【CED3120/CEU3120N沟道增强型网络场效晶体管特点30V ， 36A ，RDS （ ON）】,IC型号CEU3120,CEU3120 PDF资料,CEU3120经销商,ic,电子元器件-51电子网

CED3120/CEU3120

N沟道增强型网络场效晶体管

特点

30V ， 36A ，R

DS （ ON）

= 15MΩ @V

GS

= 10V.

R

DS （ ON）

= 22MΩ @V

GS

= 4.5V.

超级高密度电池设计极低R

DS （ ON）

.

高功率和电流移交能力。

被收购无铅产品。

TO- 251 & TO- 252封装。

D

G

S

CEU系列

TO-252(D-PAK)

G

D

G

S

CED系列

TO-251(I-PAK)

S

绝对最大额定值

参数

漏源电压

栅源电压

漏电流连续

漏电流脉冲

a

TC = 25℃ ，除非另有说明

符号

V

DS

V

GS

I

D

I

DM

P

D

T

J

,T

英镑

极限

30

单位

V

A

W

W / C

C

±

20

36

144

33

0.26

-55到150

最大功率耗散@ T

C

= 25 C

- 减免上述25℃

操作和存储温度范围

热特性

参数

热阻，结到外壳

热阻，结到环境

符号

R

θJC

R

θJA

极限

3.8

50

单位

C / W

详细信息如有变更，恕不另行通知。

1

修订版1 2006.Sep

http://www.cetsemi.com

CED3120/CEU3120

电气特性

参数

开关特性

漏源击穿电压

零栅极电压漏极电流

门体漏电流，正向

门体漏电流，反向

基本特征

静态漏源

导通电阻

动态特性

输入电容

输出电容

反向传输电容

开关特性

d

导通延迟时间

开启上升时间

打开-O FF延迟时间

关断下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

漏源二极管的正向电流

b

漏源二极管的正向电压

c

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Q

g

Q

gs

Q

gd

I

S

V

SD

V

GS

= 0V时，我

S

= 36A

V

DS

= 15V ，我

D

= 36A,

V

GS

= 10V

V

DD

= 15V ，我

D

= 10A,

V

GS

= 10V ，R

根

= 0.3

14

3.3

31

7

13.3

2.7

1.1

36

1.3

28

6.6

62

14

17.7

ns

nC

A

V

d

c

T

A

= 25°C除非另有说明

符号

BV

DSS

I

DSS

I

GSSF

I

GSSR

V

GS （ TH）

R

DS （ ON）

测试条件

V

GS

= 0V时，我

D

= 250A

V

DS

= 30V, V

GS

= 0V

V

GS

= 20V, V

DS

= 0V

V

GS

= -20V, V

DS

= 0V

V

GS

= V

DS

, I

D

= 250A

V

GS

= 10V ，我

D

= 36A

V

GS

= 4.5V ，我

D

=29A

1

12

17

960

160

80

民

30

1

100

-100

3

15

22

典型值

最大

单位

V

A

5

nA

V

m

pF

栅极阈值电压

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

V

DS

= 15V, V

GS

= 0V,

F = 1.0 MHz的

漏源二极管特性及最大额定值

注意事项：

a.Repetitive评级：脉冲宽度有限的最高结温。

b.Surface安装在FR4板，T < 10秒。

c.Pulse测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2 ％。

设计d.Guaranteed ，不受生产测试。

2

CED3120/CEU3120

40

V

GS

=10,8,6V

75

I

D

，漏电流（ A）

I

D

，漏电流（ A）

32

V

GS

=4V

60

24

45

5

25 C

16

30

8

15

V

GS

=3V

0

1

2

3

4

0

T

J

=125 C

-55 C

1

2

3

4

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图1.输出特性

1260

1050

2.2

1.9

1.6

1.3

1.0

0.7

0.4

-100

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

图2.传输特性

C，电容（pF ）

西塞

840

630

420

210

0

5

10

15

20

25

科斯

CRSS

R

DS （ON ），

归

R

DS （ ON）

，导通电阻（欧姆）

I

D

=36A

V

GS

=10V

-50

0

50

100

150

200

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图3.电容

1.3

1.2

1.1

1.0

0.9

0.8

0.7

0.6

-50

T

J

，结温（ C）

图4.导通电阻变化

随温度

V

GS

=0V

2

V

TH

归一化

门源阈值电压

V

DS

=V

GS

I

D

=250A

I

S

，源极 - 漏极电流（ A）

25

50

75

100

125

150

10

1

10

-25

0

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

T

J

，结温（ C）

图5.门阈值变化

随温度

V

SD

，体二极管正向电压（ V）

图6.体二极管正向电压

变化与源电流

3

CED3120/CEU3120

V

GS

，门源电压（ V）

10

V

DS

=15V

I

D

=36A

10

3

R

DS （ ON）

极限

I

D

，漏电流（ A）

8

10

2

6

4

10s

100s

1ms

10ms

DC

T

C

=25 C

T

J

=175 C

单脉冲

10

-1

10

1

2

6

10

0

3

6

9

12

15

10

0

10

1

10

2

QG ，总栅极电荷（ NC）

图7.栅极电荷

V

DS

，漏源电压（V ）

图8.最大安全

工作区

V

DD

t

on

V

IN

D

V

GS

R

根

G

90%

t

关闭

t

r

90%

R

L

V

OUT

t

D（上）

V

OUT

t

D（关闭）

90%

10%

t

f

10%

倒

S

V

IN

50%

10%

50%

脉冲宽度

图9.开关测试电路

图10.开关波形

R（T ），归一化有效

瞬态热阻抗

10

0

D=0.5

0.2

0.1

-1

10

P

DM

0.05

0.02

0.01

单脉冲

t

1

t

2

1. R

θJC

（吨） = R （t）的R *

θJC

2. R

θJC

=请查阅技术资料

3. T

JM-

T

C

= P * R

θJC

(t)

4.占空比D = T1 / T2

10

-2

10

-4

10

-3

10

-2

10

-1

10

0

10

1

10

2

方波脉冲持续时间（秒）

图11.归瞬态热阻抗曲线

4

N沟道增强型网络场效晶体管

特点

30V ， 36A ，R

DS （ ON）

= 15MΩ @V

GS

= 10V.

R

DS （ ON）

= 22MΩ @V

GS

= 4.5V.

超级高密度电池设计极低R

DS （ ON）

.

高功率和电流移交能力。

被收购无铅产品。

TO- 251 & TO- 252封装。

CED3120/CEU3120

D

G

S

CEU系列

TO-252(D-PAK)

G

D

G

S

CED系列

TO-251(I-PAK)

S

绝对最大额定值

参数

漏源电压

栅源电压

漏电流连续

漏电流脉冲

a

TC = 25℃ ，除非另有说明

符号

V

DS

V

GS

I

D

I

DM

P

D

T

J

,T

英镑

极限

30

单位

V

A

W

W / C

C

±

20

36

144

33

0.26

-55到150

最大功率耗散@ T

C

= 25 C

- 减免上述25℃

操作和存储温度范围

热特性

参数

热阻，结到外壳

热阻，结到环境

符号

R

θJC

R

θJA

极限

3.8

50

单位

C / W

详细信息如有变更，恕不另行通知。

1

冯三2010.Sep

http://www.cetsemi.com

CED3120/CEU3120

电气特性

参数

开关特性

漏源击穿电压

零栅极电压漏极电流

门体漏电流，正向

门体漏电流，反向

基本特征

静态漏源

导通电阻

动态特性

输入电容

输出电容

反向传输电容

开关特性

d

导通延迟时间

开启上升时间

打开-O FF延迟时间

关断下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

漏源二极管的正向电流

b

漏源二极管的正向电压

c

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Q

g

Q

gs

Q

gd

I

S

V

SD

V

GS

= 0V时，我

S

= 36A

V

DS

= 15V ，我

D

= 10A,

V

GS

= 10V

V

DD

= 15V ，我

D

= 10A,

V

GS

= 10V ，R

根

= 3

11

7

31

5

21

2

6

36

1.3

22

14

62

10

27

ns

nC

A

V

d

c

T

A

= 25°C除非另有说明

符号

BV

DSS

I

DSS

I

GSSF

I

GSSR

V

GS （ TH）

R

DS （ ON）

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

测试条件

V

GS

= 0V时，我

D

= 250A

V

DS

= 30V, V

GS

= 0V

V

GS

= 20V, V

DS

= 0V

V

GS

= -20V, V

DS

= 0V

V

GS

= V

DS

, I

D

= 250A

V

GS

= 10V ，我

D

= 20A

V

GS

= 4.5V ，我

D

=15A

1

12

17

895

215

160

民

30

1

100

-100

3

15

22

典型值

最大

单位

V

A

nA

V

m

pF

栅极阈值电压

V

DS

= 15V, V

GS

= 0V,

F = 1.0 MHz的

漏源二极管特性及最大额定值

注意事项：

a.Repetitive评级：脉冲宽度有限的最高结温。

b.Surface安装在FR4板，T < 10秒。

c.Pulse测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2 ％。

设计d.Guaranteed ，不受生产测试。

2

CED3120/CEU3120

40

32

24

16

8

V

GS

=10,8,6V

75

60

45

30

15

0

I

D

，漏电流（ A）

I

D

，漏电流（ A）

25 C

T

J

=125 C

-55 C

V

GS

=3V

0

1

2

3

4

0

2

4

6

8

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图1.输出特性

1260

1050

840

630

420

210

0

科斯

CRSS

0

5

10

15

20

25

西塞

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

图2.传输特性

2.2

1.9

1.6

1.3

1.0

0.7

0.4

-100

I

D

=20A

V

GS

=10V

R

DS （ON ），

归

R

DS （ ON）

，导通电阻（欧姆）

C，电容（pF ）

-50

0

50

100

150

200

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图3.电容

1.3

1.2

1.1

1.0

0.9

0.8

0.7

0.6

-50

V

DS

=V

GS

T

J

，结温（ C）

图4.导通电阻变化

随温度

I

S

，源极 - 漏极电流（ A）

V

GS

=0V

10

2

V

TH

归一化

门源阈值电压

I

D

=250A

10

1

-25

0

25

50

75

100

125

150

10

0

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

T

J

，结温（ C）

图5.门阈值变化

随温度

V

SD

，体二极管正向电压（ V）

图6.体二极管正向电压

变化与源电流

3

CED3120/CEU3120

V

GS

，门源电压（ V）

10

8

6

4

2

0

V

DS

=15V

I

D

=10A

10

3

R

DS （ ON）

极限

I

D

，漏电流（ A）

10

2

10ms

100ms

1ms

DC

T

C

=25 C

T

J

=175 C

单脉冲

10

-1

10

1

0

5

10

15

20

25

10

0

10

0

10

1

10

2

QG ，总栅极电荷（ NC）

图7.栅极电荷

V

DD

t

on

V

IN

V

GS

R

根

G

R

L

D

V

OUT

t

D（上）

V

OUT

10%

V

DS

，漏源电压（V ）

图8.最大安全

工作区

t

关闭

t

r

90%

t

D（关闭）

90%

10%

t

f

倒

90%

S

V

IN

50%

10%

50%

脉冲宽度

图9.开关测试电路

图10.开关波形

R（T ），归一化有效

瞬态热阻抗

10

0

D=0.5

0.2

10

-1

0.1

0.05

0.02

0.01

单脉冲

P

DM

t

1

t

2

10

-2

1. R

θJC

（吨） = R （t）的R *

θJC

2. R

θJC

=请查阅技术资料

3. T

JM-

T

C

= P * R

θJC

(t)

4.占空比D = T1 / T2

10

-4

10

-3

10

-2

10

-1

10

0

10

1

10

2

方波脉冲持续时间（秒）

图11.归瞬态热阻抗曲线

4