G1 / SMG1
压控衰减器模块
5 2000 MHz的
特点
可在表面贴装
低驻波比： < 1.8 ： 1 （典型值）
低插入损耗：2.0 dB至1000 MHz（典型值）。
低失真： -25 dBc的（ TYP 。 ）在V
控制
= +15 V
描述
G1的衰减器是一个离散的混合设计，它使用
为精确的性能的薄膜的制造工艺和
高可靠性。
本设计使用三个pin二极管以提供一个非线性
通过宽带频率范围内的衰减响应。
既- 8和表面贴装封装是密封的，
和MIL - STD-883标准的环保审查是可用的。
V4版本
产品图片
订购信息
产品型号
G1
SMG1
CG1 **
包
TO-8
表面贴装
SMA外接式
**该连接器连接的版本不符合RoHS标准。
电气规格位：Z
0
= 50, V
CC
= +15 V
DC
典型
参数
单位
25C
5-2200
36
30
23
2.0
2.5
<1.8 ： 1
+/-0.5
保证
0°至50℃
5-2000
31
25
18
2.5
3.0
2.2:1
+/-1.0
-54到+ 85C *
5-2000
30
24
17
2.8
3.3
2.3:1
+/-1.2
频率
最大衰减可用（分钟）
5-500 MHz的
500-1000兆赫
1000-2000兆赫
插入损耗（ VCTRL = + 15V ） （最大值）
5-1000兆赫
1000-2000兆赫
VSWR （最坏的情况下衰减范围）
5-2000兆赫
平坦度频率（最大值）
（衰减=分钟至15分贝， 5-1000兆赫）
开关速度（最大）
10% - 90%
0% - 100%
偏压
偏置电流
控制电压
控制电流（最大值）
1
兆赫
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
微秒
微秒
伏
mA
伏
mA
60
75
+15
10
0至+15
4
120
125
+15
15
0至+15
7
140
140
+15
15
0至+15
7
*超过部件号CG1低温性能的限制，从0担保
o
C至+50
o
仅C 。
高级：
数据表包含有关产品M / A - COM技术解决方案的信息
北美
电话： 800.366.2266
欧洲
联系电话： +353.21.244.6400
正在考虑发展。性能是基于目标的规格，仿真结果，
印度
联系电话： +91.80.4155721
中国
联系电话： +86.21.2407.1588
和/或原型的测量。致力于发展无法得到保证。
访问www.macomtech.com额外的数据表和产品信息。
初步：
数据表包含有关产品M / A- COM技术信息
解决方案正在开发。性能是基于工程测试。规格
典型的。机械轮廓已定。工程样品和/或测试数据可以是可用的。
M / A - COM技术解决方案公司及其附属公司保留作出正确的
致力于生产数量难以保证。
更改产品（ S）或信息包含在此恕不另行通知。
G1 / SMG1
压控衰减器模块
5 2000 MHz的
典型性能曲线，在+ 25°C
V4版本
2
高级：
数据表包含有关产品M / A - COM技术解决方案的信息
北美
电话： 800.366.2266
欧洲
联系电话： +353.21.244.6400
正在考虑发展。性能是基于目标的规格，仿真结果，
印度
联系电话： +91.80.4155721
中国
联系电话： +86.21.2407.1588
和/或原型的测量。致力于发展无法得到保证。
访问www.macomtech.com额外的数据表和产品信息。
初步：
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解决方案正在开发。性能是基于工程测试。规格
典型的。机械轮廓已定。工程样品和/或测试数据可以是可用的。
M / A - COM技术解决方案公司及其附属公司保留作出正确的
致力于生产数量难以保证。
更改产品（ S）或信息包含在此恕不另行通知。
G1 / SMG1
压控衰减器模块
5 2000 MHz的
典型性能曲线，在+ 25°C
外形图： TO- 8
*
V4版本
重量： 1克最大（0.04盎司）。
外形图：表面贴装
*
重量： 1克最大（0.04盎司）。
绝对最大额定值
参数
储存温度
外壳温度
直流电压
连续输入功率
短期输入功率
（最长1分钟）。
峰值功率（ 3微秒最大）
“S”系列老化测试
温度（外壳）
外形图： SMA外接式
*
绝对马克西
沉默
-62C至+ 125C
125C
+18 V
+20 dBm的
200毫瓦
1W
125C
重量： 19克最大（0.67盎司）。
3
尺寸为英寸（毫米） ± 0.015 （ 0.38 ）除非另有规定。
高级：
数据表包含有关产品M / A - COM技术解决方案的信息
北美
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欧洲
联系电话： +353.21.244.6400
正在考虑发展。性能是基于目标的规格，仿真结果，
印度
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中国
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和/或原型的测量。致力于发展无法得到保证。
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初步：
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解决方案正在开发。性能是基于工程测试。规格
典型的。机械轮廓已定。工程样品和/或测试数据可以是可用的。
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致力于生产数量难以保证。
更改产品（ S）或信息包含在此恕不另行通知。
日前，Vishay
CG1 / DG1
威世半导体
标准Sinterglass二极管
特点
专为钳位电路， horizon-
TAL偏转系统和减震器的应用
高温冶金结合CON-
梁支
腔的玻璃钝化结
1.5安培运行在T
AMB
= 50℃ ，无热敏
发作失控
密封包装
17031
机械数据
案例：
DO- 204AP烧结玻璃柜
终端：
焊接镀轴向引线，每焊
MILSTD- 750 ，方法2026
极性：
颜色频带端为负极
安装位置：
任何
重量：
约。 560毫克
零件表
部分
CG1
DG1
类型分化
V
RRM
= 1400 V
V
RRM
= 1500 V
DO-204AP(G-1)
DO-204AP(G-1)
包
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
反向电压=重复
峰值反向电压
最大正向平均
整流电流
峰值正向浪涌电流
测试条件
请参阅电气特性
部分
CG1
DG1
0.375 " （9.5 mm）引线长度
T
AMB
= 50 °C
8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷
（ JEDEC的方法）
0.375 " （9.5 mm）引线长度
T
AMB
=100 °C
符号
V
R
= V
RRM
V
R
= V
RRM
I
F（ AV ）
I
FSM
价值
1400
1500
1.5
40
单位
V
V
A
A
满载最大反向
目前全周期平均
工作结存储
温度范围
I
R（ AV ）
T
J
, T
英镑
50
- 55 + 175
A
°C
最大热阻
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
典型热阻
1)
1)
测试条件
符号
R
θJA
价值
55
单位
K / W
从结点到环境的热阻为0.375 " （9.5 mm）引线长度，PCB安装
文档编号86081
修订版1.2 28 -JAN- 03
www.vishay.com
1
CG1 / DG1
威世半导体
消耗臭氧层物质的政策声明
它的策略
威世半导体有限公司
to
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
日前，Vishay
2.定期和不断改进我们的产品，工艺，销售的业绩和
operatingsystems相对于它们的健康和员工的安全和公众的影响，如
以及它们对环境的影响。
这是特别关注，以控制或消除这些物质排放到它们的气息
被称为消耗臭氧层物质（消耗臭氧层物质） 。
蒙特利尔议定书（ 1987年）和其伦敦修正案（ 1990）打算严格限制使用消耗臭氧层物质
并严禁在未来十年内的使用。不同的国家和国际行动正加紧为
对这些物质的早期禁令。
威世半导体有限公司
已经能够利用不断改进的政策，以消除
使用消耗臭氧层物质的列在下面的文件。
1.附件A， B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦修正列表
分别
2. I类并于1990年通过了环境的清洁空气法案修正案II消耗臭氧层物质
保护局（EPA）在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A，B和C （过渡性物质） 。
威世半导体有限公司
可以证明，我们的半导体是不消耗臭氧制造
物质和不含有这种物质。
我们保留作出修改，以改善技术设计的权利
并且可以这样做，恕不另行通知。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个验证
客户应用程序由客户。如买方使用威世半导体产品的任何
意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿威世半导体对所有
索赔，费用，损失，费用，直接或间接地产生出来的，个人的任何索赔
损害，伤害或死亡等意外或未经授权的使用有关。
日前，Vishay半导体有限公司， P.O.B. 3535 ， D- 74025德国Heilbronn
电话： 49 （ 0 ） 67 7131 2831 ，传真号码： 49 （ 0 ） 67 7131 2423
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文档编号86081
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日前，Vishay
CG1 / DG1
威世半导体
标准Sinterglass二极管
特点
专为钳位电路， horizon-
TAL偏转系统和减震器的应用
高温冶金结合CON-
梁支
腔的玻璃钝化结
1.5安培运行在T
AMB
= 50℃ ，无热敏
发作失控
密封包装
17031
机械数据
案例：
DO- 204AP烧结玻璃柜
终端：
焊接镀轴向引线，每焊
MILSTD- 750 ，方法2026
极性：
颜色频带端为负极
安装位置：
任何
重量：
约。 560毫克
零件表
部分
CG1
DG1
类型分化
V
RRM
= 1400 V
V
RRM
= 1500 V
DO-204AP(G-1)
DO-204AP(G-1)
包
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
反向电压=重复
峰值反向电压
最大正向平均
整流电流
峰值正向浪涌电流
测试条件
请参阅电气特性
部分
CG1
DG1
0.375 " （9.5 mm）引线长度
T
AMB
= 50 °C
8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷
（ JEDEC的方法）
0.375 " （9.5 mm）引线长度
T
AMB
=100 °C
符号
V
R
= V
RRM
V
R
= V
RRM
I
F（ AV ）
I
FSM
价值
1400
1500
1.5
40
单位
V
V
A
A
满载最大反向
目前全周期平均
工作结存储
温度范围
I
R（ AV ）
T
J
, T
英镑
50
- 55 + 175
A
°C
最大热阻
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
典型热阻
1)
1)
测试条件
符号
R
θJA
价值
55
单位
K / W
从结点到环境的热阻为0.375 " （9.5 mm）引线长度，PCB安装
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威世半导体
消耗臭氧层物质的政策声明
它的策略
威世半导体有限公司
to
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
日前，Vishay
2.定期和不断改进我们的产品，工艺，销售的业绩和
operatingsystems相对于它们的健康和员工的安全和公众的影响，如
以及它们对环境的影响。
这是特别关注，以控制或消除这些物质排放到它们的气息
被称为消耗臭氧层物质（消耗臭氧层物质） 。
蒙特利尔议定书（ 1987年）和其伦敦修正案（ 1990）打算严格限制使用消耗臭氧层物质
并严禁在未来十年内的使用。不同的国家和国际行动正加紧为
对这些物质的早期禁令。
威世半导体有限公司
已经能够利用不断改进的政策，以消除
使用消耗臭氧层物质的列在下面的文件。
1.附件A， B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦修正列表
分别
2. I类并于1990年通过了环境的清洁空气法案修正案II消耗臭氧层物质
保护局（EPA）在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A，B和C （过渡性物质） 。
威世半导体有限公司
可以证明，我们的半导体是不消耗臭氧制造
物质和不含有这种物质。
我们保留作出修改，以改善技术设计的权利
并且可以这样做，恕不另行通知。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个验证
客户应用程序由客户。如买方使用威世半导体产品的任何
意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿威世半导体对所有
索赔，费用，损失，费用，直接或间接地产生出来的，个人的任何索赔
损害，伤害或死亡等意外或未经授权的使用有关。
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电话： 49 （ 0 ） 67 7131 2831 ，传真号码： 49 （ 0 ） 67 7131 2423
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文档编号86081
修订版1.2 28 -JAN- 03
CG1和DG1
微型夹具/阻尼器玻璃钝化结整流器
反向电压 -
1400年至1500年伏
D
*
DO204AP
正向电流 -
1.5安培
特点
P
A
T
0.034 (0.86)
0.028 (0.71)
DIA 。
1.0 (25.4)
分钟。
0.240 (6.1)
马克斯。
0.150 (3.8)
0.100 (2.5)
DIA 。
1.0 (25.4)
分钟。
专门设计用于钳位电路的水平
偏转系统和阻尼器的应用
高温冶金结合建设
玻璃钝化内腔无结
1.5安培操作
在T
A
= 50℃ ，无
热失控
典型的我
R
小于0.1μA
密封包装
能够满足环境标准
MIL-S-19500
高温焊接保证：
350 ° C. / 10秒0.375"设计（9.5mm ）引线长度，
5磅。 （ 2.3千克）张力
E
N
T
E
机械数据
尺寸以英寸（毫米）
*
钎焊引线组件覆盖专利号3930306
案例：
JEDEC DO - 204AP实心玻璃体
终端：
焊接镀轴向引线，每焊
MIL- STD- 750 ，方法2026
极性：
颜色频带端为负极
安装位置：
任何
重量：
0.02盎司， 0.56克
最大额定值和电气特性
在25 ° C环境温度额定值除非另有规定。
符号
CG1
DG1
单位
最大重复峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
0.375“设计（9.5mm ）引线长度在T
A
=50°C
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
在1.0A最大正向电压
反向电流最大DC
在额定阻断电压DC
T
A
=25°C
T
A
=100°C
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
（ AV
)
I
FSM
V
F
I
R
I
R（ AV ）
t
rr
C
J
R
θJA
T
J
, T
英镑
1400
980
1400
1.5
40.0
1.1
5.0
100
50.0
15.0
15.0
55.0
-65到+175
1500
1050
1500
伏
伏
伏
安培
安培
伏
A
A
最大满载完整周期反向电流
平均0.375“设计（9.5mm ）引线长度在T
A
=100°C
最大反向恢复时间
（注1 ）
典型结电容
（注2 ）
典型热阻
（注3）
20.0
s
pF
° C / W
°C
工作结存储温度范围
注意事项：
（ 1 ）反向恢复测试条件：我
F
= 0.5A ，我
R
=50mA
（ 2 ）测得1.0 MH
Z
和应用4.0伏特的反向电压
结（ 3 ）热电阻以0.375室温？设计（9.5mm ）引线长度， P.C.B.安装
4/98
额定值和特性曲线CG1和DG1
图。 1 - 正向电流降额
曲线
正向平均整流
当前，安培
60 H
Z
电阻或
感性负载
图。 2 - 最大非重复峰值
正向浪涌电流
1.25
1.0
0.75
0.5
0.25
0
25
电容
负载
5.0
IPK / I
AV
= 10
20
峰值正向浪涌电流，
安培
1.5
50
40
30
20
10
0
T
A
=50°C
8.3ms单半正弦波
T
J
=25°C
空载
在额定
负荷（ JEDEC的方法）
0.375 QUOT ;设计（9.5mm ）引线长度
50
75
100
125
150
175
环境温度下，
°C
1
10
周期数的AT 60 H
Z
100
图。 3 - 典型瞬时
正向特性
图。 4 - 典型的反向特性
10
瞬时正向电流，
安培
T
J
=150°C
T
J
=25°C
10
瞬时反向电流，
微安
T
J
=125°C
1
脉冲宽度= 300μS
1 ％占空比
1
0.1
0.1
T
J
=25°C
0.01
0.4
0.01
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
0
20
40
60
80
100
正向电压，
伏
百分之额定峰值反向电压， ％
图。 5 - 典型结电容
30
结电容， pF的
T
J
=25°C
F = 1.0 MHz的
Vsig=50mVp-p
10
1
1
10
反向电压，伏
100
QQ：2881677436 复制
