CGR-0218Z
推挽
5MHz至
210 MHz的高
线性
的InGaP HBT
扩音器
CGR-0218Z
PUSH - PULL 5MHz至210MHz时钟频率高
线性度的InGaP HBT放大器
包装： SOIC - 8
产品说明
RFMD的CGR- 0218Z是一款高性能的InGaP HBT MMIC放大器，
用的InGaP工艺技术出色的可靠性。达林顿的配置
灰被用于宽带性能。异质结突破性增长
下电压和最小化结之间的漏电流。该CGR- 0218Z
包含两个放大器，用于宽带推挽式CATV放大器要求
出色的二阶性能。在第二和第三阶非线性是
在推挽式结构大大提高。
优化技术
Matching应用
砷化镓HBT
砷化镓MESFET
的InGaP HBT
的SiGe BiCMOS
硅BiCMOS工艺
的SiGe HBT
砷化镓PHEMT
硅CMOS
硅BJT
氮化镓HEMT
的InP HBT
RF MEMS
LDMOS
特点
放大器配置
5V单电源供电
卓越的线性度
两个放大器中的每一个SOIC-8
包装简化推挽
PC板布局
SOIC -8封装
可提供无铅，符合RoHS
标准包装
有线电视头端
CATV线路驱动器
DOCSIS电缆调制解调器
应用
1
2
3
4
8
7
6
5
参数
小信号增益
增益平坦度
OIP
3
分钟。
规范
典型值。
17.3
±0.2
42
马克斯。
单位
dB
dB
DBM
条件
5MHz至210MHz时钟频率
5MHz至210MHz时钟频率
5MHz至210MHz时钟频率，音调间隔= 1MHz时， P
OUT
每
tone=+6dBm
5MHz至210MHz时钟频率
5MHz至210MHz时钟频率
5MHz至210MHz时钟频率
5MHz至210MHz时钟频率
7章，平面倾斜， + 50dBmV
7章，平面倾斜， + 50dBmV
7章，平面倾斜， + 50dBmV
5V V
CC
结到管壳蛞蝓
P1dB
23
DBM
输入回波损耗
22
dB
输出回波损耗
22
dB
噪声系数，巴伦插入损耗
4.0
dB
包括
CSO
80
dBc的
CTB
67
dBc的
XMOD
66
dBc的
器件工作电压
5.0
V
器件工作电流
217
mA
热阻（结到
30
° C / W
LEAD ）
测试条件： V
CC
= 5V ，我
D
= 217毫安典型值，T
L
= 25 ° C，Z
S
=Z
L
= 75Ω ，推拉式应用电路
RF MICRO DEVICES ， RFMD ，优化科技Matching ，启用无线连接 ，的PowerStar ， POLARIS TOTAL RADIO 和UltimateBlue 是RFMD ，LLC的注册商标。蓝牙是一种与贸易
标志着由Bluetooth SIG公司，美国拥有和许可由RFMD使用。所有其它商标名称，商标及注册商标均为其各自所有者的财产。 2006年， RF Micro Devices公司
DS091015
7628桑代克路，北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
支持在（ +1） 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。
1第8
CGR-0218Z
绝对最大额定值
参数
设备的最大电流（I
D
)
最大器件电压（V
D
)
最大RF输入功率
最高结温（T
J
)
工作温度范围（T
L
)
最大存储温度
最小的存储温度
等级
300
6.0
18
150
-40至+85
150
-40
单位
mA
V
DBM
°C
°C
°C
°C
注意！ ESD敏感器件。
超过任何一个或绝对最大额定值条件的组合可
对器件造成永久性损坏。绝对最大的扩展应用
额定条件下的设备可能会降低设备的可靠性。指定的典型性
曼斯或设备的绝对最大额定值条件功能操作
系统蒸发散是不是暗示。
基于EUDirective2002 / 95 / EC RoHS指令的状态（在这个文件修改时间） 。
本出版物中的信息被认为是准确和可靠。然而，没有
承担因RF Micro Devices公司（ "RFMD" ）供其使用，也不对任何
侵犯专利或其它第三方权利，其使用造成。没有
获发牌照以暗示或其他方式的任何专利或专利权
RFMD 。 RFMD有权改变电路组件，应用程序推荐
阳离子和规格，恕不事先通知的任何时间。
此设备的运行超出这些限制的任何一个可能会造成永久性损坏
年龄。为了保证可靠的连续运行，设备的电压和电流不得
超过1页的表中规定的最大运行值。
偏置条件也应满足下面的表达式：
I
D
V
D
< （T
J
-T
L
)/R
TH
J-升和T
L
=T
领导
输入回波损耗
30
35
30
25
20
15
输出回波损耗
25
20
dB
dB
15
10
10
5
5
0
0
50
100
150
200
250
0
50
100
150
200
250
0
频率
频率
收益
20
25
反向隔离
16
20
12
15
dB
8
dB
10
4
5
0
0
50
100
150
200
250
0
0
50
100
150
200
250
频率
频率
2第8
7628桑代克路，北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
支持在（ +1） 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。
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CGR-0218Z
噪声系数
5
25
输出P1dB为
4
20
3
15
dB
2
DBM
10
1
5
0
0
50
100
150
200
250
0
0
50
100
150
200
250
频率
频率
输出IP3
50
80
70
40
60
30
50
XMOD
DBM
20
dBc的
40
30
20
10
10
0
0
50
100
150
200
250
0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
频率
频率
CSO
100
90
80
70
60
CTB
80
70
60
50
dBc的
50
40
30
20
10
0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
dBc的
40
30
20
10
0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
频率
频率
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7628桑代克路，北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
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3 8
CGR-0218Z
评估板电路图
JP 2
VDD
C16
10 uF的
C15
0 .1 ü F
C14
1.0 ü F
C13
68 pF的
JP 1
GND
C2
0 .1 ü F
1
C4
0 .1 ü F
R2
470欧姆
L3
10 uH容
8
J1
IN
R3
0欧姆
C6
0 .1 ü F
T1
X F M -0 2 0 1 -1 W H
2
U1
CGR0218Z
7
T2
X F M -0 2 0 1 -1 W H
J2
OUT
3
6
C1
0 .1 ü F
4
5
C5
0 .1 ü F
JP 4
GND
C3
0 .1 ü F
R1
470欧姆
L2
10 uH容
JP 3
VDD
C7
10 uF的
C8
0 .1 ü F
C9
1.0 ü F
C10
68 pF的
评估板布局
U1
价值
68pF
0.1uF
1.0uF
10uF
0
470
10uH
RFMD XFM - 0201-1WH
数量
2
8
2
2
1
2
2
2
位置
C10, C13
C1, C2, C3, C4, C5, C6, C8, C15
C9, C14
C7, C10
R3
R1, R2
L2, L3
T1, T2
4 8
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CGR-0218Z
针
1
2, 3,
6, 7
4
5
8
EPAD
功能
在RF
GND
在RF
RF OUT / VCC
RF OUT / VCC
GND
描述
射频输入引脚。外部隔直流电容。
连接到地。通孔使用以获得最佳性能，以减少引线电感尽可能靠近接地引线的
可能。
相同的引脚1 。
RF输出和偏置引脚（集电极开路） 。
相同的引脚5 。
在封装的底面暴露面积必须焊接到电路板的最佳地平面
热和RF性能。多个通孔，应位于所述EPAD下，如图中的推荐
焊盘图形。
引脚输出
放大器配置
1
2
3
4
8
7
6
5
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