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集成电路
数据表
CGY2032TS
DECT 500 mW的功率扩增fi er
产品speci fi cation
取代1998年的数据11月23日
在集成电路, IC17文件
1999年07月21日
飞利浦半导体
产品speci fi cation
DECT 500 mW的功率扩增fi er
特点
功率放大器( PA)的整体效率55 %
27.5 dBm的饱和输出功率在3.2 V
0 dBm的输入功率
40分贝线性增益
操作无负压供水
宽工作温度范围
30
+85
°C
SSOP16封装。
应用
CGY2032TS
1.88 1.9 GHz的收发器DECT应用
2 GHz的收发器的个人手持电话系统
(PHS) ,数字蜂窝系统(DCS)和个人
通信服务(PCS )。
概述
该CGY2032TS是GaAs单片微波
集成电路( MMIC)功率放大器具体
旨在从3.6 V电池供电。
无负电源电压即可工作。
快速参考数据
符号
V
DD
I
DD
P
o
T
AMB
1.为条件,请参见章节“AC特性”和“直流特性” 。
订购信息
TYPE
CGY2032TS
名字
SSOP16
描述
塑料小外形封装; 16线索;体宽4.4毫米
VERSION
SOT369-1
正电源电压
正峰值供电电流
输出功率
环境温度
参数
(1)
分钟。
30
典型值。
3.2
350
27.5
马克斯。
+85
单位
V
mA
DBM
°C
框图
手册, halfpage
VDD1
8
VDD2 VDD3
5
1
CGY2032TS
RFI
11
16
15
10
GND1
6, 7
2, 3, 4
12, 13, 14
MGK735
RFO
OPM
GND2 GND3
图1框图。
1999年07月21日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
DECT 500 mW的功率扩增fi er
钉扎
符号
V
DD3
GND3
GND3
GND3
V
DD2
GND2
GND2
V
DD1
北卡罗来纳州
GND1
RFI
GND3
GND3
GND3
OPM
RFO
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
描述
第三级电源
第三个阶段地面电源
第三个阶段地面电源
第三个阶段地面电源
第二级电源
第二阶段地面电源
第二阶段地面电源
科幻RST级电源
没有连接
科幻RST舞台地面电源
PA的输入
第三个阶段地面电源
第三个阶段地面电源
第三个阶段地面电源
输出预匹配
PA输出
GND3 4
手册, halfpage
CGY2032TS
VDD3 1
GND3 2
GND3 3
16 RFO
15 OPM
14 GND3
13 GND3
CGY2032TS
VDD2 5
6 GND2
7 GND2
VDD1 8
MGK734
12 GND3
11 RFI
10 GND1
9
北卡罗来纳州
图2引脚配置。
功能说明
扩增fi er
该CGY2032TS是一个三级的GaAs功率放大器
能够提供500毫瓦(典型值)在1.9千兆赫到50
负载。每个放大器级具有漏极开路
配置。排水沟必须由外部加载
足够的反应性电路,它们还必须提供一个直流
路径供给。
该放大器可以由单个的装置被关闭
连接之间的外部PNP或PMOS开关系列
电池和放大器漏极。
这种开关也可用于改变实际供给
电压施加到放大器,因此,控制
输出功率。
该器件专为与义务工作
的50%,因子可以工作高达100%的具有良好的热
性能的印刷电路板。
偏置
内部偏置为放大器的内部设置
AB类操作。
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 134 ) 。
符号
V
DD
T
J(下最大)
P
合计
P
i
T
英镑
笔记
1.飞利浦评估板。
2.在飞利浦评估板,P
合计
最大值为800毫瓦。
参数
工作电源电压
最大工作结温
总功耗
输入功率
储存温度
注2
条件
注1
55
分钟。
马克斯。
5.2
150
450
15
+125
V
°C
mW
DBM
°C
单位
1999年07月21日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
DECT 500 mW的功率扩增fi er
处理
CGY2032TS
不要操作或存放在靠近强静电场。符合1级ESD测试要求[人体模型
(HBM) ] ,按照
“ MIL STD 883C - 法3015 ” 。
热特性
符号
R
号(j -a)的
1.飞利浦评估板,R
号(j -a)的
值通常为80 K / W 。
DC特性
T
AMB
= 25
°C;
除非另有规定ED 。
符号
引脚V
DD1
, V
DD2
和V
DD3
V
DD
I
DD
正电源电压
正峰值供电电流
V
DD
= 3.2 V
1.8
3.2
4.2
800
V
mA
参数
条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
参数
从结点到环境的热阻
条件
在自由空气中;注1
价值
145
单位
K / W
AC特性
V
DD
= 3.2 V ; F
RF
= 1900 MHz的; P
i
= 0 dBm的;牛逼
AMB
= 25
°C;
占空比
δ
= 50%; 50
阻抗系统;测量
保证在CGY2032TS评估板;电路图如图5所示。
符号
P
i
δ
P
o
I
DD
η
P
泄漏
H2
H3
1.该装置被调节以提供负载功率的标称值到50
负载。该装置被关断和一个6:1
负载替换50
负载。该设备处于开机状态,并在6阶段: 1负荷变化
期间60秒测试期间360度电。
输入功率
占空比
输出功率
总漏电流
EF网络效率
射频泄漏到输出电源关闭状态
二次谐波电平
三次谐波电平
稳定性(杂散电平)
注1
V
DD
= 0 V
参数
条件
分钟。
5
26.5
典型值。
0
50
27.5
55
40
60
马克斯。
+5
100
29
500
35
30
35
单位
DBM
%
DBM
mA
%
DBM
dBc的
dBc的
dBc的
1999年07月21日
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
DECT 500 mW的功率扩增fi er
CGY2032TS
手册,全页宽
30
FCA009
100
Po
( dBm的)
26
电源输出
η
(%)
80
22
效率
60
18
40
14
20
10
20
15
10
5
0
0
5
PI( DBM)
10
图3典型的输出功率和效率与在V输入功率
DD
= 3.2 V.
手册,全页宽
30
MGK738
100
Po
( dBm的)
26
η
(%)
电源输出
80
22
效率
60
18
40
14
20
10
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
Vdd的(V)的
4
0
4.5
图4典型的输出功率和效率与在P电源电压
i
= 0 dBm的。
1999年07月21日
5
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