CF5014系列
晶体振荡器模块集成电路
概观
对CF5014系列是基频晶体振荡器芯片。它们可用于频率高达
60MHz的。芯片布局进行优化,从而导致大量减少芯片尺寸,相对于现有
设备。
特点
I
I
I
I
I
I
2.7至5.5V工作电压范围
高达60MHz振荡频率范围
- 40-85
°
C的工作温度范围
振荡电容器内置
C
G
= 18pF之,C
D
= 18pF之
逆变器放大器呃反馈电阻内置
待机功能
在待机模式下的高阻抗,振荡停止
I
I
I
I
I
低待机电流
省电上拉电阻内置
f
O
, f
O
/2, f
O
/4, f
O
/ 8 ,或f
O
/ 16的输出频率,
通过内部连接确定
CMOS输出工作水平( 1 / 2VDD )
钼栅CMOS工艺
芯片形式( CF5014AL
×
)
系列CON组fi guration
推荐的工作频率范围
1
[兆赫]
VERSION
V
DD
= 2.7 3.6V
C
L
= 15pF的
CF5014AL1
CF5014AL2
CF5014AL3
CF5014AL4
CF5014AL5
4至60
4至40
4至60
18
18
C
L
= 30pF的
V
DD
= 4.5 5.5V
C
L
= 30pF的
内置电容
[ pF的]
C
G
C
D
f
O
f
O
/2
f
O
/4
f
O
/8
f
O
/16
是的
是的
是的
是的
是的
产量
频率
待机
功能
1.推荐工作频率是用于NPC的特性鉴定晶体派生的尺度值。然而,该
振荡器的频带不被保证。具体来说,该特性可以相差很大,由于水晶的特性和安装条件
型,从而部件的振动特性,必须仔细评估。
订购信息
设备
CF5014AL
×
–2
包
芯片形式
日本制精密Circuits公司- 1
CF5014系列
焊盘布局
(单位:
m)
(720,680)
全国人民代表大会
VDD
Y
HA
5014
Q
VSS
INHN
(0,0)
XT
X
XTN
芯片尺寸: 0.72
×
0.68mm
切屑厚度: 220 ± 30μm的
PAD尺寸: 90微米
芯片基地: V
DD
水平
引脚说明和焊盘尺寸
焊盘尺寸(微米)
名字
I / O
描述
X
INHN
XT
XTN
VSS
Q
VDD
I
I
O
–
O
–
输出状态控制输入。当LOW (振荡器停止工作)高阻抗。
节电拉电阻内置。
扩增fi er输入
扩增fi er输出
地
输出。输出频率(f
O
, f
O
/2, f
O
/4, f
O
/8, f
O
/ 16)内部连接确定
电源电压
晶体连接引脚。
水晶连接XT和XTN之间。
151
238
512
588
588
131
Y
277
131
131
345
548
548
框图
VDD VSS
XTN
C
G
C
D
XT
R
f
1/2
1/2
1/2
1/2
Q
INHN
INHN =低电平有效
日本制精密Circuits公司- 2