CHA2157
55-60GHz低噪声/中等功率放大器
GaAs单片微波IC
描述
该CHA2157是一个两级低噪声和
中等功率放大器。它是专为
广泛的应用范围，从军事到
广告
通讯
系统。该
芯片的背面是两个RF和DC场。
这有助于简化组装过程。
该电路具有的HEMT制造
过程中， 0.15μm的栅极长度，经由通孔
基板，空气桥和电子束
栅光刻技术。
它是在芯片的形式提供。
增益& RLoss （ dB）的
主要特点
3.5分贝噪声系数
10分贝
±
1分贝增益
15 dBm的输出功率（ -1dB增益补偿）。
直流功耗， 80毫安@ 3.3V
芯片尺寸： 1.71 X 1.04 X 0.10毫米
15
10
5
0
-5
-10
-15
-20
55
56
收益
S11
S22
57
58
59
60
频率（GHz ）
典型的晶圆上测量
主要特点
TAMB 。 = 25°C
符号
FOP
G
NF
P1dB
Id
参数
工作频率范围
小信号增益
噪声系数
在1分贝增益压缩输出功率
偏置电流
民
55
8
典型值
最大
60
单位
GHz的
dB
dB
DBM
10
3.5
12
4.5
13
15
80
150
mA
ESD保护：静电放电敏感器件。观察处理注意事项！
参考文献。 ： DSCHA21579090
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
1/6
联合单片半导体S.A.S.
路线Départementale 128 - BP46 - 91401奥赛Cedex法国
电话： ： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 08 - 传真： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 09
CHA2157
TAMB = + 25 ° C， VD = 3.3V
符号
FOP
G
G
Is
NF
P1dB
VSWRin
55-60GHz低噪声放大器
电气特性的宽带运营
参数
工作频率范围（1）
小信号增益（ 1 ）
小信号增益平坦度（ 1 ）
反向隔离（ 1 ）
噪声系数
在1dB压缩CW输出功率（ 1 ）
输入电压驻波比（1）
13
20
民
55
8
典型值
最大
60
单位
GHz的
dB
dB
dB
10
±1.0
25
3.5
15
3.0:1
3.0:1
3.3
80
12
±2.0
4.5
dB
DBM
6.0:1
6.0:1
3.8
150
V
mA
VSWRout输出VSWR （ 1 ）
Vd
Id
直流电压
偏置电流
（ 1 ）这些值代表都提出，没有CW晶圆上测量
接合线在RF端口。
通常为0.1 0.15 nH的导线键将改善输入和输出匹配。
绝对最大额定值
TAMB 。 = 25 ° C（ 1 ）
符号
Vd
Id
Vg
针
Ta
TSTG
参数
漏偏置电压
漏极偏置电流
栅极偏置电压
最大峰值输入功率过载（ 2 ）
工作温度范围
存储温度范围
值
4.0
150
-2.0到+0.4
待定
-40至+85
-55 155
单位
V
mA
V
°C
°C
（ 1 ）本设备上面这些参数中的任何一个操作可能会造成永久性的损害。
（2 ）持续< 1秒。
参考文献。 ： DSCHA21579090
2/6
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
路线Départementale 128 ， BP46 - 91401 Cedex的ORSAY - 法国
电话： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 08 - 传真： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 09
55-60GHz低噪声放大器
典型的晶圆散射参数
偏置条件： VD = + 3.3V ， VG1 = VG2有n = 80毫安
F（千兆赫）
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
50
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
S11
dB
-6,19
-6,01
-5,78
-5,57
-5,32
-5,04
-4,8
-4,5
-4,32
-4,06
-3,83
-3,65
-3,56
-3,42
-3,33
-3,32
-3,35
-3,47
-3,69
-4,05
-4,58
-5,45
-6,88
-9,34
-13,51
-21,64
-13,04
-7,18
-4,19
-2,48
-1,56
-1,13
-0,93
-1,23
-2,14
-3,09
-4,76
-6,29
-7,54
-7,99
-7,63
-6,75
-5,78
-4,75
-4,31
-4,01
S11
度
168,5
163,4
158,3
152,8
148,7
142,7
137,4
131,6
125,4
119,8
113,1
106,5
99,7
93,1
85,6
78,1
70,4
62,2
53,6
44,7
35
24,5
13,9
3,7
-1,3
49,9
95,8
87,7
70,7
53,6
37,1
22
6
-8,5
-22
-34,3
-42,4
-45,5
-46,3
-42,1
-39
-39,3
-43,8
-51,4
-63,3
-71,9
S12
dB
-53,85
-53,05
-55,51
-63,53
-49,37
-51,91
-51,32
-52,83
-50,9
-49,33
-49,97
-49,38
-47,44
-45,59
-46,24
-43,98
-42,56
-41,07
-40,29
-40,08
-40,8
-41,16
-41,12
-42,27
-41,21
-41,07
-47,32
-50,87
-42,36
-38,05
-35,54
-34,48
-32,16
-28,67
-28,47
-29,18
-29,48
-27,33
-27,27
-27,59
-27,52
-27,7
-26,84
-26,96
-26,49
-26,42
S12
度
104,2
83,1
61,9
136,7
58,7
58,7
48,4
40,4
67
39,6
36,3
37,1
39,9
23,7
25
12,4
2
-12,4
-28,3
-46,4
-63,2
-70,6
-84,2
-89,6
-108,8
-130,8
-151,5
-74,5
-79,2
-96,4
-113,9
-122,1
-127,2
-156,4
176,8
157,7
147,1
127,2
99,4
81,8
64,5
50,7
38,4
22,3
4,2
-10,1
3/6
S21
dB
-4,75
-5,02
-5,8
-6,59
-6,68
-7,14
-7,51
-8,77
-9,37
-9,09
-10,11
-11,13
-11,39
-10,79
-9,24
-7,26
-5,66
-5,35
-5,21
-5,56
-5,61
-4,92
-3,29
-1,05
1,77
4,18
5,47
7,16
8,35
9,2
9,96
10,55
11,32
11,99
12,18
12,1
11,94
11,65
11,31
10,87
10,44
10
9,64
9,39
9,1
8,56
S21
度
-110,1
-126
-141,7
-154,4
-164,3
-174
172,8
162,3
162,4
150,7
142,7
139,8
143,2
145,5
145,2
139,8
125,3
110,7
98,9
91,8
88,6
89,3
88
83,8
74,4
55,5
38,5
20,8
-0,2
-19,7
-39,3
-58,1
-77
-98
-121
-142,7
-163,6
176,6
156,8
137,9
119,9
102,2
84,8
67,5
46,8
30,1
CHA2157
S22
dB
-2,94
-3,07
-3,32
-3,34
-3,7
-4,2
-4,71
-5,05
-5,33
-6,14
-6,85
-7,43
-7,66
-7,83
-7,15
-5,72
-4,07
-2,81
-2,13
-1,91
-1,95
-2,12
-2,3
-2,51
-2,7
-3,22
-3,59
-4,06
-4,88
-5,68
-6,66
-7,73
-9,16
-10,87
-11,61
-11,33
-10,87
-10,03
-9,34
-8,91
-8,6
-8,49
-8,27
-8,12
-8,13
-7,89
S22
度
146,8
142,5
138,2
134,5
127,7
123,4
120,3
118
114
111,7
111,1
113,4
116,1
120,6
127,2
129,5
126,3
117,8
107,8
97,8
88,9
80,9
73,4
66,2
58,2
50,2
43,3
34,9
26,9
20
12,8
6,5
0,1
0,2
6,6
7,5
5,3
2,7
-6,2
-16,1
-27
-37,5
-48,9
-59,8
-69,7
-80,5
参考文献。 ： DSCHA21579090
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
路线Départementale 128 ， BP46 - 91401 Cedex的ORSAY - 法国
电话： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 08 - 传真： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 09
CHA2157
典型的晶圆上测量
55-60GHz低噪声放大器
偏置条件：Tamb = + 25 ° C， VD = 3.3V ， VG1 = VG2有n = 80毫安
增益& RLoss （ dB）的
15
10
5
0
-5
-10
-15
-20
0
10
20
30
40
50
60
收益
增益& RLoss （ dB）的
15
10
5
0
-5
收益
S11
S11
-10
S22
S22
-15
-20
55
56
57
58
59
60
频率（GHz ）
频率（GHz ）
典型的封装尺寸
偏置条件：Tamb = + 25 ° C， VD = 3.3V ， VG1 = VG2有n = 80毫安
增益& RLoss （ dB）的
增益& NF（ dB）的
15
10
5
0
-5
-10
-15
-20
50
52
54
56
58
60
收益
S11
S22
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
50
52
54
收益
NF
56
58
60
频率（GHz ）
频率（GHz ）
参考文献。 ： DSCHA21579090
4/6
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
路线Départementale 128 ， BP46 - 91401 Cedex的ORSAY - 法国
电话： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 08 - 传真： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 09
55-60GHz低噪声放大器
芯片组装和机械数据
CHA2157
注：供应饲料应电容旁路。 25微米直径的金线将被优先。
焊盘位置。
（芯片厚度： 100μm的所有尺寸都在微米）
参考文献。 ： DSCHA21579090
5/6
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
路线Départementale 128 ， BP46 - 91401 Cedex的ORSAY - 法国
电话： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 08 - 传真： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 09
CHA2157
符合RoHS
55-60GHz低噪声/中等功率放大器
GaAs单片微波IC
描述
该CHA2157是一个两级低噪声和
中等功率放大器。它是专为
广泛的应用范围，从军事到
广告
通讯
系统。该
芯片的背面是两个RF和DC
接地。这有助于简化组装
流程。
该电路具有的HEMT制造
过程中， 0.15μm的栅极长度，经由通孔
基板，空气桥和电子束
栅光刻技术。
它是在芯片的形式提供。
增益& RLoss （ dB）的
15
10
5
0
-5
-10
-15
-20
55
收益
S11
S22
主要特点
■
3.5分贝噪声系数
■
10分贝
±
1分贝增益
■
15 dBm的输出功率（ -1dB增益补偿）。
■
直流功耗， 80毫安@ 3.3V
■
芯片尺寸：
1.71 X 1.04 X 0.10毫米
56
57
58
59
60
频率（GHz ）
典型的晶圆上测量
主要特点
TAMB 。 = 25°
C
符号
FOP
G
NF
P1dB
Id
参数
工作频率范围
小信号增益
噪声系数
在1分贝增益压缩输出功率
偏置电流
民
55
8
典型值
10
3.5
最大
60
12
4.5
单位
GHz的
dB
dB
DBM
13
15
80
150
mA
ESD保护：静电放电敏感器件。观察处理注意事项！
参考文献。 ： DSCHA21577150 - 07年5月30日
1/6
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
联合单片半导体S.A.S.
路线Départementale 128 - BP46 - 91401奥赛Cedex法国
电话： ： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 08 - 传真： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 09
CHA2157
TAMB = + 25 ° VD = 3.3V
C,
符号
FOP
G
G
Is
NF
P1dB
VSWRin
55-60GHz低噪声放大器
电气特性的宽带运营
参数
工作频率范围（1）
小信号增益（ 1 ）
小信号增益平坦度（ 1 ）
反向隔离（ 1 ）
噪声系数
在1dB压缩CW输出功率（ 1 ）
输入电压驻波比（1）
13
20
民
55
8
典型值
最大
60
单位
GHz的
dB
dB
dB
10
±1.0
25
3.5
15
3.0:1
3.0:1
3.3
80
12
±2.0
4.5
dB
DBM
6.0:1
6.0:1
3.8
150
V
mA
VSWRout输出VSWR （ 1 ）
Vd
Id
直流电压
偏置电流
（ 1 ）这些值代表都提出，没有CW晶圆上测量
接合线在RF端口。
的典型值为0.1的导线键合到0.15nH将改善输入和输出匹配。
绝对最大额定值
TAMB 。 = 25° （1）
C
符号
Vd
Id
Vg
针
Ta
TSTG
漏极偏置电流
栅极偏置电压
最大峰值输入功率过载（ 2 ）
工作温度范围
存储温度范围
参数
漏偏置电压
值
4.0
150
-2.0到+0.4
+15
-40至+85
-55 155
单位
V
mA
V
DBM
°
C
°
C
（ 1 ）本设备上面这些参数中的任何一个操作可能会造成永久性的损害。
（2 ）持续< 1秒。
参考文献。 ： DSCHA21577150 - 07年5月30日
2/6
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
路线Départementale 128 ， BP46 - 91401 Cedex的ORSAY - 法国
电话： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 08 - 传真： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 09
55-60GHz低噪声放大器
典型的晶圆散射参数
偏置条件： VD = + 3.3V ， VG1 = VG2有n = 80毫安
F（千兆赫）
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
50
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
S11
dB
-6,19
-6,01
-5,78
-5,57
-5,32
-5,04
-4,8
-4,5
-4,32
-4,06
-3,83
-3,65
-3,56
-3,42
-3,33
-3,32
-3,35
-3,47
-3,69
-4,05
-4,58
-5,45
-6,88
-9,34
-13,51
-21,64
-13,04
-7,18
-4,19
-2,48
-1,56
-1,13
-0,93
-1,23
-2,14
-3,09
-4,76
-6,29
-7,54
-7,99
-7,63
-6,75
-5,78
-4,75
-4,31
-4,01
S11
度
168,5
163,4
158,3
152,8
148,7
142,7
137,4
131,6
125,4
119,8
113,1
106,5
99,7
93,1
85,6
78,1
70,4
62,2
53,6
44,7
35
24,5
13,9
3,7
-1,3
49,9
95,8
87,7
70,7
53,6
37,1
22
6
-8,5
-22
-34,3
-42,4
-45,5
-46,3
-42,1
-39
-39,3
-43,8
-51,4
-63,3
-71,9
S12
dB
-53,85
-53,05
-55,51
-63,53
-49,37
-51,91
-51,32
-52,83
-50,9
-49,33
-49,97
-49,38
-47,44
-45,59
-46,24
-43,98
-42,56
-41,07
-40,29
-40,08
-40,8
-41,16
-41,12
-42,27
-41,21
-41,07
-47,32
-50,87
-42,36
-38,05
-35,54
-34,48
-32,16
-28,67
-28,47
-29,18
-29,48
-27,33
-27,27
-27,59
-27,52
-27,7
-26,84
-26,96
-26,49
-26,42
S12
度
104,2
83,1
61,9
136,7
58,7
58,7
48,4
40,4
67
39,6
36,3
37,1
39,9
23,7
25
12,4
2
-12,4
-28,3
-46,4
-63,2
-70,6
-84,2
-89,6
-108,8
-130,8
-151,5
-74,5
-79,2
-96,4
-113,9
-122,1
-127,2
-156,4
176,8
157,7
147,1
127,2
99,4
81,8
64,5
50,7
38,4
22,3
4,2
-10,1
3/6
CHA2157
S21
dB
-4,75
-5,02
-5,8
-6,59
-6,68
-7,14
-7,51
-8,77
-9,37
-9,09
-10,11
-11,13
-11,39
-10,79
-9,24
-7,26
-5,66
-5,35
-5,21
-5,56
-5,61
-4,92
-3,29
-1,05
1,77
4,18
5,47
7,16
8,35
9,2
9,96
10,55
11,32
11,99
12,18
12,1
11,94
11,65
11,31
10,87
10,44
10
9,64
9,39
9,1
8,56
S21
度
-110,1
-126
-141,7
-154,4
-164,3
-174
172,8
162,3
162,4
150,7
142,7
139,8
143,2
145,5
145,2
139,8
125,3
110,7
98,9
91,8
88,6
89,3
88
83,8
74,4
55,5
38,5
20,8
-0,2
-19,7
-39,3
-58,1
-77
-98
-121
-142,7
-163,6
176,6
156,8
137,9
119,9
102,2
84,8
67,5
46,8
30,1
S22
dB
-2,94
-3,07
-3,32
-3,34
-3,7
-4,2
-4,71
-5,05
-5,33
-6,14
-6,85
-7,43
-7,66
-7,83
-7,15
-5,72
-4,07
-2,81
-2,13
-1,91
-1,95
-2,12
-2,3
-2,51
-2,7
-3,22
-3,59
-4,06
-4,88
-5,68
-6,66
-7,73
-9,16
-10,87
-11,61
-11,33
-10,87
-10,03
-9,34
-8,91
-8,6
-8,49
-8,27
-8,12
-8,13
-7,89
S22
度
146,8
142,5
138,2
134,5
127,7
123,4
120,3
118
114
111,7
111,1
113,4
116,1
120,6
127,2
129,5
126,3
117,8
107,8
97,8
88,9
80,9
73,4
66,2
58,2
50,2
43,3
34,9
26,9
20
12,8
6,5
0,1
0,2
6,6
7,5
5,3
2,7
-6,2
-16,1
-27
-37,5
-48,9
-59,8
-69,7
-80,5
参考文献。 ： DSCHA21577150 - 07年5月30日
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
路线Départementale 128 ， BP46 - 91401 Cedex的ORSAY - 法国
电话： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 08 - 传真： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 09
CHA2157
典型的晶圆上测量
55-60GHz低噪声放大器
偏置条件：Tamb = + 25 ° VD = 3.3V ， VG1 = VG2医管局已经n = 80毫安
C,
15
10
15
收益
增益& RLoss （ dB）的
10
5
0
-5
-10
增益& RLoss （ dB）的
5
0
-5
-10
-15
-20
0
10
20
30
40
50
60
收益
S11
S11
S22
-15
-20
55
56
57
58
59
60
S22
频率（GHz ）
频率（GHz ）
典型的封装尺寸
偏置条件：Tamb = + 25 ° VD = 3.3V ， VG1 = VG2医管局已经n = 80毫安
C,
15
10
0
-5
-10
-15
-20
50
52
54
56
58
60
S11
S22
增益& NF（ dB）的
5
收益
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
50
52
54
收益
增益& RLoss （ dB）的
NF
56
58
60
频率（GHz ）
频率（GHz ）
参考文献。 ： DSCHA21577150 - 07年5月30日
4/6
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
路线Départementale 128 ， BP46 - 91401 Cedex的ORSAY - 法国
电话： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 08 - 传真： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 09
55-60GHz低噪声放大器
芯片组装和机械数据
CHA2157
注：供应饲料应电容旁路。 25微米直径的金线将被优先。
焊盘位置。
（芯片厚度： 100μm的所有尺寸都在微米）
参考文献。 ： DSCHA21577150 - 07年5月30日
5/6
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
路线Départementale 128 ， BP46 - 91401 Cedex的ORSAY - 法国
电话： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 08 - 传真： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 09
CHA2157
55-60GHz低噪声/中等功率放大器
GaAs单片微波IC
描述
该CHA2157是一个两级低噪声和
中等功率放大器。它是专为
广泛的应用范围，从军事到
广告
通讯
系统。该
芯片的背面是两个RF和DC场。
这有助于简化组装过程。
该电路具有的HEMT制造
过程中， 0.15μm的栅极长度，经由通孔
基板，空气桥和电子束
栅光刻技术。
它是在芯片的形式提供。
增益& RLoss （ dB）的
主要特点
3.5分贝噪声系数
10分贝
±
1分贝增益
15 dBm的输出功率（ -1dB增益补偿）。
直流功耗， 80毫安@ 3.3V
芯片尺寸： 1.71 X 1.04 X 0.10毫米
15
10
5
0
-5
-10
-15
-20
55
56
收益
S11
S22
57
58
59
60
频率（GHz ）
典型的晶圆上测量
主要特点
TAMB 。 = 25°C
符号
FOP
G
NF
P1dB
Id
参数
工作频率范围
小信号增益
噪声系数
在1分贝增益压缩输出功率
偏置电流
民
55
8
典型值
最大
60
单位
GHz的
dB
dB
DBM
10
3.5
12
4.5
13
15
80
150
mA
ESD保护：静电放电敏感器件。观察处理注意事项！
参考文献。 ： DSCHA21579090
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
1/6
联合单片半导体S.A.S.
路线Départementale 128 - BP46 - 91401奥赛Cedex法国
电话： ： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 08 - 传真： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 09
CHA2157
TAMB = + 25 ° C， VD = 3.3V
符号
FOP
G
G
Is
NF
P1dB
VSWRin
55-60GHz低噪声放大器
电气特性的宽带运营
参数
工作频率范围（1）
小信号增益（ 1 ）
小信号增益平坦度（ 1 ）
反向隔离（ 1 ）
噪声系数
在1dB压缩CW输出功率（ 1 ）
输入电压驻波比（1）
13
20
民
55
8
典型值
最大
60
单位
GHz的
dB
dB
dB
10
±1.0
25
3.5
15
3.0:1
3.0:1
3.3
80
12
±2.0
4.5
dB
DBM
6.0:1
6.0:1
3.8
150
V
mA
VSWRout输出VSWR （ 1 ）
Vd
Id
直流电压
偏置电流
（ 1 ）这些值代表都提出，没有CW晶圆上测量
接合线在RF端口。
通常为0.1 0.15 nH的导线键将改善输入和输出匹配。
绝对最大额定值
TAMB 。 = 25 ° C（ 1 ）
符号
Vd
Id
Vg
针
Ta
TSTG
参数
漏偏置电压
漏极偏置电流
栅极偏置电压
最大峰值输入功率过载（ 2 ）
工作温度范围
存储温度范围
值
4.0
150
-2.0到+0.4
待定
-40至+85
-55 155
单位
V
mA
V
°C
°C
（ 1 ）本设备上面这些参数中的任何一个操作可能会造成永久性的损害。
（2 ）持续< 1秒。
参考文献。 ： DSCHA21579090
2/6
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
路线Départementale 128 ， BP46 - 91401 Cedex的ORSAY - 法国
电话： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 08 - 传真： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 09
55-60GHz低噪声放大器
典型的晶圆散射参数
偏置条件： VD = + 3.3V ， VG1 = VG2有n = 80毫安
F（千兆赫）
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
50
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
S11
dB
-6,19
-6,01
-5,78
-5,57
-5,32
-5,04
-4,8
-4,5
-4,32
-4,06
-3,83
-3,65
-3,56
-3,42
-3,33
-3,32
-3,35
-3,47
-3,69
-4,05
-4,58
-5,45
-6,88
-9,34
-13,51
-21,64
-13,04
-7,18
-4,19
-2,48
-1,56
-1,13
-0,93
-1,23
-2,14
-3,09
-4,76
-6,29
-7,54
-7,99
-7,63
-6,75
-5,78
-4,75
-4,31
-4,01
S11
度
168,5
163,4
158,3
152,8
148,7
142,7
137,4
131,6
125,4
119,8
113,1
106,5
99,7
93,1
85,6
78,1
70,4
62,2
53,6
44,7
35
24,5
13,9
3,7
-1,3
49,9
95,8
87,7
70,7
53,6
37,1
22
6
-8,5
-22
-34,3
-42,4
-45,5
-46,3
-42,1
-39
-39,3
-43,8
-51,4
-63,3
-71,9
S12
dB
-53,85
-53,05
-55,51
-63,53
-49,37
-51,91
-51,32
-52,83
-50,9
-49,33
-49,97
-49,38
-47,44
-45,59
-46,24
-43,98
-42,56
-41,07
-40,29
-40,08
-40,8
-41,16
-41,12
-42,27
-41,21
-41,07
-47,32
-50,87
-42,36
-38,05
-35,54
-34,48
-32,16
-28,67
-28,47
-29,18
-29,48
-27,33
-27,27
-27,59
-27,52
-27,7
-26,84
-26,96
-26,49
-26,42
S12
度
104,2
83,1
61,9
136,7
58,7
58,7
48,4
40,4
67
39,6
36,3
37,1
39,9
23,7
25
12,4
2
-12,4
-28,3
-46,4
-63,2
-70,6
-84,2
-89,6
-108,8
-130,8
-151,5
-74,5
-79,2
-96,4
-113,9
-122,1
-127,2
-156,4
176,8
157,7
147,1
127,2
99,4
81,8
64,5
50,7
38,4
22,3
4,2
-10,1
3/6
S21
dB
-4,75
-5,02
-5,8
-6,59
-6,68
-7,14
-7,51
-8,77
-9,37
-9,09
-10,11
-11,13
-11,39
-10,79
-9,24
-7,26
-5,66
-5,35
-5,21
-5,56
-5,61
-4,92
-3,29
-1,05
1,77
4,18
5,47
7,16
8,35
9,2
9,96
10,55
11,32
11,99
12,18
12,1
11,94
11,65
11,31
10,87
10,44
10
9,64
9,39
9,1
8,56
S21
度
-110,1
-126
-141,7
-154,4
-164,3
-174
172,8
162,3
162,4
150,7
142,7
139,8
143,2
145,5
145,2
139,8
125,3
110,7
98,9
91,8
88,6
89,3
88
83,8
74,4
55,5
38,5
20,8
-0,2
-19,7
-39,3
-58,1
-77
-98
-121
-142,7
-163,6
176,6
156,8
137,9
119,9
102,2
84,8
67,5
46,8
30,1
CHA2157
S22
dB
-2,94
-3,07
-3,32
-3,34
-3,7
-4,2
-4,71
-5,05
-5,33
-6,14
-6,85
-7,43
-7,66
-7,83
-7,15
-5,72
-4,07
-2,81
-2,13
-1,91
-1,95
-2,12
-2,3
-2,51
-2,7
-3,22
-3,59
-4,06
-4,88
-5,68
-6,66
-7,73
-9,16
-10,87
-11,61
-11,33
-10,87
-10,03
-9,34
-8,91
-8,6
-8,49
-8,27
-8,12
-8,13
-7,89
S22
度
146,8
142,5
138,2
134,5
127,7
123,4
120,3
118
114
111,7
111,1
113,4
116,1
120,6
127,2
129,5
126,3
117,8
107,8
97,8
88,9
80,9
73,4
66,2
58,2
50,2
43,3
34,9
26,9
20
12,8
6,5
0,1
0,2
6,6
7,5
5,3
2,7
-6,2
-16,1
-27
-37,5
-48,9
-59,8
-69,7
-80,5
参考文献。 ： DSCHA21579090
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
路线Départementale 128 ， BP46 - 91401 Cedex的ORSAY - 法国
电话： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 08 - 传真： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 09
CHA2157
典型的晶圆上测量
55-60GHz低噪声放大器
偏置条件：Tamb = + 25 ° C， VD = 3.3V ， VG1 = VG2有n = 80毫安
增益& RLoss （ dB）的
15
10
5
0
-5
-10
-15
-20
0
10
20
30
40
50
60
收益
增益& RLoss （ dB）的
15
10
5
0
-5
收益
S11
S11
-10
S22
S22
-15
-20
55
56
57
58
59
60
频率（GHz ）
频率（GHz ）
典型的封装尺寸
偏置条件：Tamb = + 25 ° C， VD = 3.3V ， VG1 = VG2有n = 80毫安
增益& RLoss （ dB）的
增益& NF（ dB）的
15
10
5
0
-5
-10
-15
-20
50
52
54
56
58
60
收益
S11
S22
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
50
52
54
收益
NF
56
58
60
频率（GHz ）
频率（GHz ）
参考文献。 ： DSCHA21579090
4/6
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
路线Départementale 128 ， BP46 - 91401 Cedex的ORSAY - 法国
电话： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 08 - 传真： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 09
55-60GHz低噪声放大器
芯片组装和机械数据
CHA2157
注：供应饲料应电容旁路。 25微米直径的金线将被优先。
焊盘位置。
（芯片厚度： 100μm的所有尺寸都在微米）
参考文献。 ： DSCHA21579090
5/6
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
路线Départementale 128 ， BP46 - 91401 Cedex的ORSAY - 法国
电话： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 08 - 传真： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 09
QQ：2881677436 复制
