【SM5022系列日本制精密电路有限公司。晶体振荡器模块集成电路概观在SM5022系列晶体振荡器模块集】,IC型号CF5022A1-2,CF5022A1-2 PDF资料,CF5022A1-2经销商,ic,电子元器件-51电子网

SM5022系列

日本制精密电路有限公司。

晶体振荡器模块集成电路

概观

在SM5022系列晶体振荡器模块集成电路

制作人大钼栅CMOS ，即

结合高频率，低电流消耗

灰振荡器和输出缓冲器电路。高度

准确thin-液膜反馈电阻和高频

昆西电容器内置，省去了

对外部元件制成一种稳定的fundamen-

TAL谐振荡器。

特点

系列CON组fi guration

供应Voltag ê

芯片

SM5022A1H

SM5022A2H

SM5022A3H

SM5022A4H

SM5022A5H

SM5022A7H

SM5022B1H

SOT

VERSION

推荐

工作频率

响了E（兆赫）

INA

高达30MHz的操作

基本振荡

电容CG ， CD内置

逆变器放大器呃反馈电阻内置

TTL输入电平

4毫安（V

= 2.7 V ）驱动能力

8毫安（V

= 4.5 V ）驱动能力

输出三态功能

2.7至5.5 V电源电压（A

系列）

4.5至5.5 V电源电压（B

系列）

振荡器的输出频率（F

, f

/2, f

/4, f

通过内部连接确定）

6引脚SOT （ SM5022

××

芯片形式（ CF5022

××

)

内建的

电容

（PF ）

–

LIM

2.75.5

4到24个

4至30

2.75.5

4至30

–

2.75.5

4.5 5.5

4至30

P ackag ê

6引脚SOT

芯片形式

2.75.5

4.5 5.5

–

PRE

1.芯片形式的设备有指定CF5022

××

订购信息

D E副

S M 5 0 2 2

××

C 2 F 5 0 2 2

××

–2

比

)

产量

频率

产量

水平

600

fo/2

fo/4

fo/8

CMOS

TTL

S T一N D通过

输出状态

高

阻抗

高

阻抗

高

阻抗

高

阻抗

高

阻抗

高

阻抗

高

阻抗

日本制精密电路- 1

SM5022系列

包装尺寸

（单位：毫米）

6引脚SOT

2.9

0.2

PRE

日本制精密电路- 2

LIM

0.1

0.4

0.1

0.12

0 0.15

0.95

1.1

0.1

1.9

0.2

INA

0.15

0.05

0.1

1.6

0.1

2.8

0.3

0.2

0.45

0.15

SM5022系列

焊盘布局

（单位：

引脚

（ TOP VIEW ）

HA5022

（0,0）的VSS

(1000,800)

VDD

芯片尺寸： 1.00

0.80 mm

切屑厚度： 220 ± 30微米

芯片基地： V

D D

水平

引脚说明和焊盘尺寸

数

名字

INH

I / O

INA

描述

铬石英晶体振荡器的连接引脚。

CR振荡器，石英晶体连接XT和X T卷之间

铬石英晶体振荡器的连接引脚。

CR振荡器，石英晶体连接XT和X T卷之间

XT INH

INH

VDD

VSS

P的广告尺寸（微米）

834

637

165

162

859

804

217

165

637

450

604

VSS

VDD

框图

PRE

LIM

扩增fi er输入。

地

–

电源电压

扩增fi er输出。

输出状态控制输入。高阻抗低的时候。上拉电阻内置于

输出。输出频率（f

, f

/2, f

/4, f

/ 8）内部连接确定

VDD VSS

1/2

INH

（ INH ：低电平有效）

日本制精密电路- 3

SM5022系列

特定网络阳离子

绝对最大额定值

= 0 V

P ARAMETER

电源电压范围

输入电压范围

输出电压范围

工作温度范围

存储温度范围

输出电流

POW ER耗散

符号

OUT

OPR

芯片形式

英镑

O u那样牛逼

6引脚SOT

条件

等级

单位

推荐工作条件

= 0 V，F

≤

为30MHz ，C

≤

15pF

P ARAMETER

电源电压

输入电压

符号

INA

6引脚SOT

250

等级

典型值

–

条件

民

2.7

–

0.5 V

D D

+ 0.5

0.5 V

D D

+ 0.5

4085

65 150

55 125

最大

5.5

为0.5 7.0

单位

工作温度

注：推荐的操作条件将根据工作频率，负载容量，或者用的电损耗变化。

PRE

日本制精密电路- 4

LIM

O·P

SM5022系列

电气特性

3 V工作：一

系列

= 2.7 3.6 V ，V

= 0 V ，TA =

20至80

C除非另有说明。

等级

P ARAMETER

高电平输出电压

1。· W - 电平输出电压

输出漏电流

高电平输入电压

1。· W - 电平的输入电压

消耗电流

我N·H拉电阻

反馈电阻

符号

D D

内置电容

条件

问：测量CCT 1 ，V

D D

= 2.7 V，I

= 4μm的

问：测量CCT 2 ，V

D D

= 2.7 V，I

0 1

= 4μm的

单位

2.1

–

2.4

–

0.3

–

0.4

–

2.0

–

0.5

250

1000

8.56

10.7

–

100

600

200

CF5022A1

CF5022A3

CF5022A5

CF5022A7

7.44

9.3

等级

民

3.9

–

2.0

–

典型值

4.2

0.3

–

最大

–

0.4

–

0.8

–

200

100

600

250

1000

8.56

10.7

CF5022A1

CF5022A3

CF5022A5

CF5022A7

CF5022B1

7.44

9.3

民

典型值

最大

问：测量CCT 2 ，V

D D

= 3.6 V ， I N H = 1。· W，V

= V

D D

问：测量CCT 2 ，V

D D

= 3.6 V ， I N H = 1。· W，V

0 1

= V

S S

INH

I N H =打开，测量CCT 3 ，负载CCT 1 ，C

= 15 P楼

30 MHz的石英晶体CR振荡器

测量CCT 4

测量CCT 5

设计值，由确定

内部晶片图案

5 V工作：一

系列/ B

系列

= 4.5 5.5 V ，V

= 0 V ，TA =

20至80

C除非另有说明。

P ARAMETER

符号

条件

单位

高电平输出电压

1。· W - 电平输出电压

输出漏电流

高电平输入电压

1。· W - 电平的输入电压

PRE

消耗电流

D D

我N·H拉电阻

反馈电阻

内置电容

LIM

INH

I N H =打开，测量CCT 3 ，

负载CCT 1 ，C

= 15 P楼

30 MHz的石英晶体CR振荡器

I N H =打开，测量CCT 3 ，

负载CCT 2 ，C

= 15 P楼

30 MHz的石英晶体CR振荡器

测量CCT 4

测量CCT 5

设计值，由确定

内部晶片图案

问：测量CCT 1 ，V

D D

= 4.5 V，I

= 8μm的

问：测量CCT 2 ，V

D D

= 4.5 V，I

0 1

= 8μm的

问：测量CCT 2 ，V

D D

= 5.5 V ， I N H = 1。· W，V

= V

D D

问：测量CCT 2 ，V

D D

= 5.5 V ， I N H = 1。· W，V

0 1

= V

S S

INA

SM5022A1H,

SM5022A3H,

SM5022A5H,

SM5022A7H,

S M 5 0 2 2将

H， CF5022A

S M 5 0 2 2 B

H， CF5022B

SM5022A1H,

SM5022A3H,

SM5022A5H,

SM5022A7H,

SM5022B1H,

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