【双增强模式场效应晶体管（ N和P沟道）CED4279/CEU4279D1/D2特点40V ， 14A】,IC型号CEU4279,CEU4279 PDF资料,CEU4279经销商,ic,电子元器件-51电子网

双增强模式场效应晶体管（ N和P沟道）

CED4279/CEU4279

D1/D2

特点

40V ， 14A ，R

DS （ ON）

= 32mΩ @V

= 10V.

DS （ ON）

= 46mΩ @V

= 4.5V.

-40V ， -9A ，R

DS （ ON）

= 72mΩ @V

= 10V.

DS （ ON）

= 110mΩ @V

= 4.5V.

超级高密度电池设计极低R

DS （ ON）

高功率和电流移交能力。

被收购无铅产品。

TO- 252-4L封装。

CEU系列

TO-252-4L

D1/D2

绝对最大额定值

参数

漏源电压

栅源电压

漏电流连续

漏电流脉冲

TC = 25℃ ，除非另有说明

符号

N沟道

P沟道

单位

W / C

10.4

0.08

-55到150

-9

-36

英镑

最大功率耗散@ T

= 25 C

- 减免上述25℃

操作和存储温度范围

热特性

参数

热阻，结到外壳

热阻，结到环境

符号

θJC

θJA

极限

单位

C / W

详细信息如有变更，恕不另行通知。

冯2. 2007.Jan

http://www.cetsemi.com

CED4279/CEU4279

N沟道电气特性

参数

开关特性

漏源击穿电压

零栅极电压漏极电流

门体漏电流，正向

门体漏电流，反向

基本特征

栅极阈值电压

静态漏源

导通电阻

动态特性

输入电容

输出电容

反向传输电容

开关特性

导通延迟时间

开启上升时间

打开-O FF延迟时间

关断下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

漏源二极管的正向电流

漏源二极管的正向电压

= 25°C除非另有说明

测试条件

= 0V时，我

= 250A

= 40V, V

= 0V

= 20V, V

= 0V

= -20V, V

= 0V

= V

, I

= 250A

= 10V ，我

= 8A

= 4.5V ，我

= 6A

= 5V ，我

= 8A

= 20V, V

= 0V,

F = 1.0 MHz的

1055

160

100

= 20V ，我

= 6A,

= 4.5V

3.7

4.2

= 0V时，我

= 1A

1.2

13.3

民

100

-100

典型值

最大

单位

符号

DSS

GSSF

GSSR

GS （ TH）

DS （ ON）

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

正向跨导

= 20V ，我

= 6A,

= 10V ，R

根

= 3

漏源二极管特性及最大额定值

注意事项：

a.Repetitive评级：脉冲宽度有限的最高结温。

b.Surface安装在FR4板，T < 10秒。

c.Pulse测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2 ％。

设计d.Guaranteed ，不受生产测试。

根据所允许的最大结温e.Calculated连续电流。套餐限制电流= 8A 。

CED4279/CEU4279

P沟道电气特性

参数

开关特性

漏源击穿电压

零栅极电压漏极电流

门体漏电流，正向

门体漏电流，反向

基本特征

栅极阈值电压

静态漏源

导通电阻

动态特性

输入电容

输出电容

反向传输电容

开关特性

导通延迟时间

开启上升时间

打开-O FF延迟时间

开启下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

漏源二极管的正向电流

漏源二极管的正向电压

= 25°C除非另有说明

测试条件

= 0V时，我

= -250A

= -40V, V

= 0V

= 20V, V

= 0V

= -20V, V

= 0V

= V

, I

= -250A

= -10V ，我

= -8A

= -4.5V ，我

= -6A

= -5V ，我

= -8A

= -20V, V

= 0V,

F = 1.0 MHz的

-2

710

130

= -20V ，我

= -4.5A,

= -4.5V

5.8

1.9

2.5

-8

= 0V时，我

= -1A

-1.2

7.7

民

-40

-1

100

-100

-4

110

典型值

最大

单位

符号

DSS

GSSF

GSSR

GS （ TH）

DS （ ON）

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

正向跨导

= -15V ，我

= -1A,

= -10V ，R

根

= 6

漏源二极管特性及最大额定值

注意事项：

a.Repetitive评级：脉冲宽度有限的最高结温。

b.Surface安装在FR4板，T < 10秒。

c.Pulse测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2 ％。

设计d.Guaranteed ，不受生产测试。

根据所允许的最大结温e.Calculated连续电流。套餐限制电流= 8A 。

N沟道

=10,8,6V

CED4279/CEU4279

25 C

，漏电流（ A）

=3.0V

=125 C

-55 C

，漏极至源极电压（ V）

图1.输出特性

DS （ON ），

归

DS （ ON）

，导通电阻（欧姆）

1500

1250

1000

750

500

250

CRSS

科斯

2.2

1.9

1.6

1.3

1.0

0.7

0.4

-100

，栅 - 源极电压（ V）

图2.传输特性

=8A

=10V

C，电容（pF ）

西塞

-50

100

150

200

，漏极至源极电压（ V）

图3.电容

1.3

1.2

1.1

1.0

0.9

0.8

0.7

0.6

-50

，结温（ C）

图4.导通电阻变化

随温度

，源极 - 漏极电流（ A）

=0V

归一化

门源阈值电压

=250A

-25

100

125

150

-1

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

，结温（ C）

图5.门阈值变化

随温度

，体二极管正向电压（ V）

图6.体二极管正向电压

变化与源电流

P沟道

-V

=10,8V

CED4279/CEU4279

25 C

-I

，漏电流（ A）

-V

=5.0V

-I

，漏电流（ A）

-V

=4.0V

=125 C

-55 C

0.5

1.5

2.5

-V

，漏极至源极电压（ V）

图7.输出特性

DS （ON ），

归

DS （ ON）

，导通电阻（欧姆）

900

750

600

450

300

150

科斯

CRSS

西塞

2.2

1.9

1.6

1.3

1.0

0.7

0.4

-100

-V

，栅 - 源极电压（ V）

图8.传热特性

=-8A

=-10V

C，电容（pF ）

-50

100

150

200

-V

，漏极至源极电压（ V）

图9.电容

1.3

1.2

1.1

1.0

0.9

0.8

0.7

0.6

-50

，结温（ C）

图10.导通电阻变化

随温度

-I

，源极 - 漏极电流（ A）

=0V

归一化

门源阈值电压

=-250A

-25

100

125

150

-1

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

，结温（ C）

图11.栅极阈值变化

随温度

-V

，体二极管正向电压（ V）

图12.体二极管正向电压

变化与源电流