CHA2093
20-30GHz低噪声放大器
GaAs单片微波IC
描述
该CHA2093是一个两阶段的宽频带
单片低噪声放大器。
该电路与一个标准的制
HEMT工艺： 0.25微米栅长，通过
穿过衬底，空气桥孔
和电子束光刻门。
它是在芯片的形式提供。
IN
50
25
Vd
7034
OUT
VG 1
VG 2
20
增益（ dB）的
10
噪声系数（dB ）
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
10
15
20
25
30
35
40
频率（ GHz）的
主要特点
■
宽带性能20-30GHz
■
2.2分贝噪声系数， 20-30GHz
■
15dB增益的雪，
±
0.5分贝增益平坦度
■
低DC功耗为50mA
■
20dBm的三阶截取点
■
芯片尺寸： 1.67 X 1.03 X 0.1毫米
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
在晶圆典型的测量。
主要特点
TAMB = + 25°C
符号
NF
G
G
参数
噪声系数， 20-30GHz
收益
增益平坦度
13
民
典型值
2.2
15
±
0.5
±
1.0
最大
3.0
单位
dB
dB
dB
ESD保护：静电放电敏感器件观察处理注意事项！
参考文献。 ： DSCHA20939042
1/8
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
联合单片半导体S.A.S.
路线Départementale 128 - BP46 - 91401奥赛Cedex法国
电话： ： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 08 - 传真： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 09
CHA2093
电气特性
TAMB = + 25 ° C， VD = + 4V n = 45毫安
符号
FOP
G
G
NF
VSWRin
VSWRout
IP3
P1dB
Id
参数
工作频率范围
增益（1）
增益平坦度（ 1 ）
噪声图（1）
输入电压驻波比（1）
输出中VSWR （ 1 ）
3阶截取点
20-30GHz低噪声放大器
民
20
13
典型值
最大
30
单位
GHz的
dB
15
±
0.5
2.2
±
1.0
3.0
3.0:1
3.0:1
20
13
50
dB
dB
DBM
DBM
mA
在1分贝增益压缩输出功率
漏极偏置电流
（1）这些值代表了在片制成，没有测量
在RF ports.When接合线的芯片上安装有典型0.15nH输入和
输出接合线时，所指示的参数值应有所改善。
绝对最大额定值
(1)
TAMB = + 25°C
符号
Vd
针
顶部
TSTG
参数
漏偏置电压
最大峰值输入功率过载（ 2 ）
工作温度范围
存储温度范围
值
4.0
+15
-40至+85
-55到+125
单位
V
DBM
°C
°C
（ 1 ）本设备上面这些paramaters中的任何一个操作可能会造成永久性的损害。
（2 ）持续< 1秒。
参考文献。 ： DSCHA20939042
2/8
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
路线Départementale 128 ， BP46 - 91401 Cedex的ORSAY - 法国
电话： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 08 - 传真： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 09
20-30GHz低噪声放大器
典型的结果
芯片的典型响应（晶圆SIJ ） ：
TAMB = + 25°C
偏置条件： VD = + 4V n = 45毫安
CHA2093
频率
GHz的
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
MS11
dB
-1.36
-1.98
-2.93
-4.5
-6.8
-10.02
-13.47
-14.68
-13.76
-12.83
-13.51
-14.3
-14.74
-14.63
-14.15
-13.71
-13.42
-13.54
-14.43
-14.48
-12.87
-8.84
-5.55
-3.72
-2.5
-1.88
-1.52
-1.32
-1.07
-0.93
-0.82
-0.68
-0.52
-0.5
-0.41
-0.37
PS11
°
140
121.9
101.1
77.7
50.1
16.4
-30
-86
-131
-159.2
177.8
170.9
167.2
168
163.4
155.8
145.5
124.4
100.2
56.9
5.6
-37.4
-73.3
-101.3
-123.2
-141.2
-155.7
-167.5
-177.6
172.6
164.7
157.2
149.5
142
135.3
128.4
MS12
dB
-62.29
-58.39
-53.05
-49.08
-46.97
-44.52
-42.23
-40.43
-39.41
-38
-36.01
-34.99
-34.53
-34.46
-33.67
-33.27
-32.65
-32.6
-32.49
-31.69
-31.87
-31.22
-31.23
-32.96
-34.73
-35.69
-35.69
-37.95
-38.15
-43.41
-43.1
-43.1
-43.23
-44.08
-45.8
-45.05
PS12
°
-138.5
-130.1
-130.3
-146.8
-163.9
173.2
160.2
138.2
126.2
104.7
92.4
63.7
46.8
24.6
6.3
-7.6
-29.3
-51.5
-68.3
-88.8
-115.7
-140.4
-171
159.7
134.8
121.6
98
72.2
56.8
86.9
76.9
44.4
39.6
24
21
18.1
MS21
dB
4.35
7.36
9.77
11.61
12.9
13.86
14.55
15
15.36
15.69
15.79
15.96
15.98
15.84
15.75
15.6
15.55
15.46
15.48
15.48
15.24
14.69
13.43
11.43
9.01
6.2
3.35
0.36
-2.78
-6.02
-9.59
-13.6
-18.24
-24.6
-35.19
-37.14
PS21
°
51.6
27.2
0.8
-26.2
-53.2
-78.7
-103.5
-127
-149.8
-171.8
165.6
144.3
122.3
102.1
80.9
60.2
40.3
18.6
-2.8
-27.3
-53
-82.2
-112.8
-141.9
-168.7
167.5
145.9
125.7
107.4
89
71.9
55.3
40.2
27.2
30.1
126.8
MS22
dB
-16.6
-16.75
-16.67
-16.77
-17.47
-17.67
-18.06
-18.55
-18.7
-17.9
-15.62
-14.48
-13.4
-12.6
-11.67
-11.4
-11.3
-10.33
-9.98
-8.88
-7.99
-6.86
-6.35
-6.69
-7.51
-8.65
-9.92
-11.17
-12.15
-12.5
-12.27
-11.82
-10.89
-9.87
-8.91
-8.04
PS22
°
151.6
145.1
137.9
129.8
122.7
122.2
118.4
118.4
125.4
131.3
131.1
127
120.5
116.3
107.1
100.6
96.1
91.6
85.7
80.2
70.5
58.1
40.1
20.4
1.5
-17
-36.6
-56.5
-78.9
-103.1
-127.3
-148.5
-166.3
-179.6
167.4
156.2
参考文献。 ： DSCHA20939042
3/8
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
路线Départementale 128 ， BP46 - 91401 Cedex的ORSAY - 法国
电话： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 08 - 传真： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 09
CHA2093
典型的结果
芯片的典型响应（晶圆SIJ ） ：
TAMB = + 25°C
VD = 4V ; ID = 45毫安
20
15
10
增益， RLoss （ dB）的
5
DBS11
20-30GHz低噪声放大器
DBS22
收益
0
-5
-10
-15
-20
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
32
34
36
38
40
频率（ GHz）的
典型增益和晶片匹配测量。
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
增益， NF （分贝）
收益
NF
GAB
15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34
频率（ GHz）的
典型增益和噪声系数测量的晶片。
参考文献。 ： DSCHA20939042
4/8
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
路线Départementale 128 ， BP46 - 91401 Cedex的ORSAY - 法国
电话： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 08 - 传真： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 09
20-30GHz低噪声放大器
典型的结果
TAMB = + 25°C
VD = 4V ; ID = 45毫安
CHA2093
F=20GHz
输出功率（dBm ）
盖斯（分贝）
盖斯（分贝）
16
14
12
10
8
6
4
2
0
-9
-8
-7
-6
-5
-4
-3
-2
-1
0
1
2
3
4
5
输入功率（dBm ）
噘
收益
16
14
12
10
8
6
4
2
0
F=30GHz
16
输出功率（dBm ）
14
12
10
8
6
4
2
0
-3
-2
-1
0
1
2
3
4
5
6
7
输入功率（dBm ）
在测试夹具的典型输出功率和增益测量
（包括夹具的损失）
16
14
12
10
8
6
噘
收益
4
2
0
参考文献。 ： DSCHA20939042
5/8
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
路线Départementale 128 ， BP46 - 91401 Cedex的ORSAY - 法国
电话： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 08 - 传真： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 09
CHA2093
符合RoHS
20-30GHz低噪声放大器
GaAs单片微波IC
描述
该CHA2093是一个两阶段的宽频带
单片低噪声放大器。
该电路与一个标准的制
HEMT工艺： 0.25微米栅长，通过
穿过衬底，空气桥的孔和
电子束光刻门。
它是在芯片的形式提供。
IN
Vd
50
25
OUT
VG 1
VG 2
20
增益（ dB）的
10
噪声系数（dB ）
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
10
15
20
25
30
35
40
频率（ GHz）的
主要特点
宽带性能20-30GHz
2.2分贝噪声系数， 20-30GHz
15dB增益的雪，
±
0.5分贝增益平坦度
低DC功耗为50mA
20dBm的三阶截取点
芯片尺寸： 1.67× 1.03× 0.1毫米
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
在晶圆典型的测量。
主要特点
TAMB = + 25°C
符号
NF
G
G
参数
噪声系数， 20-30GHz
收益
增益平坦度
13
民
典型值
2.2
15
±
0.5
±
1.0
最大
3.0
单位
dB
dB
dB
ESD保护：静电放电敏感器件观察处理注意事项！
参考文献。 ： DSCHA20933279 - 03年10月6日
1/8
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
联合单片半导体S.A.S.
路线Départementale 128 - BP46 - 91401奥赛Cedex法国
电话： ： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 08 - 传真： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 09
CHA2093
电气特性
TAMB = + 25 ° C， VD = + 4V n = 45毫安
符号
FOP
G
G
NF
VSWRin
VSWRout
IP3
P1dB
Id
参数
工作频率范围
增益（1）
增益平坦度（ 1 ）
噪声图（1）
输入电压驻波比（1）
输出中VSWR （ 1 ）
3阶截取点
20-30GHz低噪声放大器
民
20
13
典型值
最大
30
单位
GHz的
dB
15
±
0.5
2.2
±
1.0
3.0
3.0:1
3.0:1
20
13
50
dB
dB
DBM
DBM
mA
在1分贝增益压缩输出功率
漏极偏置电流
（1）这些值代表了在片制成，没有粘合的测量
导线在RF ports.When芯片上安装有典型0.15nH的输入和输出
键合线时，所指示的参数值应有所改善。
绝对最大额定值
(1)
TAMB = + 25°C
符号
Vd
针
顶部
TSTG
参数
漏偏置电压
最大峰值输入功率过载（ 2 ）
工作温度范围
存储温度范围
值
5.0
+10
-40至+85
-55到+125
单位
V
DBM
°C
°C
（ 1 ）本设备上面这些paramaters中的任何一个操作可能会造成永久性的损害。
（2 ）持续< 1秒。
参考文献。 ： DSCHA20933279 - 03年10月6日
2/8
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
路线Départementale 128 ， BP46 - 91401 Cedex的ORSAY - 法国
电话： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 08 - 传真： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 09
20-30GHz低噪声放大器
典型的结果
芯片的典型响应（晶圆SIJ ） ：
TAMB = + 25°C
偏置条件： VD = + 4V n = 45毫安
CHA2093
频率
GHz的
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
MS11
dB
-1.36
-1.98
-2.93
-4.5
-6.8
-10.02
-13.47
-14.68
-13.76
-12.83
-13.51
-14.3
-14.74
-14.63
-14.15
-13.71
-13.42
-13.54
-14.43
-14.48
-12.87
-8.84
-5.55
-3.72
-2.5
-1.88
-1.52
-1.32
-1.07
-0.93
-0.82
-0.68
-0.52
-0.5
-0.41
-0.37
PS11
°
140
121.9
101.1
77.7
50.1
16.4
-30
-86
-131
-159.2
177.8
170.9
167.2
168
163.4
155.8
145.5
124.4
100.2
56.9
5.6
-37.4
-73.3
-101.3
-123.2
-141.2
-155.7
-167.5
-177.6
172.6
164.7
157.2
149.5
142
135.3
128.4
MS12
dB
-62.29
-58.39
-53.05
-49.08
-46.97
-44.52
-42.23
-40.43
-39.41
-38
-36.01
-34.99
-34.53
-34.46
-33.67
-33.27
-32.65
-32.6
-32.49
-31.69
-31.87
-31.22
-31.23
-32.96
-34.73
-35.69
-35.69
-37.95
-38.15
-43.41
-43.1
-43.1
-43.23
-44.08
-45.8
-45.05
PS12
°
-138.5
-130.1
-130.3
-146.8
-163.9
173.2
160.2
138.2
126.2
104.7
92.4
63.7
46.8
24.6
6.3
-7.6
-29.3
-51.5
-68.3
-88.8
-115.7
-140.4
-171
159.7
134.8
121.6
98
72.2
56.8
86.9
76.9
44.4
39.6
24
21
18.1
MS21
dB
4.35
7.36
9.77
11.61
12.9
13.86
14.55
15
15.36
15.69
15.79
15.96
15.98
15.84
15.75
15.6
15.55
15.46
15.48
15.48
15.24
14.69
13.43
11.43
9.01
6.2
3.35
0.36
-2.78
-6.02
-9.59
-13.6
-18.24
-24.6
-35.19
-37.14
PS21
°
51.6
27.2
0.8
-26.2
-53.2
-78.7
-103.5
-127
-149.8
-171.8
165.6
144.3
122.3
102.1
80.9
60.2
40.3
18.6
-2.8
-27.3
-53
-82.2
-112.8
-141.9
-168.7
167.5
145.9
125.7
107.4
89
71.9
55.3
40.2
27.2
30.1
126.8
MS22
dB
-16.6
-16.75
-16.67
-16.77
-17.47
-17.67
-18.06
-18.55
-18.7
-17.9
-15.62
-14.48
-13.4
-12.6
-11.67
-11.4
-11.3
-10.33
-9.98
-8.88
-7.99
-6.86
-6.35
-6.69
-7.51
-8.65
-9.92
-11.17
-12.15
-12.5
-12.27
-11.82
-10.89
-9.87
-8.91
-8.04
PS22
°
151.6
145.1
137.9
129.8
122.7
122.2
118.4
118.4
125.4
131.3
131.1
127
120.5
116.3
107.1
100.6
96.1
91.6
85.7
80.2
70.5
58.1
40.1
20.4
1.5
-17
-36.6
-56.5
-78.9
-103.1
-127.3
-148.5
-166.3
-179.6
167.4
156.2
参考文献。 ： DSCHA20933279 - 03年10月6日
3/8
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
路线Départementale 128 ， BP46 - 91401 Cedex的ORSAY - 法国
电话： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 08 - 传真： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 09
CHA2093
典型的结果
芯片的典型响应（晶圆SIJ ） ：
TAMB = + 25°C
VD = 4V ; ID = 45毫安
20
15
10
增益， RLoss （ dB）的
5
DBS11
20-30GHz低噪声放大器
DBS22
收益
0
-5
-10
-15
-20
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
32
34
36
38
40
频率（ GHz）的
典型增益和晶片匹配测量。
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
增益， NF （分贝）
收益
NF
GAB
15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34
频率（ GHz）的
典型增益和噪声系数测量的晶片。
参考文献。 ： DSCHA20933279 - 03年10月6日
4/8
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
路线Départementale 128 ， BP46 - 91401 Cedex的ORSAY - 法国
电话： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 08 - 传真： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 09
20-30GHz低噪声放大器
典型的结果
TAMB = + 25°C
VD = 4V ; ID = 45毫安
CHA2093
F=20GHz
输出功率（dBm ）
盖斯（分贝）
盖斯（分贝）
16
14
12
10
8
6
4
2
0
-9
-8
-7
-6
-5
-4
-3
-2
-1
0
1
2
3
4
5
输入功率（dBm ）
噘
收益
16
14
12
10
8
6
4
2
0
F=30GHz
16
输出功率（dBm ）
14
12
10
8
6
4
2
0
-3
-2
-1
0
1
2
3
4
5
6
7
输入功率（dBm ）
在测试夹具的典型输出功率和增益测量
（包括夹具的损失）
参考文献。 ： DSCHA20933279 - 03年10月6日
5/8
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
16
14
12
10
8
6
噘
收益
4
2
0
路线Départementale 128 ， BP46 - 91401 Cedex的ORSAY - 法国
电话： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 08 - 传真： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 09
QQ：2881677436 复制
