CHA3092RBF
20-33GHz中功率放大器
GaAs单片微波集成电路的SMD无铅封装
描述
单片微波集成电路（ MMIC）中的
包是一个高增益宽带四
舞台单片中功率放大器。它
被设计用于广泛的应用范围，
从军事到商业通信
系统。该电路具有一个制
标准PM- HEMT工艺： 0.25微米门
长度，通过穿过基板，空气孔
桥梁和电子束光刻门。
它是在一个新的SMD无引线芯片供给
载体。
主要特点
■
宽带绩效： 20-33GHz
■
增益= 20分贝（典型值）
■
输出功率（P
-1dB
） ： 19dBm （典型值）
■
回波损耗< -6dB
■
低DC功耗， 300毫安
■
SMD无铅封装
■
尺寸： 5.08 X 5.08 X 0.97毫米
3
SMD封装尺寸
"Please注意， PIN 1位于包（正面视图）的左下角从美国半导体单片全贴片式封装。
它是通过在包盖的三角形表示。与PIN 1其他片开始逆时针（前视图）的编号。注意：在点
包装（有金属片即侧）的背面只是为了制造目的，不表明PIN的位置
参考文献。 ： DSCHA3092RBF2057 -26 -二月-01-
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联合单片半导体S.A.S.
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CHA3092RBF
20-30GHz中功率放大器
概要
典型的偏置条件
为+ 25 ° C的环境温度
符号
Vd
Vg1,2,3,4
国际直拨电话
PIN号
7
1&2
7
漏偏置电压
第一&秒阶段的栅极偏置电压
漏电流
参数
值
3.5
-0.2
300
单位
V
V
mA
所有其他引脚不用于该设备。
绝对最大额定值
TAMB 。 = 25 ° C（ 1 ）
符号
VDS
IDS
VGS
VDG
针
Ta
TSTG
(1)
(2)
(3)
(4)
参数
漏极偏压voltage_small信号（2）
漏极偏置current_small信号
栅极偏置电压
负栅极漏极电压（ = VDS - VGS）
最大连续输入功率（ 2 ）
最大峰值输入功率过载（ 3 ）
工作温度范围（ 4）
存储温度范围
值
4.0
400
-2至+0.4
+5
+4
+15
-40至+85
-55 155
单位
V
mA
V
V
DBM
DBM
°C
°C
该设备上面这些参数中的任何一个操作可能会造成永久性的损害。
3.5V推荐了一个最大3dB的增益压缩。
持续< 1秒。
温度上限很大程度上取决于主板的设计;评级定为
理想的热耦合
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20-30GHz中功率放大器
VD = 3.5V ，编号调整为300毫安
获得&回波损耗
25
20
15
10
线性增益（dB ）
5
0
-5
-10
-15
-20
18
20
22
24
26
频率（GHz ）
28
输入回波损耗（dB ）
CHA3092RBF
在PCB上的典型结果（推荐主板布局）
输出回波损耗（dB ）
30
32
34
增益与输出功率
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
10
3
4
5
6
7
8
9
10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
的Pout （ dBm的）
22GHz
28GHz
34GHz
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20-30GHz中功率放大器
输出功率与增益压缩
25
23
21
19
输出功率（dBm ）
17
15
13
11
9
7
5
3
-1
0
1
2
3
4
5
6
增益压缩（分贝）
22GHz
28GHz
34GHz
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20-30GHz中功率放大器
脚印
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