CF5017系列
第三泛音晶体振荡器模块集成电路
概观
对CF5017系列第三泛音晶体振荡器芯片。器件可提供3次泛音
振荡的范围在30MHz至80MHz的。振荡电路是由反馈电阻器具有良好的
与稳定的第3个泛音良好的频率响应的温度特性和振荡电容
振荡。此外，该芯片布局进行优化，从而导致大量减少芯片表面面积相比
现有的设备。
特点
I
I
I
I
I
I
I
2.7至5.5V工作电压范围
30MHz到80MHz的振荡频率范围
（不同版本）
- 40-85
°
C的工作温度范围
振荡电容器内置
C
G
=为8pF ，C
D
= 15pF的
逆变器放大器呃反馈电阻内置
待机功能
在待机模式下的高阻抗，振荡停止
低待机电流
省电上拉电阻内置
I
I
I
I
I
I
I
f
O
输出频率（振荡频率）
输出驱动能力
= 8毫安（V
DD
= 2.7V)
16毫安（V
DD
= 4.5V)
CMOS输出工作水平（ 1 / 2VDD ）
50
±
5 ％的输出占空比（ 1 / 2VDD ）
30pF的负载输出
钼栅CMOS工艺
芯片形式（ CF5017AL
×
)
系列CON组fi guration
操作
电源电压
范围[V]的
2.75.5
2.75.5
2.75.5
2.7 3.6
推荐工作
频带
1
[兆赫]
3V操作
30至36
36至50
44 60
53至80
5V操作
30至44
40至60
60至80
–
0.25
0.50
8
CF5017ALC
CF5017ALD
0.75
1.00
15
3.5
3.0
内置电容[ pF的]
克比
C
G
C
D
Rf
[k
]
3.5
3.5
VERSION
CF5017ALA
CF5017ALB
1.推荐工作频率是用于NPC的特性鉴定晶体派生的尺度值。然而，该
振荡器的频带不被保证。具体来说，该特性可以相差很大，由于水晶的特性和安装条件
型，从而部件的振动特性，必须仔细评估。
订购信息
设备
CF5017AL
×
–2
包
芯片形式
精工NPC株式会社-1
CF5017系列
焊盘布局
（单位：
m)
(720,730)
VDD
HA5017
全国人民代表大会
Q
VSS
Y
INHN
(0,0)
XT
X
XTN
芯片尺寸： 0.72
×
0.73mm
切屑厚度： 220 ± 30μm的
PAD尺寸： 90微米
芯片基地： V
DD
水平
引脚说明和焊盘尺寸
焊盘尺寸（微米）
名字
I / O
描述
X
INHN
XT
XTN
VSS
Q
VDD
I
I
O
–
O
–
输出状态控制输入。当LOW （振荡器停止工作）高阻抗。
节电拉电阻内置。
扩增fi er输入
扩增fi er输出
地
输出。输出频率。在待机模式下的高阻抗
电源电压
晶体连接引脚。
水晶连接XT和XTN之间。
151
238
503
588
588
131
Y
277
131
131
345
598
598
框图
VDD VSS
XTN
C
G
R
f1
C
f
C
D
XT
R
f2
Q
INHN
INHN =低电平有效
精工NPC株式会社-2
CF5017系列
特定网络阳离子
绝对最大额定值
V
SS
= 0V
参数
电源电压范围
输入电压范围
输出电压范围
工作温度范围
存储温度范围
输出电流
符号
V
DD
V
IN
V
OUT
T
OPR
T
英镑
I
OUT
条件
等级
0.5 7.0
0.5 V
DD
+ 0.5
0.5 V
DD
+ 0.5
40 85
65 150
20
单位
V
V
V
°
C
°
C
mA
推荐工作条件
3V操作（ CF5017ALA ， ALB ， ALC ， ALD ）
V
SS
= 0V ，女
≤
为80MHz ，C
L
≤
30pF
参数
电源电压范围
输入电压范围
工作温度范围
符号
V
DD
V
IN
T
OPR
条件
等级
2.7 3.6
V
SS
到V
DD
40 85
单位
V
V
°
C
5V操作（ CF5017ALA ， ALB ， ALC ）
V
SS
= 0V ，女
≤
为80MHz ，C
L
≤
30pF
参数
电源电压范围
输入电压范围
工作温度范围
符号
V
DD
V
IN
T
OPR
条件
等级
4.5 5.5
V
SS
到V
DD
40 85
单位
V
V
°
C
SEIKO NPC公司-3
CF5017系列
电气特性
3V操作（ CF5017ALA ， ALB ， ALC ， ALD ）
V
DD
= 2.7 3.6V ，V
SS
= 0V ，TA =
40 85
°
C除非另有说明。
等级
参数
高电平输出电压
低电平输出电压
高电平输入电压
低电平输入电压
输出漏电流
符号
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
Z
条件
民
问：测量CCT 1 ，V
DD
= 2.7V ，我
OH
= 8毫安
问：测量CCT 2 ，V
DD
= 2.7V ，我
OL
= 8毫安
INHN
INHN
问：测量CCT 2 ， INHN = LOW
V
OH
= V
DD
V
OL
= V
SS
CF5017ALA
F = 30MHz的
CF5017ALB
F = 40MHz的
CF5017ALC
F = 60MHz的
CF5017ALD
F = 80MHz的
待机电流
INHN上拉电阻
I
ST
R
UP1
R
UP2
CF5017ALA
交流反馈电阻
R
f1
设计值。在监视器模式
晶片测试。
CF5017ALB
CF5017ALC
CF5017ALD
直流反馈电阻
交流反馈电容
内置电容
R
f2
C
f
C
G
C
D
测量CCT 5
设计值。晶片上的监视器模式进行测试。
设计值。晶片上的监视器模式进行测试。
12.7
15
17.3
pF
测量CCT 3 ， INHN = LOW
测量CCT 4
30
2.97
2.97
2.97
2.55
50
8.5
6.8
150
3.5
3.5
3.5
3.0
–
10
8
300
4.03
4.03
4.03
3.45
150
11.5
9.2
2.2
–
0.7V
DD
–
–
–
–
–
–
–
–
2
典型值
2.4
0.3
–
–
–
–
7
10
14
19
–
4
最大
–
0.4
–
0.3V
DD
10
10
14
20
28
38
5
8
V
V
V
V
A
A
mA
mA
mA
mA
A
M
k
k
k
k
k
k
pF
pF
单位
消耗电流
I
DD
测量CCT 3 ，负载CCT 1 ，
INHN =开，C
L
= 30pF的
精工NPC株式会社-4
CF5017系列
5V操作（ CF5017ALA ， ALB ， ALC ）
V
DD
= 4.5 5.5V ，V
SS
= 0V ，TA =
40 85
°
C除非另有说明。
等级
参数
高电平输出电压
低电平输出电压
高电平输入电压
低电平输入电压
输出漏电流
符号
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
Z
条件
民
问：测量CCT 1 ，V
DD
= 4.5V ，我
OH
= 16毫安
问：测量CCT 2 ，V
DD
= 4.5V ，我
OL
= 16毫安
INHN
INHN
问：测量CCT 2 ， INHN = LOW
V
OH
= V
DD
V
OL
= V
SS
CF5017ALA
F = 40MHz的
消耗电流
I
DD
测量CCT 3 ，负载CCT 1 ，
INHN =开，C
L
= 30pF的
CF5017ALB
F = 60MHz的
CF5017ALC
F = 80MHz的
待机电流
INHN上拉电阻
I
ST
R
UP1
R
UP2
CF5017ALA
交流反馈电阻
R
f1
设计值。在监视器模式
晶片测试。
测量CCT 5
设计值。晶片上的监视器模式进行测试。
设计值。晶片上的监视器模式进行测试。
12.7
15
17.3
pF
CF5017ALB
CF5017ALC
直流反馈电阻
交流反馈电容
内置电容
R
f2
C
f
C
G
C
D
测量CCT 3 ， INHN = LOW
测量CCT 4
20
2.97
2.97
2.97
50
8.5
6.8
100
3.5
3.5
3.5
–
10
8
200
4.03
4.03
4.03
150
11.5
9.2
3.9
–
0.7V
DD
–
–
–
–
–
–
–
1
典型值
4.2
0.3
–
–
–
–
16
26
35
–
2
最大
–
0.4
–
0.3V
DD
10
10
32
52
70
10
4
V
V
V
V
A
A
mA
mA
mA
A
M
k
k
k
k
k
pF
pF
单位
精工NPC株式会社-5
QQ：2880707522 复制
