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宽带功率GaAs
MESFET芯片
2006年8月 - 修订版03 - 8 - 06
CF010系列
MIMIX宽带公司, 10795罗克利路,休斯敦,得克萨斯州77099
电话: 281.988.4600传真: 281.988.4615 mimixbroadband.com
第1页4
特征数据和规格如有变更,恕不另行通知。
2006
MIMIX宽带公司
出口这个项目可能需要获得美国政府的适当出口许可。在购买这些配件,美国国内客户接受
他们有义务要符合美国的出口法律。
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砷化镓假晶HEMT和
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砷化镓MESFET晶体管
2008年7月 - 修订版15 -JUL- 08
CF003-01
特点
高增益: 8分贝在12GHz
的P1dB功率: 22 dBm的
晶圆鉴定程序
客户晶圆选择可用
概述
MIMIX CF003-01基于GaAs晶体管是600微米门
宽度,亚半微米栅长的GaAs与硅器件
氮化物钝化。该CF003-01提供高增益和
中等输出功率高达26 GHz的。它适合于
通用和驱动放大器应用最多
至+22 dBm的功率从一个单一的FET 。该CF003-01是
在芯片的形式提供,适用于空气,
舰载和地面设备。该装置是
100%的直流测试,每片合格的基础上
样的RF和可靠性测试。包括筛选
MIL -STD- 750 B级, S级和商业放映。
这些装置,可以在包装的形式提供。请
咨询CFB0301 -B , CFA0301 -A数据表或联系
本厂以获得更多信息。
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砷化镓MESFET晶体管
2008年7月 - 修订版15 -JUL- 08
CF003-01
搬运和装配信息
注意!
- MIMIX宽带MMIC产品包含砷化镓(GaAs ),这会危害人体和
环境。为安全起见,请遵循以下步骤:
不要摄取。
不要改变这个产品通过焚烧的形式转化为气体,粉末或液体,破碎或化学
处理这些副产品是危险的,如果吸入,食入,或吞食人体。
废弃本产品时,应遵守政府法律和公司章程。该产品必须是
丢弃按照适用的有害废物的程序所指定的方法。
生命支持政策
- MIMIX宽带的产品不得用于生命支持设备或使用的关键部件
系统没有总裁兼总法律顾问MIMIX宽带的明确书面认可。如本文所用: (1 )寿命
支持设备或系统指:( a)打算通过外科手术移植到体内,或(b )支持或维持设备或系统
生命,而其不履行时,按照标示中提供的使用说明正确使用,可以
合理预期造成显著伤害到用户。 ( 2 )关键部件是在生命支持设备的任何部件或
系统,其不履行可以合理预期造成的生命支持设备或系统故障,或影响其
安全性和有效性。
ESD
- 砷化镓(GaAs )器件易受静电和机械损伤。死在抗静电提供
容器,应在无尘室条件下被打开,在适当接地的防静电工作站。设备需要
谨慎处理使用正确设计夹头,真空或皮卡,小心,锋利的镊子。
模具附件:
导电环氧树脂或预芯片粘接是中建议
谁料。对于瓶坯模具高度:瓶胚:金锡( 80 %金, 20 %
SN ) ;舞台温度: 290 C , ±5 C ;搬运工具:镊子;
时间: 1分钟或更少。
引线键合:
线材规格: 0.7 1.0密耳直径(前
强调) ;热压粘合,优选在
热压粘接。对于热压粘合:第一阶段
温度: 250 C ;焊头温度: 150 C ;合
提示压力:取决于电线的大小18 40克。
符合RoHS标准,
- 所有MIMIX产品均符合RoHS标准,除非另有说明。
订购信息
如需订购部件号
CF003-01-000X
描述
其中“ X”是符合RoHS标准模具装在“V” - 真空释放凝胶包或
W“ - 华夫饼干的托盘
注意: ESD敏感
在搬运,包装适当的预防措施
和测试设备必须得到遵守。
操作此设备时,适当的ESD程序应遵循。
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