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CF5014系列
晶体振荡器模块集成电路
概观
对CF5014系列是基频晶体振荡器芯片。它们可用于频率高达
60MHz的。芯片布局进行优化,从而导致大量减少芯片尺寸,相对于现有
设备。
特点
I
I
I
I
I
I
2.7至5.5V工作电压范围
高达60MHz振荡频率范围
- 40-85
°
C的工作温度范围
振荡电容器内置
C
G
= 18pF之,C
D
= 18pF之
逆变器放大器呃反馈电阻内置
待机功能
在待机模式下的高阻抗,振荡停止
I
I
I
I
I
低待机电流
省电上拉电阻内置
f
O
, f
O
/2, f
O
/4, f
O
/ 8 ,或f
O
/ 16的输出频率,
通过内部连接确定
CMOS输出工作水平( 1 / 2VDD )
钼栅CMOS工艺
芯片形式( CF5014AL
×
)
系列CON组fi guration
推荐的工作频率范围
1
[兆赫]
VERSION
V
DD
= 2.7 3.6V
C
L
= 15pF的
CF5014AL1
CF5014AL2
CF5014AL3
CF5014AL4
CF5014AL5
4至60
4至40
4至60
18
18
C
L
= 30pF的
V
DD
= 4.5 5.5V
C
L
= 30pF的
内置电容
[ pF的]
C
G
C
D
f
O
f
O
/2
f
O
/4
f
O
/8
f
O
/16
是的
是的
是的
是的
是的
产量
频率
待机
功能
1.推荐工作频率是用于NPC的特性鉴定晶体派生的尺度值。然而,该
振荡器的频带不被保证。具体来说,该特性可以相差很大,由于水晶的特性和安装条件
型,从而部件的振动特性,必须仔细评估。
订购信息
设备
CF5014AL
×
–2
芯片形式
日本制精密Circuits公司- 1
CF5014系列
焊盘布局
(单位:
m)
(720,680)
全国人民代表大会
VDD
Y
HA
5014
Q
VSS
INHN
(0,0)
XT
X
XTN
芯片尺寸: 0.72
×
0.68mm
切屑厚度: 220 ± 30μm的
PAD尺寸: 90微米
芯片基地: V
DD
水平
引脚说明和焊盘尺寸
焊盘尺寸(微米)
名字
I / O
描述
X
INHN
XT
XTN
VSS
Q
VDD
I
I
O
O
输出状态控制输入。当LOW (振荡器停止工作)高阻抗。
节电拉电阻内置。
扩增fi er输入
扩增fi er输出
输出。输出频率(f
O
, f
O
/2, f
O
/4, f
O
/8, f
O
/ 16)内部连接确定
电源电压
晶体连接引脚。
水晶连接XT和XTN之间。
151
238
512
588
588
131
Y
277
131
131
345
548
548
框图
VDD VSS
XTN
C
G
C
D
XT
R
f
1/2
1/2
1/2
1/2
Q
INHN
INHN =低电平有效
日本制精密Circuits公司- 2
CF5014系列
特定网络阳离子
绝对最大额定值
V
SS
= 0V
参数
电源电压范围
输入电压范围
输出电压范围
工作温度范围
存储温度范围
输出电流
符号
V
DD
V
IN
V
OUT
T
OPR
T
英镑
I
OUT
条件
等级
0.5 7.0
0.5 V
DD
+ 0.5
0.5 V
DD
+ 0.5
40 85
65 150
12
单位
V
V
V
°
C
°
C
mA
推荐工作条件
3V操作
V
SS
= 0V
参数
电源电压
输入电压
工作温度
工作频率
符号
V
DD
V
IN
T
OPR
f
OSC
C
L
15pF
C
L
30pF
条件
等级
2.7 3.6
V
SS
到V
DD
40 85
4至60
4至40
单位
V
V
°
C
兆赫
兆赫
5V操作
V
SS
= 0V
参数
电源电压
输入电压
工作温度
工作频率
符号
V
DD
V
IN
T
OPR
f
OSC
C
L
30pF
条件
等级
4.5 5.5
V
SS
到V
DD
40 85
4至60
单位
V
V
°
C
兆赫
日本制精密Circuits公司- 3
CF5014系列
电气特性
3V操作
V
DD
= 2.7 3.6V ,V
SS
= 0V ,TA =
40 85
°
C除非另有说明。
等级
参数
高电平输出电压
低电平输出电压
高电平输入电压
低电平输入电压
输出漏电流
符号
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
Z
条件
问:测量CCT 1 ,V
DD
= 2.7V ,我
OH
= 4毫安
问:测量CCT 1 ,V
DD
= 2.7V ,我
OL
= 4毫安
INHN
INHN
问:测量CCT 2 , INHN = LOW
V
OH
= V
DD
V
OL
= V
SS
CF5014AL1
CF5014AL2
消耗电流
I
DD
测量CCT 3 ,负载CCT 1 ,
INHN =开,C
L
= 15pF的, F = 60MHz的
CF5014AL3
CF5014AL4
CF5014AL5
待机电流
INHN上拉电阻
反馈电阻
内置电容
I
ST
R
UP1
R
UP2
R
f
C
G
C
D
测量CCT 5
设计值。晶片上的监视器模式进行测试。
15.3
18
20.7
pF
测量CCT 3 , INHN = LOW
测量CCT 4
30
100
15.3
100
300
18
300
600
20.7
2.1
0.7V
DD
2
典型值
2.4
0.3
6.5
4
3
2.5
2
6
最大
0.4
0.3V
DD
10
10
13
8
6
5
4
5
18
V
V
V
V
A
A
mA
mA
mA
mA
mA
A
M
k
k
pF
单位
日本制精密Circuits公司- 4
CF5014系列
5V操作
V
DD
= 4.5 5.5V ,V
SS
= 0V ,TA =
40 85
°
C除非另有说明。
等级
参数
高电平输出电压
低电平输出电压
高电平输入电压
低电平输入电压
输出漏电流
符号
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
Z
条件
问:测量CCT 1 ,V
DD
= 4.5V ,我
OH
= 8毫安
问:测量CCT 1 ,V
DD
= 4.5V ,我
OL
= 8毫安
INHN
INHN
问:测量CCT 2 , INHN = LOW
V
OH
= V
DD
V
OL
= V
SS
CF5014AL1
CF5014AL2
消耗电流
I
DD
测量CCT 3 ,负载CCT 1 ,
INHN =开,C
L
= 30pF的, F = 60MHz的
CF5014AL3
CF5014AL4
CF5014AL5
待机电流
INHN上拉电阻
反馈电阻
内置电容
I
ST
R
UP1
R
UP2
R
f
C
G
C
D
测量CCT 5
设计值。晶片上的监视器模式进行测试。
15.3
18
20.7
pF
测量CCT 3 , INHN = LOW
测量CCT 4
10
100
15.3
50
300
18
150
600
20.7
k
k
pF
3.9
0.7V
DD
1
典型值
4.2
0.3
17
11.5
8.5
7
6
3
最大
0.4
0.3V
DD
10
10
34
23
17
14
12
10
9
V
V
V
V
A
A
mA
mA
mA
mA
mA
A
M
单位
日本制精密Circuits公司- 5
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    CF5014AL2
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    -
    -
    -
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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