CHA5010b
芯片机械数据
X波段驱动放大器
74
426
990
456
74
GND
1120
Vg1
Vd
1270
±
35
IN
450
OUT
355
2090
±
35
UMS
所有尺寸都在微米
垫： 100微米X 100微米
厚度： 100微米
±
10m
订购信息
芯片形式
:
CHA5010b99F/00
提供的资料被认为是准确和可靠。但
联合单片半导体
S.A.S.
对使用这些信息的后果也不对任何侵权行为概不负责
第三方专利或可能导致其使用的其他权利。没有获发牌照以暗示或
否则，下的任何专利或专利权
联合单片半导体S.A.S ..
特定网络阳离子
本出版物中提到如有变更，恕不另行通知。本出版物取代并替换所有
以前提供的信息。
联合单片半导体S.A.S.
产品未被授权的
使用生命支持设备或系统的关键部件未经明确的书面批准
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单片半导体S.A.S.
参考文献。 ： DSCHA50100096 - 05 -APR- 00
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