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CF5020系列
高频率,第三泛音晶体振荡器模块集成电路
概观
对CF5020系列是高频,第三泛音晶体振荡器模块集成电路。它们集成了一个振荡
器电路,并且在高频下操作的单个芯片上的输出缓冲器。所述振荡器电路采用
CMOS反相器和一个内置的阻尼电阻R
D
,降低了晶体的电流与现有相比
设备。阻尼电阻R
D
使用NPC独有的高精度的制造thin-液膜电阻技
术,其抑制振荡的特性变化,由于到一个微型的温度变化和电压
妈妈。的CF5020系列可被用于构造稳定,高频率,第三谐波晶体振荡器。
特点
I
I
I
I
I
I
R
D
内置的,以减少在振荡晶体电流
器电路
2.25至3.6V工作电压范围
推荐的工作频率范围
(不同版本)
2.5V操作: 60 155MHz的
3.0V操作: 60 170MHz的
- 40-85
°
C的工作温度范围
振荡器电容具有优良的频率
响应内置
反馈电阻具有良好的温度字符
开创性意义内置
I
I
I
I
I
I
I
I
待机功能
在待机模式下的高阻抗,振荡停止
低待机电流
省电上拉电阻内置
振荡检测功能
CMOS输出工作水平( 1 / 2VDD )
50
±
5 %的输出占空比( 1 / 2VDD )
30pF的负载输出( 3.3V操作)
钼栅CMOS工艺
芯片形式( CF5020AL
×
)
应用
I
晶体振荡器模块(第3谐波振荡)
系列CON组fi guration
推荐工作
频带
*1
[兆赫]
克比
2.5V操作3.0V操作
CF5020ALA
CF5020ALB
CF5020ALC
CF5020ALD
60至80
70至115
105 135
110 155
60至90
80至125
115 145
135 170
0.6
0.8
1.0
1.0
振荡电路常数
内置容量阻尼反馈
电阻阻值
C
G
[ pF的]
D
[ pF的]
RF [K
]
R
D
[
]
4
3
1
1
7
3
3
5
2.5
4.5
3.3
2.2
200
57
CMOS
57
57
是的
阻抗
INHN
输入
水平
待机模式
振荡器
停止
功能
产量
状态
VERSION
* 1 。推荐的工作频率是用于NPC的特性鉴定晶体派生的尺度值。然而,在该振荡器
器频段不能保证。具体来说,该特性会由于水晶的特性和安装条件差别很大,所以
部件的振动特性,必须仔细评估。
订购信息
设备
CF5020AL
×
–2
芯片形式
日本制精密Circuits公司- 1
CF5020系列
焊盘布局
(单位:
m)
(900,1050)
VDD
Q
Y
HA5020
全国人民代表大会
VSS
INHN
(0,0)
XT XTN
X
芯片尺寸: 0.9
×
1.05mm
芯片厚度: 220μm ± 30μm的
PAD尺寸: 90微米
芯片基地: V
DD
水平
引脚说明和焊盘尺寸
焊盘尺寸(微米)
名字
I / O
描述
X
INHN
XT
XTN
VSS
Q
VDD
I
I
O
O
输出状态控制输入。当LOW (振荡器停止工作)高阻抗。
节电拉电阻内置。
扩增fi er输入
扩增fi er输出
( - )地
产量
( + )电源电压
晶体连接引脚。
水晶连接XT和XTN之间。
144.6
347.8
560.6
755.4
755.4
151.4
Y
190.6
171
171
497.8
905.4
918.2
框图
VDD VSS
XTN
C
G
R
f 1
C
f
C
D
R
D
XT
R
f 2
Q
INHN
INHN =低电平有效
日本制精密Circuits公司- 2
CF5020系列
特定网络阳离子
绝对最大额定值
V
SS
= 0V
参数
电源电压范围
输入电压范围
输出电压范围
工作温度范围
存储温度范围
输出电流
符号
V
DD
V
IN
V
OUT
T
OPR
T
英镑
I
OUT
条件
等级
0.5 7.0
0.5 V
DD
+ 0.5
0.5 V
DD
+ 0.5
40 85
65 150
25
单位
V
V
V
°
C
°
C
mA
推荐工作条件
CF5020ALA , CF5020ALB
3V操作
V
SS
= 0V
等级
参数
符号
条件
C
L
15pF
工作电源电压范围
V
DD
f
125MHz
C
L
30pF
2.7
3.0
2.7
*1
V
SS
40
典型值
最大
3.6
3.6
3.6
*1
V
DD
+85
V
V
V
V
°
C
单位
输入电压范围
工作温度范围
V
IN
T
OPR
* 1 。输出占空比变化的增加比其他条件。
2.5V操作
V
SS
= 0V
等级
参数
符号
f
106MHz
工作电源电压范围
V
DD
f
70MHz
f
125MHz
输入电压范围
工作温度范围
V
IN
T
OPR
条件
C
L
15pF
C
L
30pF
C
L
15pF
2.25
2.25
2.25
*1
V
SS
40
典型值
最大
2.75
2.75
2.75
*1
V
DD
+85
V
V
V
V
°
C
单位
* 1 。输出占空比变化的增加比其他条件。
日本制精密Circuits公司- 3
CF5020系列
CF5020ALC , CF5020ALD
3V操作
V
SS
= 0V
等级
参数
符号
f
170MHz
f
125MHz
条件
工作电源电压范围
输入电压范围
工作温度范围
V
DD
V
IN
T
OPR
C
L
15pF
C
L
30pF
2.7
2.7
V
SS
40
典型值
最大
3.6
3.6
V
DD
+85
V
V
V
°
C
单位
2.5V操作
V
SS
= 0V
等级
参数
工作电源电压范围
输入电压范围
工作温度范围
符号
V
DD
V
IN
T
OPR
f
155MHz
条件
C
L
15pF
2.25
V
SS
40
典型值
最大
2.75
V
DD
+85
V
V
°
C
单位
日本制精密Circuits公司- 4
CF5020系列
电气特性
2.5V操作
V
DD
= 2.25 2.75V ,V
SS
= 0V ,TA =
40 85
°
C除非另有说明。
等级
参数
高电平输出电压
低电平输出电压
高电平输入电压
低电平输入电压
输出漏电流
符号
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
Z
条件
问:测量CCT 1 ,V
DD
= 2.25V ,我
OH
= 8毫安
问:测量CCT 2 ,V
DD
= 2.25V ,我
OL
= 8毫安
INHN
INHN
问:测量CCT 2 , INHN = LOW
V
OH
= V
DD
V
OL
= V
SS
C
L
= 15pF的
F = 80MHz的
CF5020ALA
C
L
= 30pF的
F = 70MHz时
测量CCT 3 ,
负载CCT 1 ,
INHN =开
C
L
= 15pF的
F = 106MHz
CF5020ALB
C
L
= 30pF的
F = 70MHz时
CF5020ALC
CF5020ALD
待机电流
INHN上拉电阻
I
ST
R
UP1
R
UP2
CF5020ALA
交流反馈电阻
R
f1
设计值。
晶片上的监视器模式进行测试。
CF5020ALB
CF5020ALC
CF5020ALD
直流反馈电阻
R
f2
测量CCT 5
CF5020ALA
振荡器扩增fi er输出
阻力
R
D
设计值。
晶片上的监视器模式进行测试。
CF5020ALB
CF5020ALC
CF5020ALD
交流反馈电容
C
f
设计值。晶片上的监视器模式进行测试。
CF5020ALA
C
G
设计值。
晶片上的监视器模式进行测试。
CF5020ALB
CF5020ALC
CF5020ALD
内置电容
CF5020ALA
C
D
设计值。
晶片上的监视器模式进行测试。
CF5020ALB
CF5020ALC
CF5020ALD
5.95
2.55
2.55
4.25
7
3
3
5
8.05
3.45
3.45
5.75
pF
pF
pF
pF
测量CCT 3 , INHN = LOW
测量CCT 4
50
2.12
3.82
2.80
1.87
50
170
48.4
48.4
48.4
8.5
3.40
2.55
0.85
0.85
100
2.5
4.5
3.3
2.2
100
200
57
57
57
10
4
3
1
1
150
2.88
5.18
3.80
2.53
150
230
65.6
65.6
65.6
11.5
4.60
3.45
1.15
1.15
k
k
k
k
k
k
pF
pF
pF
pF
pF
C
L
= 15pF的
F =为135MHz
C
L
= 15pF的
F = 155MHz的
2
20
25
30
6
50
60
70
3
12
mA
mA
mA
A
M
20
20
50
50
mA
mA
1.75
0.7V
DD
典型值
1.95
0.3
15
最大
0.4
0.3V
DD
10
10
40
V
V
V
V
A
A
mA
单位
消耗电流
I
DD
日本制精密Circuits公司- 5
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