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CHENMKO ENTERPRISE CO。 ， LTD。
表面贴装
NPN开关晶体管
电压40伏
应用
*电话和proferssional communction设备。
*其他开关应用。
CH3904PT
当前0.2安培
特征
.041 (1.05)
.033 (0.85)
SOT-23
*低电压（最大值= 40V ） 。
.110 (2.80)
.082 (2.10)
.119 (3.04)
(1)
.066 (1.70)
*高饱和电流能力。
*电压控制的小信号开关。
(3)
(2)
施工
* NPN开关晶体管
.055 (1.40)
.047 (1.20)
记号
* S1A
.045 (1.15)
.033 (0.85)
.103 (2.64)
.086 (2.20)
.028 (0.70)
.020 (0.50)
.007 (0.177)
.018 (0.30)
.002 (0.05)
电路
1
3
2
.019 (0.50)
*小型表面安装型。 （ SOT -23 ）
*低电流（最大值= 200毫安） 。
*适用于高封装密度。
尺寸以英寸（毫米）
SOT-23
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
合计
T
英镑
T
j
T
AMB
记
1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。
2004-4
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流DC
峰值集电极电流
峰值电流基地
总功耗
储存温度
结温
工作环境温度
条件
发射极开路
开基
集电极开路
T
AMB
≤
25
°C;
注1
分钟。
马克斯。
60
40
6
200
200
100
330
+150
150
+150
V
V
V
单位
mA
mA
mA
mW
°C
°C
°C
65
65
额定值特性曲线（ CH3904PT ）
热特性
符号
R
日J-一
记
1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。
参数
从结点到环境的热阻
条件
注1
价值
500
单位
K / W
特征
T
AMB
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
参数
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
条件
I
E
= 0; V
CB
= 30 V
I
C
= 0; V
EB
= 6 V
V
CE
= 1V ;注1
I
C
- 0.1毫安
I
C
= 1毫安
I
C
= 10毫安
I
C
= 50毫安
I
C
= 100毫安
V
CESAT
V
BESAT
C
c
C
e
f
T
F
集电极 - 发射极饱和
电压
基射极饱和电压
集电极电容
发射极电容
跃迁频率
噪音科幻gure
I
C
= 10毫安;我
B
= 1毫安
I
C
= 50毫安;我
B
= 5毫安
I
C
= 10毫安;我
B
= 1毫安
I
C
= 50毫安;我
B
= 5毫安
I
E
= i
e
= 0; V
CB
= 5 V ; F = 1 MHz的
I
C
= i
c
= 0; V
BE
= 500 mV的;
F = 1 MHz的
I
C
= 10毫安; V
CE
= 20 V;
F = 100 MHz的
I
C
= 100
A;
V
CE
= 5 V ;
S
= 1 k;
F = 10 Hz至15.7千赫
60
80
100
60
30
650
300
300
200
300
850
950
4
8
5
mV
mV
mV
mV
pF
pF
兆赫
dB
分钟。
马克斯。
50
50
单位
nA
nA
（ 10％至90％的水平）的切换时间;
t
on
t
d
t
r
t
关闭
t
s
t
f
记
1.脉冲测试：吨
p
≤
300
s; δ ≤
0.02.
开启时间
延迟时间
上升时间
打开-O FF时间
贮存时间
下降时间
I
CON
= 10毫安;我
BON
= 1毫安;
I
B关
=
1
mA
65
35
35
240
200
50
ns
ns
ns
ns
ns
ns
额定值特性曲线（ CH3904PT ）
总功耗
P
合计
=
f
(
T
S
)
饱和电压
I
C
=
f
(
V
BESAT
,
V
CESAT
)
h
FE
= 10
360
mW
300
270
C
2
mA
10
2
5
V
CE
V
BE
P
合计
240
210
180
150
120
10
1
5
90
60
30
0
0
15
30
45
60
75
90 105 120
°C
150
T
S
10
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0 V 1.2
V
BE坐
,
V
CE坐
允许的脉冲负载
P
totmax
/
P
totDC
=
f
(
t
p
)
10
3
P
TOT最大
P
TOT DC
t
p
D
=
T
t
p
直流电流增益
h
FE
=
f
(
I
C
)
V
CE
= 10V ，归一化
10
1
h
FE
T
5
10
2
5
10
1
5
D
=
0
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
125 C
10
0
25 C
-55 C
5
10
0 -6
10
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
s 10
0
t
p
10
-1
10
-1
5 10
0
5 10
1
10毫安
2
2
Ι
C
额定值特性曲线（ CH3904PT ）
短路正向电流
传输比
h
21e
=
f
(
I
C
)
V
CE
= 10V,
f
= 1MHz的
10
3
h
21e
h
22e
开路输出导纳
h
22e
=
f
(
I
C
)
V
CE
= 10V,
f
= 1MHz的
10
2
s
5
5
10
2
10
1
5
5
10
1
-1
10
5
10
0
mA
10
1
10
0
-1
10
5
10
0
Ι
C
mA
Ι
C
10
1
延迟时间
t
d
=
f
(
I
C
)
上升时间
t
r
=
f
(
I
C
)
贮存时间
t
英镑
=
f
(
I
C
)
10
3
ns
t
r
,
t
d
t
r
t
d
10
2
10
3
ns
t
s
h
FE
= 10
25 C
125 C
10
2
h
FE
= 20
10
h
FE
= 20
10
V
CC
= 3 V
40 V
15 V
10
1
V
BE
= 2 V
0V
10
1
10
0
0
10
5 10
1
5 10
2
10毫安
3
10
0
0
10
5 10
1
5 10
2
Ι
C
10毫安
3
Ι
C
额定值特性曲线（ CH3904PT ）
下降时间
t
f
=
f
(
I
C
)
10
3
ns
t
f
25 C
125 C
V
CC
= 40 V
10
2
h
FE
= 20
上升时间
t
r
=
f
(
I
C
)
10
3
ns
t
r
25 C
10
2
125 C
V
CC
= 40 V
h
FE
= 10
10
1
h
FE
= 10
10
1
10
0
0
10
5 10
1
5 10
2
10毫安
3
10
0
0
10
5 10
1
5 10
2
10毫安
3
Ι
C
Ι
C
输入阻抗
h
11e
=
f
(
I
C
)
V
CE
= 10V,
f
= 1kHz时
10
2
h
11e
k
开路反向电压
传输比
h
12e
=
f
(
I
C
)
V
CE
= 10V,
f
= 1kHz时
10
-3
h
12e
10
1
5
10
-4
10
0
5
5
10
-1
10
-1
5
10
0
mA
10
1
10
-5
10
-1
5
10
0
mA
10
1
Ι
C
Ι
C
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