CFY66
HiRel它
K波段砷化镓超低噪声HEMT
HiRel它
离散和微波半导体
常规的铝镓砷/砷化镓HEMT
（对于新的设计，我们建议使用我们的
伪Morphic的HEMT CFY67 ）
对于专业超低噪声放大器
对于频率从500 MHz到> 20 GHz的
密封微波包装
超低噪声，高增益相关
空间QUALI网络版
ESA / SCC详细规格。编号： 5613/002 ，
VARIANT类型号对应01 04
4
3
1
2
防静电：静电放电
敏感的设备，观察处理注意事项！
TYPE
记号
订购代码引脚配置
1
2
S
3
D
4
S
包
CFY66-08 （ QL ）
CFY66-08P （ QL ）
CFY66-10 （ QL ）
CFY66-10P （ QL ）
-
见下文
G
微-X
CFY66 - NNL ：指定的增益和输出功率电平（参见电气特性）
（ QL ）质量等级：
P：专业品质，
H：高相对质量，
S：空间品质，
ES ： ESA空间品质，
订购代码：
订购代码：
订购代码：
订购代码：
根据要求
根据要求
根据要求
根据要求
（见订货举例为了说明）
半导体集团
1第8
吃水d ， 99年9月
CFY66
最大额定值
参数
漏源电压
漏极 - 栅极电压
栅极 - 源极电压（向后/向前）
漏电流
门正向电流
RF输入功率， C和X波段
1)
结温
存储温度范围
总功耗
2)
符号
V
DS
V
DG
V
GS
I
D
I
G
P
RF ，在
T
J
T
英镑
P
合计
T
SOL
值
3.5
4.5
- 3... + 0.5
60
2
+ 10
150
- 65... + 150
200
230
单位
V
V
V
mA
mA
DBM
°C
°C
mW
°C
焊接温度
3)
热阻
结焊接点
注意事项：
R
日JS
≤
515 （TBC ）。
K / W
1）当V
DS
≤
2 V.对于V
DS
> 2 V ，降额要求。
2 ）在T
S
= + 47 ℃。对于T
S
> + 47 ° C降额要求。
3）在15秒。最大。在同一终端不得resoldered直到凌晨3分钟内，
已过。
半导体集团
2第8
吃水d ， 99年9月
CFY66
电气特性
（续）
参数
符号
分钟。
值
典型值。
马克斯。
单位
AC特性
噪声系数
1)
V
DS
= 2 V，I
D
= 10 mA时， F = 12 GHz的
CFY66-08 ， -08P
CFY66-10 ， 10P
相关增益。
1)
V
DS
= 2 V，I
D
= 10 mA时， F = 12 GHz的
CFY66-08 ， -08P
CFY66-10 ， 10P
1 dB增益压缩输出功率
V
DS
= 2 V，I
D
= 20 mA时， F = 12 GHz的
CFY66-06 ， -08 ， -10
CFY66-08P ， -10P
注意事项：
1 ）噪声系数/ sssociated增益特性给出了最小噪声系数匹配
条件（固定的通用匹配，无微调） 。
2 ）输出功率的特性给出了最佳的输出功率匹配条件（固定
通用匹配，无微调） 。
2)
NF
-
-
G
a
10.0
9.5
P
1dB
-
10.0
11.0
11.0
-
-
11.0
10.5
-
-
0.7
0.9
0.8
1.0
dB
dB
DBM
半导体集团
4 8
吃水d ， 99年9月
CFY66
典型的公共源S参数
f
| S11 | <S11
[千兆赫] [ MAGN ] [角度]
1,0
0,990
-21
2,0
0,960
-39
3,0
0,920
-57
4,0
0,880
-77
5,0
0,830
-95
6,0
0,790 -111
7,0
0,749 -124
8,0
0,720 -137
9,0
0,690 -150
10,0 0,670 -165
11,0 0,649
179
12,0 0,628
164
13,0 0,610
151
14,0 0,597
138
15,0 0,584
121
16,0 0,580
104
17,0 0,580
89
18,0 0,580
74
CFY66-08 ： V
DS
= 2 V,
| S21 | <S21 | S12 |
[ MAGN ] [角度] [ MAGN ]
4,451
161 0,0260
4,282
144 0,0460
4,148
126 0,0650
3,979
108 0,0830
3,727
93 0,0940
3,444
78 0,1000
3,206
64 0,1060
3,029
50 0,1110
2,907
38 0,1130
2,845
25 0,1190
2,787
11 0,1210
2,699
-3
0,1200
2,614
-16 0,1200
2,584
-28 0,1190
2,550
-42 0,1180
2,484
-56 0,1170
2,461
-71 0,1150
2,456
-86 0,1160
I
D
= 10毫安，Z
o
= 50
<S12 | S22 | <S22 K-事实。 S
21
/S
12
MAG
[角度] [ MAGN ] [角度] [ MAGN ] [分贝]
[分贝]
70
0,649
-16
0,14
22,3
61
0,623
-29
0,19
19,7
49
0,589
-43
0,27
18,0
37
0,560
-57
0,32
16,8
25
0,532
-70
0,39
16,0
14
0,506
-83
0,47
15,4
6
0,490
-94
0,55
14,8
-3
0,463 -103
0,63
14,4
-11
0,440 -113
0,70
14,1
-20
0,420 -121
0,74
13,8
-28
0,400 -130
0,79
13,6
-37
0,385 -143
0,84
13,5
-46
0,370 -153
0,91
13,4
-55
0,355 -162
0,96
13,4
-66
0,340 -172
1,01
13,3
12,8
-76
0,330
178
1,05
13,3
11,9
-87
0,325
169
1,08
13,3
11,5
-100 0,320
160
1,09
13,3
11,4
典型的共源噪声参数
V
DS
= 2 V，I
D
= 10毫安，Z
o
= 50
NF
民
R
n
|Γ
选择
|
＆ LT ;?
选择
[分贝]
[ MAGN ]
[视角]
[]
0,27
0,770
16
17,85
0,31
0,720
30
16,55
0,35
0,672
43
15,27
0,38
0,634
57
13,75
0,42
0,604
71
11,99
0,46
0,578
85
10,04
0,50
0,558
100
8,15
0,55
0,541
114
6,30
0,60
0,528
128
4,74
0,65
0,517
143
3,45
0,70
0,506
157
2,58
0,74
0,496
171
2,16
0,79
0,485
-175
2,27
0,85
0,472
-160
2,88
0,89
0,457
-146
3,99
0,95
0,437
-132
5,59
1,00
0,415
-118
7,63
1,06
0,389
-102
9,96
CFY66-08 ：
f
[千兆赫]
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
半导体集团
5 8
吃水d ， 99年9月
QQ：2880707522 复制
