【CEP62A3/CEB62A32003年2月N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管特点30V ， 60A】,IC型号CEP62A3,CEP62A3 PDF资料,CEP62A3经销商,ic,电子元器件-51电子网

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CEP62A3/CEB62A3

2003年2月

N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管

特点

30V ， 60A ，R

DS （ ON）

=10m

@V

GS

=10V.

R

DS （ ON）

=15m

@V

GS

=4.5V.

超级高密度电池设计极低R

DS （ ON）

.

高功率和电流处理能力。

的TO-220 &的TO- 263封装。

D

4

4

D

G

G

D

S

G

S

CEB系列

TO-263(DD-PAK)

CEP系列

TO-220

S

绝对最大额定值（TC = 25℃除非另有说明）

参数

漏源电压

栅源电压

漏电流连续

-Pulsed

漏源二极管的正向电流

最大功率耗散

@ T = 25℃

减免上述25℃

工作和存储温度范围

符号

V

DS

V

GS

I

D

I

DM

I

S

P

D

T

J

, T

英镑

极限

30

20

60

180

60

68

0.45

-55至175

单位

V

V

A

A

A

W

W / C

C

热特性

热阻，结到外壳

热阻，结到环境

R

JC

R

JA

4-177

2.2

62.5

C / W

C / W

CEP62A3/CEB62A3

电气特性（T

C

= 25°C除非另有说明）

4

参数

开关特性

漏源击穿电压

零栅极电压漏极电流

门体漏

符号

BV

DSS

I

DSS

I

GSS

V

GS （ TH）

R

DS （ ON）

I

D（上）

g

FS

b

条件

V

GS

= 0V时，我

D

= 250A

V

DS

= 30V, V

GS

= 0V

V

GS

= 20V, V

DS

= 0V

V

DS

= V

GS

, I

D

= 250A

V

GS

= 10V ，我

D

= 26A

V

GS

= 4.5V ，我

D

= 21A

V

GS

= 10V, V

DS

= 5V

V

DS

= 10V ，我

D

= 26A

最小典型最大单位

30

1

V

A

100 nA的

1

8.5

12

60

36

1100

3

10

15

V

m

m

A

S

P

F

P

F

P

F

基本特征

a

栅极阈值电压

漏源导通电阻

通态漏电流

正向跨导

动态特性

输入电容

输出电容

反向传输电容

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

b

V

DS

=15V, V

GS

= 0V

F = 1.0MH

Z

600

180

19

36

97

68

35

6

11

48

72

175

135

42

开关特性

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Q

g

Q

gs

Q

gd

V

DD

= 15V,

I

D

=60A,

V

根

= 10V

R

G

=24

ns

ns

ns

ns

nC

nC

nC

V

DS

=15V

,

I

D

= 30A

,

V

GS

=10V

4-178

CEP62A3/CEB62A3

电气特性（T

C

= 25°C除非另有说明）

参数

二极管的正向电压

符号

V

SD

条件

V

GS

= 0V ，是= 26A

最小典型最大单位

1.3

V

4

漏源二极管的特性

a

笔记

a.Pulse测试：脉冲宽度300秒，占空比2 ％。

设计b.Guaranteed ，不受生产测试。

60

V

GS

=10,8,6,4V

50

50

60

I

D

，漏电流（ A）

I

D

，漏电流（ A）

40

30

20

10

0

0

1

2

3

4

5

40

30

-55 C

20

25 C

10

0

1

2

3

4

TJ = 125℃

V

GS

=3V

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

图1.输出特性

R

DS （ ON）

归一化

R

DS （ ON）

,

导通电阻（欧姆）

1800

1500

图2.传输特性

2.2

1.9

1.6

1.3

1.0

0.7

0.4

-100

-50

0

50

100

150

200

I

D

=26A

V

GS

=10V

C，电容（pF ）

1200

900

600

300

0

0

5

10

15

20

西塞

科斯

CRSS

25

30

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

T

J

，结温（ C）

图3.电容

图4.导通电阻变化与

温度

4-179

CEP62A3/CEB62A3

BV

DSS

归一化

漏源击穿电压

Vth时，归一化

门源阈值电压

1.30

1.20

1.10

1.00

0.90

0.80

0.70

0.60

-50 -25

0

25 50

75 100 125 150

V

DS

=V

GS

I

D

=250 A

1.15

I

D

=250 A

1.10

1.05

1.00

0.95

0.90

0.85

-50 -25

4

0

25

50

75 100 125 150

TJ ，结温（ C）

TJ ，结温（ C）

图5.门阈值变化

随温度

50

图6.击穿电压变化

随温度

50

g

FS

，跨导（ S）

是，源极 - 漏极电流（ A）

40

30

20

10

V

DS

=10V

0

0

10

20

30

40

10

1.0

0.1

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

I

DS

，漏源电流（A ）

V

SD

，体二极管正向电压（ V）

图7.跨导变化

与漏极电流

10

8

6

4

2

0

0

10

20

30

40

图8.体二极管正向电压

变化与源电流

V

GS

，门源电压（ V）

V

DS

=15V

I

D

=30A

I

D

，漏电流（ A）

10

2

RD

S(

)

ON

LIM

it

10

0

10

1

10

ms

DC

0ms

10

1m

s

s

10

0

-1

10

T

C

=25 C

TJ = 175℃

单脉冲

10

0

10

1

10

2

10

-1

QG ，总栅极电荷（ NC）

V

DS

，漏源电压（V ）

图9.栅极电荷

4-180

图10.最大安全

工作区

CEP62A3/CEB62A3

V

DD

t

on

V

IN

D

V

GS

R

根

G

90%

4

t

关闭

t

r

90%

R

L

V

OUT

t

D（上）

V

OUT

t

D（关闭）

90%

10%

t

f

10%

倒

S

V

IN

50%

10%

50%

脉冲宽度

图11.开关测试电路

图12.开关波形

R（T ），归一化有效

瞬态热阻抗

10

0

D=0.5

0.2

10

-1

0.1

0.05

0.02

0.01

单脉冲

P

DM

t

1

t

2

1. R

JC

（吨） = R （t）的R *

JC

2. R

JC

=请查阅技术资料

3. T

JM-

T

C

= P * R

JC

(t)

4.占空比D = T1 / T2

10

-2 -2

10

10

-1

10

0

10

1

10

2

10

3

10

4

方波脉冲持续时间（毫秒）

图13.归瞬态热阻抗曲线

4-181

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