SM5005系列
日本制精密电路有限公司。
晶体振荡器模块集成电路
概观
在SM5005系列晶体振荡器模块的IC ，结合了高频率，低电流消耗
灰振荡器和输出缓冲器电路。高度精确的thin-液膜反馈电阻和高频
电容器是内置的，无需外部元件，使稳定的3次谐波振荡。
特点
s
s
s
s
s
s
s
高频率运行
第三谐波振荡
电容CG ， CD内置
待机功能（振荡器停止工作）
功率节省上拉电阻内置
逆变器放大器呃反馈电阻内置
CMOS输入电平
s
s
s
s
s
s
s
8毫安（V
DD
= 2.7 V ）驱动能力
CMOS输出工作水平
输出三态功能
2.25至3.6 V电源电压
振荡器的输出频率
8引脚VSOP （ SM5005
×××
V)
芯片形式（ CF5005
×××
)
系列CON组fi guration
VERSION
1
推荐工作
频率（MHz）
克比
V
D D
= 2.25
2.75 V
S M 5 0 0 5 A L AV
SM5005ALBV
SM5005ALCV
2
CF5005ALD
3
60至70
–
–
50至60
V
D D
= 2.7
3.6 V
70至100
90至110
107到125
60至80
1.0
1.5
1.5
1.0
内置的电容（ pF）的
输出占空比
水平
产量
电流（mA ）
C
G
CMOS
CMOS
CMOS
CMOS
8
8
8
8
8
6
3
8
C
D
10
6
3
10
2.2
3.3
4.6
3.5
R
f
(k
)
1.芯片形式的设备有指定CF5005
×××
.
2.基于从Crystal MFG初步常量数据。
3.芯片的形式而已。
订购信息
D E副
S M 5 0 0 5
×××
V
C 2 F 5 0 0 5
×××
–1
P ackag ê
8引脚V S 0 P
芯片形式
日本制精密电路- 1
SM5005系列
焊盘布局
（单位：
m)
引脚
（ TOP VIEW ）
VDD
Q
(920,1310)
Y
（0,0）异烟肼XT XT VSS的
X
芯片尺寸： 0.92
×
1.31 mm
切屑厚度： 300 ± 30微米
芯片基地： V
D D
水平
引脚说明和焊盘尺寸
数
1
2
3
4
5
6
7
8
名字
INH
XT
XT
VSS
Q
NC
NC
VDD
I / O
I
I
O
–
O
–
–
–
描述
输出状态控制输入。振荡器停振，低的时候。 POW ER-节省上拉
电阻器内置
扩增fi er输入。
扩增fi er输出。
地
输出。输出频率（f
O
)
无连接
无连接
电源电压
铬石英晶体振荡器的连接引脚。
CR振荡器，石英晶体连接XT和X T卷之间
P的广告尺寸（微米）
X
195
385
575
766
765
–
–
162
Y
212
212
212
212
1152
–
–
1152
框图
VDD VSS
XT
C
G
R
f 1
C
f
C
D
HA5005AL
INH
XT
XT
VSS
1
2
3
4
8
7
6
5
VDD
NC
NC
Q
005AL
XT
R
f 2
Q
INH
日本制精密电路- 3
SM5005系列
电气特性
V
DD
= 2.7 3.6 V ，V
SS
= 0 V ，TA =
20至80
°
C除非另有说明。
等级
P ARAMETER
高电平输出电压
1。· W - 电平输出电压
输出漏电流
高电平输入电压
1。· W - 电平的输入电压
符号
V
OH
V
OL
I
Z
V
IH
V
IL
条件
民
问：测量CCT 1 ，V
D D
= 2.7 V，I
= 8μm的
问：测量CCT 2 ，V
D D
= 2.7 V，I
0 1
= 8μm的
问：测量CCT 2 ， I N H = 1。· W，
V
D D
= 3.6 V
INH
INH
I N H =开，
测量CCT 3 ，
负载CCT 1 ，
V
D D
= 3.0 V至3.6 V
F = 125 M·H
C
L
= 30 P F
C
L
= 15 P F
CF5005AL
×
S M 5 0 0 5 A L
×
V
CF5005AL
×
V
OH
= V
DD
V
OL
= V
SS
2.2
–
–
–
0.7V
D D
–
–
–
–
0.4
50
S M 5 0 0 5 A L AV
CF5005ALA
设计值，由内部决定
瓦特AFER模式
SM5005ALBV
CF5005ALB
SM5005ALCV
CF5005ALC
CF5005ALD
直流反馈电阻
A C反馈电容
R
f2
C
f
测量CCT 5
设计值，由内部晶片图案确定
S M 5 0 0 5 A L AV
CF5005ALA
CF5005ALD
C
G
设计值，由内部决定
瓦特AFER模式
SM5005ALBV
CF5005ALB
SM5005ALCV
CF5005ALC
内置电容
S M 5 0 0 5 A L AV
CF5005ALA
CF5005ALD
C
D
设计值，由内部决定
瓦特AFER模式
SM5005ALBV
CF5005ALB
SM5005ALCV
CF5005ALC
9.3
10
10.7
pF
1.76
2.64
3.68
2.80
50
9.3
7.44
典型值
2.4
0.3
–
–
–
–
40
25
–
–
–
2.2
3.3
4.6
3.5
–
10
8
最大
–
0.4
10
A
10
–
0.3V
D D
100
mA
60
10
4
150
2.64
3.96
5.52
4.20
150
10.7
8.56
pF
k
pF
A
M
k
V
V
V
V
单位
消耗电流
I
D D
待机电流
我N·H拉电阻
I
S T
R
UP1
R
UP2
I N H = 1。· W，测量CCT 3
测量CCT 4 ，我N·H = L O w制备
测量CCT 4 ， I N H = 0.7 V
D D
A C反馈电阻
R
f1
k
5.58
2.79
6
3
6.42
3.21
5.58
2.79
6
3
6.42
3.21
日本制精密电路- 5
SM5005系列
日本制精密电路有限公司。
晶体振荡器模块集成电路
概观
在SM5005系列晶体振荡器模块的IC ，结合了高频率，低电流消耗
灰振荡器和输出缓冲器电路。高度精确的thin-液膜反馈电阻和高频
电容器是内置的，无需外部元件，使稳定的3次谐波振荡。
特点
s
s
s
s
s
s
s
高频率运行
第三谐波振荡
电容CG ， CD内置
待机功能（振荡器停止工作）
功率节省上拉电阻内置
逆变器放大器呃反馈电阻内置
CMOS输入电平
s
s
s
s
s
s
s
8毫安（V
DD
= 2.7 V ）驱动能力
CMOS输出工作水平
输出三态功能
2.25至3.6 V电源电压
振荡器的输出频率
8引脚VSOP （ SM5005
×××
V)
芯片形式（ CF5005
×××
)
系列CON组fi guration
VERSION
1
推荐工作
频率（MHz）
克比
V
D D
= 2.25
2.75 V
S M 5 0 0 5 A L AV
SM5005ALBV
SM5005ALCV
2
CF5005ALD
3
60至70
–
–
50至60
V
D D
= 2.7
3.6 V
70至100
90至110
107到125
60至80
1.0
1.5
1.5
1.0
内置的电容（ pF）的
输出占空比
水平
产量
电流（mA ）
C
G
CMOS
CMOS
CMOS
CMOS
8
8
8
8
8
6
3
8
C
D
10
6
3
10
2.2
3.3
4.6
3.5
R
f
(k
)
1.芯片形式的设备有指定CF5005
×××
.
2.基于从Crystal MFG初步常量数据。
3.芯片的形式而已。
订购信息
D E副
S M 5 0 0 5
×××
V
C 2 F 5 0 0 5
×××
–1
P ackag ê
8引脚V S 0 P
芯片形式
日本制精密电路- 1
SM5005系列
焊盘布局
（单位：
m)
引脚
（ TOP VIEW ）
VDD
Q
(920,1310)
Y
（0,0）异烟肼XT XT VSS的
X
芯片尺寸： 0.92
×
1.31 mm
切屑厚度： 300 ± 30微米
芯片基地： V
D D
水平
引脚说明和焊盘尺寸
数
1
2
3
4
5
6
7
8
名字
INH
XT
XT
VSS
Q
NC
NC
VDD
I / O
I
I
O
–
O
–
–
–
描述
输出状态控制输入。振荡器停振，低的时候。 POW ER-节省上拉
电阻器内置
扩增fi er输入。
扩增fi er输出。
地
输出。输出频率（f
O
)
无连接
无连接
电源电压
铬石英晶体振荡器的连接引脚。
CR振荡器，石英晶体连接XT和X T卷之间
P的广告尺寸（微米）
X
195
385
575
766
765
–
–
162
Y
212
212
212
212
1152
–
–
1152
框图
VDD VSS
XT
C
G
R
f 1
C
f
C
D
HA5005AL
INH
XT
XT
VSS
1
2
3
4
8
7
6
5
VDD
NC
NC
Q
005AL
XT
R
f 2
Q
INH
日本制精密电路- 3
SM5005系列
电气特性
V
DD
= 2.7 3.6 V ，V
SS
= 0 V ，TA =
20至80
°
C除非另有说明。
等级
P ARAMETER
高电平输出电压
1。· W - 电平输出电压
输出漏电流
高电平输入电压
1。· W - 电平的输入电压
符号
V
OH
V
OL
I
Z
V
IH
V
IL
条件
民
问：测量CCT 1 ，V
D D
= 2.7 V，I
= 8μm的
问：测量CCT 2 ，V
D D
= 2.7 V，I
0 1
= 8μm的
问：测量CCT 2 ， I N H = 1。· W，
V
D D
= 3.6 V
INH
INH
I N H =开，
测量CCT 3 ，
负载CCT 1 ，
V
D D
= 3.0 V至3.6 V
F = 125 M·H
C
L
= 30 P F
C
L
= 15 P F
CF5005AL
×
S M 5 0 0 5 A L
×
V
CF5005AL
×
V
OH
= V
DD
V
OL
= V
SS
2.2
–
–
–
0.7V
D D
–
–
–
–
0.4
50
S M 5 0 0 5 A L AV
CF5005ALA
设计值，由内部决定
瓦特AFER模式
SM5005ALBV
CF5005ALB
SM5005ALCV
CF5005ALC
CF5005ALD
直流反馈电阻
A C反馈电容
R
f2
C
f
测量CCT 5
设计值，由内部晶片图案确定
S M 5 0 0 5 A L AV
CF5005ALA
CF5005ALD
C
G
设计值，由内部决定
瓦特AFER模式
SM5005ALBV
CF5005ALB
SM5005ALCV
CF5005ALC
内置电容
S M 5 0 0 5 A L AV
CF5005ALA
CF5005ALD
C
D
设计值，由内部决定
瓦特AFER模式
SM5005ALBV
CF5005ALB
SM5005ALCV
CF5005ALC
9.3
10
10.7
pF
1.76
2.64
3.68
2.80
50
9.3
7.44
典型值
2.4
0.3
–
–
–
–
40
25
–
–
–
2.2
3.3
4.6
3.5
–
10
8
最大
–
0.4
10
A
10
–
0.3V
D D
100
mA
60
10
4
150
2.64
3.96
5.52
4.20
150
10.7
8.56
pF
k
pF
A
M
k
V
V
V
V
单位
消耗电流
I
D D
待机电流
我N·H拉电阻
I
S T
R
UP1
R
UP2
I N H = 1。· W，测量CCT 3
测量CCT 4 ，我N·H = L O w制备
测量CCT 4 ， I N H = 0.7 V
D D
A C反馈电阻
R
f1
k
5.58
2.79
6
3
6.42
3.21
5.58
2.79
6
3
6.42
3.21
日本制精密电路- 5
QQ：2880707522 复制
