CHA2069RAF
18-31GHz低噪声放大器
GaAs单片微波集成电路的SMD无铅封装
描述
单片微波集成电路（ MMIC）中的
包是一个三阶段的自偏置宽
波段单片低噪声放大器。
该MMIC是一个标准的制造
PM- HEMT工艺： 0.25微米栅长，
通过穿过基板，空气桥孔
和电子束光刻门。
它是在一个新的SMD无引线芯片供给
载体。
主要特点
■
宽带绩效： 18-31GHz
■
增益= 21分贝（典型值）
■
噪声系数3.0分贝（典型f<26GHz ）
■
回波损耗< -6dB
■
SMD无铅封装
■
尺寸： 5.08 X 5.08 X 0.97毫米
3
SMD封装尺寸
请注意，密码1位于包（前侧视图）的左下角为来自单片所有的SMD型的包
半导体。它是通过在包盖的三角形表示。与PIN 1其他片开始逆时针（前视图）的编号。
注意：在包装上（有金属片即侧）的背面的点只是为了制造之用，并不表示
引脚1的位置。
参考文献。 ： DSCHA2069RAF2169 -18月- 02-
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特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
联合单片半导体S.A.S.
路线Départementale 128 - BP46 - 91401奥赛Cedex法国
电话： ： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 08 - 传真： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 09
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概要
18-31GHz低噪声放大器
典型的偏置条件
为+ 25 ° C的环境温度
符号
VDD
国际直拨电话
PIN号
6
6
漏偏置电压
漏电流
参数
值
4.5
55
单位
V
mA
所有其他引脚不用于该设备。
绝对最大额定值
(1)
TAMB = + 25°C
符号
Vd
针
顶部
TSTG
参数
漏偏置电压
最大峰值输入功率过载（ 2 ）
工作温度范围（ 3）
存储温度范围
值
5.0
+15
-40至+85
-55到+125
单位
V
DBM
°C
°C
（ 1 ）本设备上面这些paramaters中的任何一个操作可能会造成永久性的损害。
（2 ）持续< 1秒。
（ 3 ）温度上限值很大程度上取决于主板的设计;评级定为
理想的热耦合
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18-31GHz低噪声放大器
VD = 4.5V ，ID = 55毫安
获得&反射损耗
28
24
20
16
12
8
4
0
-4
-8
-12
-16
-20
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
线性增益（dB ）
输入回波损耗（dB ）
CHA2069RAF
在PCB上的典型结果（推荐主板布局）
输出回波损耗（dB ）
28
29
30
31
32
频率（GHz ）
噪声系数（dB ）
6
5
4
3
2
1
0
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
频率（GHz ）
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脚印
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应用说明
CHA2069RAF
主板的设计拥有所有性能上有很大的影响
因为从主板到封装的过渡是同等大。在
案件联合单片半导体中的表面贴装型封装
主板应根据以下给出的信息来设计
要取得良好的业绩。其它配置也是可能的，但可能会导致
不同的结果。如果您需要提醒，请联系美半导体单片
了解更多信息。
UMS的SMD型封装应该允许设计微型和MM-和制造
波模块的成本低。因此，一个合适的主板环境一直
选择。所有的测试和验证对罗杰斯RO4003已经完成。这
材料显示出3.38的电容，并已用于具有厚度为200μm的
[ 8密耳]和一个1 / 2盎司或更少的铜包层。对应的50欧姆
传输线具有约460μm [约条带的宽度。 18密耳。
主板为包连接上的接触区域应
根据上面给出的足迹而设计的。通过在结构中的适当的
接地垫是非常重要的，以便实现良好的射频和寿命
性能。所有的测试已经完成通过大量的通孔电镀网格
用直径小于200微米[8密耳]和小于400微米的间隔[16
密耳]从两个相邻的通孔的中心。在通过电网应涵盖整个
下接地垫空间和最接近于所述RF端口的通孔应设
该垫的边缘附近，以允许良好的RF接地连接。由于通孔是
用于热传递很重要，通过填充适当的应在保证
装配程序来获得包和散热片之间的低热阻。
对于功率器件通过电网在主板，而不是使用热蛞蝓是
推荐使用。
对于安装过程中的贴片型封装能够被处理为标准
表面安装元件。使用任一焊料或导电环氧树脂是可能的。
回流后的焊料厚度应为50μm的典型[2密耳]和横向
封装和母板之间的对准，应在50微米[2-
密耳。读者应注意，以获得在整个一个很好的和可靠的接触
键盘区域。空隙或其它不当的连接，特别是地面之间
母板和封装的焊盘将导致的射频性能的劣化
和散热。后者的效果可大幅降低可靠性和寿命
的产物。
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