CF5016系列
1.8V工作基频
晶体振荡器模块集成电路
概观
对CF5016系列1.8V操作晶振芯片。它们可用于频率高达50MHz 。
他们雇用操作在1.8V优化最近开发的低压过程中，产生稳定
操作在低电压，同时维持现有的设备相同的输出占空比的稳定性。他们是理想的
适用于电池供电的电子设备应用中，体积小，低电压工作和低
功率消耗是必要的。
特点
I
I
I
I
I
I
1.6至2.0V工作电压范围
高达50MHz的振荡频率范围
- 40-85
°
C的工作温度范围
振荡电容器内置
C
G
= 18pF之，C
D
= 18pF之
逆变器放大器呃反馈电阻内置
待机功能
在待机模式下的高阻抗，振荡停止
I
I
I
I
I
低待机电流
省电上拉电阻内置
f
O
, f
O
/2, f
O
/4, f
O
/ 8 ，或f
O
/ 16的输出频率，
通过内部连接确定
CMOS输出工作水平（ 1 / 2VDD ）
钼栅CMOS工艺
芯片形式（ CF5016AL
×
)
系列CON组fi guration
推荐工作
频带
1
[兆赫]
C
L
= 15pF的
CF5016AL1
CF5016AL2
CF5016AL3
CF5016AL4
CF5016AL5
4至50
4至30
18
18
C
L
= 30pF的
内置电容[ pF的]
C
G
C
D
f
O
f
O
/2
f
O
/4
f
O
/8
f
O
/16
是的
是的
是的
是的
是的
产量
频率
待机
功能
VERSION
1.推荐工作频率是用于NPC的特性鉴定晶体派生的尺度值。然而
以往，振荡器频带不被保证。具体来说，该特性可以极大地有所不同，因为晶体的特性
和安装条件下，这样的组件的振荡特性，必须仔细评估。
订购信息
设备
CF5016AL
×
–2
包
芯片形式
精工NPC株式会社-1
CF5016系列
焊盘布局
（单位：
m)
(720,680)
全国人民代表大会
VDD
Y
HA
5016
Q
VSS
INHN
(0,0)
XT
X
XTN
芯片尺寸： 0.72
×
0.68mm
切屑厚度： 220 ± 30μm的
PAD尺寸： 90微米
芯片基地： V
DD
水平
引脚说明和焊盘尺寸
焊盘尺寸（微米）
名字
I / O
描述
X
INHN
XT
XTN
VSS
Q
VDD
I
I
O
–
O
–
输出状态控制输入。当LOW （振荡器停止工作）高阻抗。
节电拉电阻内置。
扩增fi er输入
扩增fi er输出
地
输出。输出频率（f
O
, f
O
/2, f
O
/4, f
O
/8, f
O
/ 16）内部连接确定
电源电压
晶体连接引脚。
水晶连接XT和XTN之间。
151
238
512
588
588
131
Y
277
131
131
345
548
548
框图
VDD VSS
XTN
C
G
C
D
XT
R
f
1/2
1/2
1/2
1/2
Q
INHN
INHN =低电平有效
精工NPC株式会社-2
CF5016系列
特定网络阳离子
绝对最大额定值
V
SS
= 0V
参数
电源电压范围
输入电压范围
输出电压范围
工作温度范围
存储温度范围
输出电流
符号
V
DD
V
IN
V
OUT
T
OPR
T
英镑
I
OUT
条件
等级
0.5 3.6
0.5 V
DD
+ 0.5
0.5 V
DD
+ 0.5
40 85
65 150
12
单位
V
V
V
°
C
°
C
mA
推荐工作条件
V
SS
= 0V
参数
电源电压范围
输入电压范围
工作温度范围
工作频率范围
符号
V
DD
V
IN
T
OPR
f
OSC
C
L
≤
15pF
C
L
≤
30pF
条件
等级
1.6 2.0
V
SS
到V
DD
40 85
4至50
*1
4至30
单位
V
V
°
C
兆赫
兆赫
* 1 。当工作频率超过45MHz时，占空比变化趋于增加。
SEIKO NPC公司-3
CF5016系列
开关特性
V
DD
= 1.6 2.0V ，V
SS
= 0V ，TA =
40 85
°
C除非另有说明。
等级
参数
符号
t
r1
t
r2
输出下降时间
t
f1
t
f2
Duty1
输出占空比
1
Duty2
Duty3
输出禁止延迟时间
2
输出使能延时
2
t
PLZ
t
PZL
测量CCT 3 ，负载CCT 1 ，
V
DD
= 1.8V ， TA = 25
°
C
条件
民
输出上升时间
测量CCT 3 ，负载CCT 1 ，
0.2V
DD
到0.8V
DD
测量CCT 3 ，负载CCT 1 ，
0.8V
DD
到0.2V
DD
C
L
= 15pF的
C
L
= 30pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 30pF的
C
L
= 15pF的
F = 45MHz的
C
L
= 15pF的
F = 50MHz的
C
L
= 30pF的
F = 30MHz的
测量CCT 6 ，负载CCT 1 ，V
DD
= 1.8V ， TA = 25
°
C,
C
L
= 15pF的
–
–
–
–
45
40
45
–
–
典型值
2.5
4.0
2.5
4.0
–
–
–
–
–
最大
5.0
ns
8.0
5.0
ns
8.0
55
60
55
200
200
%
%
%
ns
ns
单位
1.占空比特性进行检验各生产批次的样品块。
2.振荡器停止功能是内置的。当INHN变低，正常输出停止。当INHN变为高电平，正常的输出也不会恢复，直到后
振荡器的起振时间已过。
消耗电流和输出波形与NPC的标准晶振
Cb
F [兆赫]
30
40
50
R []
5.26
8.24
16.12
L [ MH]
2.82
5.72
6.88
钙[ FF]
9.99
2.77
1.43
CB [ pF的]
2.68
2.22
1.18
L
Ca
R
功能说明
待机功能
当INHN变为低电平时，振荡器停止工作，并在Q振荡器输出变为高阻抗。
INHN
高（或打开）
低
Q
任何F
O
, f
O
/2, f
O
/4, f
O
/ 8或f
O
/ 16输出频率
高阻抗
振荡器
正常工作
停止
省电上拉电阻
响应于所述输入电平（高或低）的INHN拉电阻的变化。当INHN变低
（待机状态）时，上拉电阻变大，以降低待机期间的电流消耗。
精工NPC株式会社-5
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