CF5035系列
1.8V ，高频晶体振荡器模块集成电路
概观
对CF5035系列1.8V操作，高频晶体振荡器模块集成电路。他们支持将70MHz
165MHz的（ 1.8V ），并为70MHz到220MHz的（ 2.5 3.3V ），第3谐波振荡，振荡的根本
模式。晶体振荡器电路是一个考毕兹振荡器必需的振荡器电容和馈
背面的电阻内置。振荡特性功能变化不大与电源电压，提供台站
BLE振荡在很宽的电源电压范围。该输出电路包括一个CMOS缓冲器，其可以操作
在高频率和驱动一个15pF的电容负载。该设备使用一个专有的BiCMOS制造
过程与振荡器电路和输出缓冲器的单个芯片上，从而使它们适合作为贴片型高频
低频晶体振荡器。
特点
I
I
I
I
I
I
I
1.6至3.6V工作电压范围
振荡频率范围（不同版本）
1.6至3.6V ：将70MHz 165MHz的
2.25至3.6V ：将70MHz 220MHz的
- 40-85
°
C的工作温度范围
振荡电容器内置
逆变器放大器呃反馈电阻内置
振荡检测功能内置
待机功能
在待机模式下的高阻抗，振荡停止
I
I
I
I
I
I
低待机电流
省电上拉电阻内置
CMOS输出工作水平
15pF的负载输出
8毫安输出驱动能力（V
DD
= 1.6V)
BiCMOS工艺
芯片形式（ CF5035AL
×
)
应用
I
1.8V ，高频晶体振荡器模块的
系列CON组fi guration
VERSION
CF5035ALA
CF5035ALB
CF5035ALC
CF5035ALD
2.25 3.6
1.6 3.6
工作电源
电压范围[V]
推荐工作
频带
1
[兆赫]
70至95
95 125
125 165
165至220
内置电容[ pF的]
C
IN
4
4
2
1
C
OUT
4
4
2
1
1.推荐工作频率是用于NPC的特性晶体派生的尺度值authentica-
化。然而，振荡器频带不被保证。具体来说，该特性可以相差很大，由于晶
特性和安装条件下，这样的组件的振荡特性，必须仔细评估。
订购信息
设备
CF5035AL
×
–1
包
芯片形式
精工NPC株式会社-1
CF5035系列
AC特性
推荐的操作条件下，除非另有说明。
等级
参数
符号
条件
民
输出占空比
税
测量CCT 1 ， TA = 25
°
C,
C
L
= 15pF的
V
DD
= 2.25 3.6V
V
DD
= 1.6 2.25V
45
40
–
–
–
–
–
–
典型值
50
50
1
1.5
1
1.5
–
–
最大
55
60
2
2.5
2
2.5
2
200
%
%
ns
ns
ns
ns
ms
ns
单位
t
r1
上升时间
t
r2
t
f1
下降时间
t
f2
输出使能延时
1
输出禁止延迟时间
t
OE
t
OD
测量CCT 1 ，C
L
= 15pF的，V
DD
= 2.25 3.6V ，
0.1V
DD
至0.9V
DD
测量CCT 1 ，C
L
= 15pF的，V
DD
= 1.6 2.25V ，
0.2V
DD
到0.8V
DD
测量CCT 1 ，C
L
= 15pF的，V
DD
= 2.25 3.6V ，
0.9V
DD
到0.1V
DD
测量CCT 1 ，C
L
= 15pF的，V
DD
= 1.6 2.25V ，
0.8V
DD
到0.2V
DD
测量CCT 2 ， TA = 25
°
C, C
L
≤
15pF,
INHN = LOW
→
高
测量CCT 2 ， TA = 25
°
C, C
L
≤
15pF,
INHN = HIGH
→
低
1.振荡器停止功能是内置的。当INHN变低，正常输出停止。当INHN变为高电平，正常的输出也不会恢复，直到后
振荡器的起振时间已过。
时序图
0.9V
DD
0.8V
DD
0.2V
DD
0.1V
DD
0.9V
DD
0.8V
DD
0.2V
DD
0.1V
DD
Q
T
W
T
占空比测量
电压（ 0.5V
DD
)
DUTY = T
W
/ T 100 (%)
t
r
2
t
r
1
t
f2
t
f1
图1.输出开关波形
INHN
V
IH
V
IL
t
OD
Q
高阻
t
OE
图2.输出禁用/启用时序图
精工NPC株式会社-5
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