【CEP10N6/CEB10N6初步4N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管特点600V ，10A ，RD】,IC型号CEP10N6,CEP10N6 PDF资料,CEP10N6经销商,ic,电子元器件-51电子网

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CEP10N6/CEB10N6

初步

4

N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管

特点

600V ，10A ，R

DS （ ON）

=1

@V

GS

=10V.

超级高密度电池设计极低R

DS （ ON）

.

高功率和电流处理能力。

的TO-220 &的TO- 263封装。

D

G

D

G

G

D

S

S

CEB系列

TO-263(DD-PAK)

CEP系列

TO-220

S

绝对最大额定值（TC = 25℃除非另有说明）

参数

漏源电压

栅源电压

漏电流连续

-Pulsed

漏源二极管的正向电流

最大功率耗散

@ T = 25℃

减免上述25℃

工作和存储Temperautre范围

符号

V

DS

V

GS

I

D

I

DM

I

S

P

D

T

J

, T

英镑

极限

600

30

10

30

10

156

1.25

-55到150

单位

V

V

A

A

A

W

W / C

C

热特性

热阻，结到外壳

热阻，结到环境

R

JC

R

JA

4-172

0.8

62.5

C / W

C / W

CEP10N6/CEB10N6

电气特性（T

C

= 25°C除非另有说明）

参数

单脉冲漏源

雪崩能量

最大漏源

雪崩电流

符号

a

条件

V

DD

= 50V ，L = 11.8mH

R

G

=25

最小典型最大单位

4

4

漏源雪崩额定值

E

AS

I

AS

500

10

mJ

A

开关特性

漏源击穿电压

零栅极电压漏极电流

门体漏

BV

DSS

I

DSS

I

GSS

V

GS （ TH）

R

DS （ ON）

I

D（上）

g

FS

b

V

GS

= 0V时，我

D

= 250A

V

DS

= 600V, V

GS

= 0V

V

GS

= 30V, V

DS

= 0V

V

DS

= V

GS

, I

D

= 250A

V

GS

= 10V ，我

D

= 5A

V

GS

= 10V, V

DS

= 10V

V

DS

= 40V ，我

D

= 5A

V

DD

=300V,

I

D

= 10A,

V

GS

= 10V

R

根

=25

600

100

V

A

100 nA的

基本特征

a

栅极阈值电压

漏源导通电阻

通态漏电流

正向跨导

2

4

0.75

1.0

10

9

35

90

170

120

55

V

DS

= 480V ，我

D

= 10A,

V

GS

=10V

4-173

V

A

S

开关特性

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Q

g

Q

gs

Q

gd

70

170

255

180

70

ns

ns

ns

ns

nC

nC

nC

9

22

CEP10N6/CEB10N6

电气特性（T

C

= 25°C除非另有说明）

4

参数

动态特性

b

输入电容

输出电容

反向传输电容

二极管的正向电压

符号

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

V

SD

条件

最小典型最大单位

1500

125

50

P

F

P

F

P

F

V

DS

=25V, V

GS

= 0V

F = 1.0MH

Z

漏源二极管的特性

a

V

GS

= 0V ，是= 10A

1.6

V

笔记

a.Pulse测试：脉冲宽度300秒，占空比2 ％。

设计b.Guaranteed ，不受生产测试。

12

V

GS

=10,9,8,7V

10

10

I

D

，漏电流（ A）

8

6

4

2

0

0

2

4

6

8

10

12

V

GS

=6V

I

D

，漏电流（ A）

1

150 C

-55 C

V

GS

=5V

25 C

1.V

DS

=40V

2.Pulse测试

0.1

2

4

6

8

10

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

图1.输出特性

图2.传输特性

4-174

CEP10N6/CEB10N6

R

DS （ ON）

归一化

R

DS （ ON）

,

导通电阻（欧姆）

1800

西塞

1500

2.2

1.9

1.6

1.3

1.0

0.7

0.4

-100

-50

0

50

100

150

200

I

D

=5A

V

GS

=10V

C，电容（pF ）

1200

900

600

300

0

0

5

10

15

20

25

科斯

CRSS

4

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

T

J

，结温（ C）

图3.电容

BV

DSS

归一化

漏源击穿电压

Vth时，归一化

门源阈值电压

1.30

1.20

1.10

1.0

0.90

0.80

0.70

0.60

-50 -25

0

25

50

75 100 125 150

V

DS

=V

GS

I

D

=250 A

图4.导通电阻变化与

温度

1.15

1.10

1.05

1.00

0.95

0.90

0.85

-50 -25

I

D

=250 A

0

25

50

75 100 125 150

TJ ，结温（ C）

TJ ，结温（ C）

图5.门阈值变化

随温度

12

图6.击穿电压变化

随温度

20

10

V

GS

=0V

g

FS

，跨导（ S）

V

DS

=40V

9

6

是，源极 - 漏极电流（ A）

0

2

4

6

8

1

3

0

0.1

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

I

DS

，漏源电流（A ）

V

SD

，体二极管正向电压（ V）

图7.跨导变化

与漏极电流

4-175

图8.体二极管正向电压

变化与源电流

CEP10N6/CEB10N6

V

GS

，门源电压（ V）

15

12

9

6

3

0

0

20

40

60

80

QG ，总栅极电荷（ NC）

I

D

，漏电流（ A）

LIM

4

V

DS

=480V

I

D

=5A

it

10

0

s

1m

10

1

s

10

m

s

N)

D

(O

C

10

0

T

C

=25 C

TJ = 150℃

单脉冲

10

1

10

2

10

3

10

-1

10

0

R

D

S

V

DS

，漏源电压（V ）

图9.栅极电荷

图10.最大安全

工作区

V

DD

t

on

V

IN

D

V

GS

R

根

G

90%

t

关闭

t

r

90%

R

L

V

OUT

t

D（上）

V

OUT

t

D（关闭）

90%

10%

t

f

10%

倒

S

V

IN

50%

10%

50%

脉冲宽度

图11.开关测试电路

图12.开关波形

R（T ），归一化有效

瞬态热阻抗

10

0

D=0.5

0.2

10

-1

0.1

0.05

0.02

0.01

单脉冲

P

DM

t

1

t

2

1. R

JC

（吨） = R （t）的R *

JC

2. R

JC

=请查阅技术资料

3. T

JM-

T

C

= P * R

JC

(t)

4.占空比D = T1 / T2

10

-2

10

-5

10

-4

10

-3

10

-2

10

-1

10

0

10

1

方波脉冲持续时间（秒）

图13.归瞬态热阻抗曲线

4-176

CEP10N6/CEB10N6

初步

4

N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管

特点

600V ，10A ，R

DS （ ON）

=1

@V

GS

=10V.

超级高密度电池设计极低R

DS （ ON）

.

高功率和电流处理能力。

的TO-220 &的TO- 263封装。

D

G

D

G

G

D

S

S

CEB系列

TO-263(DD-PAK)

CEP系列

TO-220

S

绝对最大额定值（TC = 25℃除非另有说明）

参数

漏源电压

栅源电压

漏电流连续

-Pulsed

漏源二极管的正向电流

最大功率耗散

@ T = 25℃

减免上述25℃

工作和存储Temperautre范围

符号

V

DS

V

GS

I

D

I

DM

I

S

P

D

T

J

, T

英镑

极限

600

30

10

30

10

156

1.25

-55到150

单位

V

V

A

A

A

W

W / C

C

热特性

热阻，结到外壳

热阻，结到环境

R

JC

R

JA

4-172

0.8

62.5

C / W

C / W

CEP10N6/CEB10N6

电气特性（T

C

= 25°C除非另有说明）

参数

单脉冲漏源

雪崩能量

最大漏源

雪崩电流

符号

a

条件

V

DD

= 50V ，L = 11.8mH

R

G

=25

最小典型最大单位

4

4

漏源雪崩额定值

E

AS

I

AS

500

10

mJ

A

开关特性

漏源击穿电压

零栅极电压漏极电流

门体漏

BV

DSS

I

DSS

I

GSS

V

GS （ TH）

R

DS （ ON）

I

D（上）

g

FS

b

V

GS

= 0V时，我

D

= 250A

V

DS

= 600V, V

GS

= 0V

V

GS

= 30V, V

DS

= 0V

V

DS

= V

GS

, I

D

= 250A

V

GS

= 10V ，我

D

= 5A

V

GS

= 10V, V

DS

= 10V

V

DS

= 40V ，我

D

= 5A

V

DD

=300V,

I

D

= 10A,

V

GS

= 10V

R

根

=25

600

100

V

A

100 nA的

基本特征

a

栅极阈值电压

漏源导通电阻

通态漏电流

正向跨导

2

4

0.75

1.0

10

9

35

90

170

120

55

V

DS

= 480V ，我

D

= 10A,

V

GS

=10V

4-173

V

A

S

开关特性

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Q

g

Q

gs

Q

gd

70

170

255

180

70

ns

ns

ns

ns

nC

nC

nC

9

22

CEP10N6/CEB10N6

电气特性（T

C

= 25°C除非另有说明）

4

参数

动态特性

b

输入电容

输出电容

反向传输电容

二极管的正向电压

符号

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

V

SD

条件

最小典型最大单位

1500

125

50

P

F

P

F

P

F

V

DS

=25V, V

GS

= 0V

F = 1.0MH

Z

漏源二极管的特性

a

V

GS

= 0V ，是= 10A

1.6

V

笔记

a.Pulse测试：脉冲宽度300秒，占空比2 ％。

设计b.Guaranteed ，不受生产测试。

12

V

GS

=10,9,8,7V

10

10

I

D

，漏电流（ A）

8

6

4

2

0

0

2

4

6

8

10

12

V

GS

=6V

I

D

，漏电流（ A）

1

150 C

-55 C

V

GS

=5V

25 C

1.V

DS

=40V

2.Pulse测试

0.1

2

4

6

8

10

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

图1.输出特性

图2.传输特性

4-174

CEP10N6/CEB10N6

R

DS （ ON）

归一化

R

DS （ ON）

,

导通电阻（欧姆）

1800

西塞

1500

2.2

1.9

1.6

1.3

1.0

0.7

0.4

-100

-50

0

50

100

150

200

I

D

=5A

V

GS

=10V

C，电容（pF ）

1200

900

600

300

0

0

5

10

15

20

25

科斯

CRSS

4

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

T

J

，结温（ C）

图3.电容

BV

DSS

归一化

漏源击穿电压

Vth时，归一化

门源阈值电压

1.30

1.20

1.10

1.0

0.90

0.80

0.70

0.60

-50 -25

0

25

50

75 100 125 150

V

DS

=V

GS

I

D

=250 A

图4.导通电阻变化与

温度

1.15

1.10

1.05

1.00

0.95

0.90

0.85

-50 -25

I

D

=250 A

0

25

50

75 100 125 150

TJ ，结温（ C）

TJ ，结温（ C）

图5.门阈值变化

随温度

12

图6.击穿电压变化

随温度

20

10

V

GS

=0V

g

FS

，跨导（ S）

V

DS

=40V

9

6

是，源极 - 漏极电流（ A）

0

2

4

6

8

1

3

0

0.1

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

I

DS

，漏源电流（A ）

V

SD

，体二极管正向电压（ V）

图7.跨导变化

与漏极电流

4-175

图8.体二极管正向电压

变化与源电流

CEP10N6/CEB10N6

V

GS

，门源电压（ V）

15

12

9

6

3

0

0

20

40

60

80

QG ，总栅极电荷（ NC）

I

D

，漏电流（ A）

LIM

4

V

DS

=480V

I

D

=5A

it

10

0

s

1m

10

1

s

10

m

s

N)

D

(O

C

10

0

T

C

=25 C

TJ = 150℃

单脉冲

10

1

10

2

10

3

10

-1

10

0

R

D

S

V

DS

，漏源电压（V ）

图9.栅极电荷

图10.最大安全

工作区

V

DD

t

on

V

IN

D

V

GS

R

根

G

90%

t

关闭

t

r

90%

R

L

V

OUT

t

D（上）

V

OUT

t

D（关闭）

90%

10%

t

f

10%

倒

S

V

IN

50%

10%

50%

脉冲宽度

图11.开关测试电路

图12.开关波形

R（T ），归一化有效

瞬态热阻抗

10

0

D=0.5

0.2

10

-1

0.1

0.05

0.02

0.01

单脉冲

P

DM

t

1

t

2

1. R

JC

（吨） = R （t）的R *

JC

2. R

JC

=请查阅技术资料

3. T

JM-

T

C

= P * R

JC

(t)

4.占空比D = T1 / T2

10

-2

10

-5

10

-4

10

-3

10

-2

10

-1

10

0

10

1

方波脉冲持续时间（秒）

图13.归瞬态热阻抗曲线

4-176

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