CHENMKO ENTERPRISE CO。 ， LTD。
表面贴装
NPN通用晶体管
电压30伏特
应用
*自动对焦输入级和驱动applicationon设备。
*其他一般用途。
CH848BPT
当前0.1安培
特征
.041 (1.05)
.033 (0.85)
SOT-23
*小型表面安装型。 （ SOT -23 ）
*高电流增益。
*适用于高封装密度。
*低colloector发射极饱和。
*高饱和电流能力。
.110 (2.80)
.082 (2.10)
.119 (3.04)
(1)
.066 (1.70)
(3)
记号
* HFE （ P）：在J16
* HFE （ Q） ： 1K
* HFE （ Y） ： J17
(2)
.055 (1.40)
.047 (1.20)
.103 (2.64)
.086 (2.20)
.028 (0.70)
.020 (0.50)
.007 (0.177)
.018 (0.30)
.002 (0.05)
电路
1
3
.045 (1.15)
.033 (0.85)
.019 (0.50)
2
尺寸以英寸（毫米）
SOT-23
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
集电极耗散功率
Note2
T
英镑
T
j
记
1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。
2.当安装在7X5X0.6mm陶瓷板。
储存温度
结温
条件
发射极开路
开基
集电极开路
65
分钟。
马克斯。
30
30
5
0.1
0.2
W
0.31
+150
150
°C
°C
V
V
V
A
单位
2004-06
额定特性（ CH848BPT ）
热特性
特征
T
AMB
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
h
FE
V
BESAT
V
CESAT
参数
集电极截止电流
直流电流传输比
集电极 - 基极饱和
电压
集电极 - 发射极饱和
电压
基极 - 发射极satur ATION电压
发射极输入电容
集电极输出电容
跃迁频率
噪声系数
条件
I
E
= 0; V
CB
= 30 V
V
CE /
I
C
= 5V / 2毫安
I
C
= 10毫安;我
B
- 0.5毫安
I
C
= 100毫安;我
B
= 5毫安
I
C
= 10毫安;我
B
- 0.5毫安
I
C
= 100毫安;我
B
= 5毫安
I
C
= 2毫安; V
CE
= 5.0 V
I
C
= 10毫安; V
CE
= 5.0 V
I
C
= 0; V
CB
= 0.5V ; F = 1 MH
I
E
= 0; V
CB
= 10V ; F = 1 MH
V
CE
= 5V ，我
C
= 200uA ， F = 1KHz时，R
G
=2K
分钟。
110
0.58
典型值。
700
900
90
200
0.66
9
3.5
300
2
马克斯。
15
800
250
600
0.70
0.72
6
10
单位
nA
mV
mV
mV
mV
V
V
pF
pF
兆赫
dB
V
BE（上）
兴业银行
COB
f
T
NF
记
I
E
= 10毫安; V
CE
= 5 V ; F = 100 MHz的
1.脉冲测试：吨
p
≤
300
s; δ ≤
0.02.
2.分类的hFE P： 110 220问： 200 450 ， Y： 420 800
额定值特性曲线（ CH848BPT ）
fig1.Static
特征
100
10000
fig2.DC
电流增益
V
CE
= 5V
I
C
[马] ，集电极电流
80
I
B
= 400
A
I
B
= 350
A
60
I
B
= 250
A
I
B
= 200
A
h
FE
，直流电流增益
I
B
= 300
A
1000
40
I
B
= 150
A
I
B
= 100
A
100
20
I
B
= 50
A
0
0
4
8
12
16
20
10
1
10
100
1000
V
CE
[V] ，集电极 - 发射极电压
I
C
[马] ，集电极电流
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