【CEP10N4/CEB10N4CEI10N4/CEF10N4N沟道增强型网络场效晶体管特点TYPEC】,IC型号CEP10N4,CEP10N4 PDF资料,CEP10N4经销商,ic,电子元器件-51电子网

CEP10N4/CEB10N4

CEI10N4/CEF10N4

N沟道增强型网络场效晶体管

特点

TYPE

CEP10N4

CEB10N4

CEI10N4

CEF10N4

V

DSS

450V

R

DS （ ON）

0.7

I

D

10A

e

@V

GS

10V

D

超级高密度电池设计极低R

DS （ ON）

.

高功率和电流移交能力。

被收购无铅产品。

TO- 220 & TO- 263 & TO- 262封装& TO- 220F通孔全白了。

D

G

S

CEB系列

TO-263(DD-PAK)

G

D

S

CEI系列

TO-262(I2-PAK)

G

D

S

CEP系列

TO-220

G

D

S

CEF系列

TO-220F

S

绝对最大额定值

参数

漏源电压

栅源电压

漏电流连续

漏电流脉冲

a

最大功率耗散@ T

C

= 25 C

- 减免上述25℃

单脉冲雪崩能量

d

单脉冲雪崩电流

d

TC = 25℃ ，除非另有说明

极限

符号

TO-220/263/262

V

DS

V

GS

I

D

I

DM

f

P

D

E

AS

I

AS

T

J

,T

英镑

10

40

125

1.0

450

10

450

TO-220F

单位

V

±

30

10

45

0.36

450

10

-55到150

e

A

W

W / C

mJ

A

C

40

e

操作和存储温度范围

热特性

参数

热阻，结到外壳

热阻，结到环境

符号

R

θJC

R

θJA

1.0

62.5

极限

2.8

65

单位

C / W

2002.September

4 - 50

http://www.cetsemi.com

CEP10N4/CEB10N4

CEI10N4/CEF10N4

电气特性

参数

开关特性

漏源击穿电压

零栅极电压漏极电流

门体漏电流，正向

门体漏电流，反向

基本特征

静态漏源

导通电阻

正向跨导

动态特性

输入电容

输出电容

反向传输电容

开关特性

导通延迟时间

开启上升时间

打开-O FF延迟时间

关断下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

漏源二极管的正向电流

漏源二极管的正向电压

b

c

b

TC = 25℃ ，除非另有说明

符号

BV

DSS

I

DSS

I

GSSF

I

GSSR

V

GS （ TH）

R

DS （ ON）

g

FS

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Q

g

Q

gs

Q

gd

I

S

g

V

SD

V

GS

= 0V时，我

S

= 10A

V

DS

= 320V ，我

D

= 10A,

V

GS

= 10V

V

DD

= 200V ，我

D

= 10A,

V

GS

= 10V ，R

根

= 9.1

测试条件

V

GS

= 0V时，我

D

= 250A

V

DS

= 450V, V

GS

= 0V

V

GS

= 30V, V

DS

= 0V

V

GS

= -30V, V

DS

= 0V

V

GS

= V

DS

, I

D

= 250A

V

GS

= 10V ，我

D

= 6A

V

DS

= 50V ，我

D

= 6A

3

2

0.6

6

1400

330

120

14

27

50

24

48

4

15

10

2.0

75

125

100

60

65

民

450

25

100

-100

100

500

-500

4

0.7

典型值

最大

单位

V

A

4

nA

V

S

pF

ns

nC

A

V

栅极阈值电压

V

DS

= 25V, V

GS

= 0V,

F = 1.0 MHz的

漏源二极管特性及最大额定值

注意事项：

a.Repetitive评级：脉冲宽度有限的最高结温。

b.Pulse测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2 ％。

设计c.Guaranteed ，不受生产测试。

D.L = 9.16mH ，我

AS

= 10A ，V

DD

= 50V ，R

G

= 25Ω ，起始物为

J

= 25 C .

e.Limited只有最高温度允许的。

F .Pulse宽度有限的安全工作区。

g.Full包我

S（ MAX）的

= 5.6A .

4 - 51

CEP10N4/CEB10N4

CEI10N4/CEF10N4

6

V

GS

=10,8,7,6V

5

4

3

2

20

25 C

I

D

，漏电流（ A）

I

D

，漏电流（ A）

16

12

-55 C

8

T

J

=125 C

4

V

GS

=5V

1

0

1

2

3

4

5

6

0

1

2

3

4

5

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图1.输出特性

1800

1500

1200

900

600

科斯

300

CRSS

0

5

10

15

20

25

西塞

2.2

1.9

1.6

1.3

1.0

0.7

0.4

-100

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

图2.传输特性

R

DS （ON ），

归

R

DS （ ON）

，导通电阻（欧姆）

I

D

=6A

V

GS

=10V

C，电容（pF ）

-50

0

50

100

150

200

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图3.电容

1.3

1.2

1.1

1.0

0.9

0.8

0.7

0.6

-50

T

J

，结温（ C）

图4.导通电阻变化

随温度

V

GS

=0V

1

V

TH

归一化

门源阈值电压

V

DS

=V

GS

I

D

=250A

I

S

，源极 - 漏极电流（ A）

25

50

75

100

125

150

10

0

10

-25

0

-1

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

T

J

，结温（ C）

图5.门阈值变化

随温度

V

SD

，体二极管正向电压（ V）

图6.体二极管正向电压

变化与源电流

4 - 52

CEP10N4/CEB10N4

CEI10N4/CEF10N4

V

GS

，门源电压（ V）

15 V =320V

DS

I

D

=10A

10

2

I

D

，漏电流（ A）

12

4

R

DS （ ON）

极限

10

1

10s

100s

1ms

10ms

DC

9

6

10

0

3

0

12

24

36

48

10

-1

T

C

=25 C

T

J

=150 C

单脉冲

10

0

10

1

10

2

10

3

QG ，总栅极电荷（ NC）

图7.栅极电荷

V

DS

，漏源电压（V ）

图8.最大安全

工作区

V

DD

t

on

V

IN

D

V

GS

R

根

G

90%

t

关闭

t

r

90%

R

L

V

OUT

t

D（上）

V

OUT

t

D（关闭）

90%

10%

t

f

10%

倒

S

V

IN

50%

10%

50%

脉冲宽度

图9.开关测试电路

图10.开关波形

R（T ），归一化有效

瞬态热阻抗

10

0

D=0.5

0.2

10

-1

0.1

0.05

0.02

0.01

单脉冲

P

DM

t

1

t

2

1. R

θJC

（吨） = R （t）的R *

θJC

2. R

θJC

=请查阅技术资料

3. T

JM-

T

C

= P * R

θJC

(t)

4.占空比D = T1 / T2

10

-2

10

-5

10

-4

10

-3

10

-2

10

-1

10

0

10

1

方波脉冲持续时间（秒）

图11.归瞬态热阻抗曲线

4 - 53

CEP10N4/CEB10N4

2002年9月

N沟道增强型网络场效晶体管

特点

450V ，10A ，R

DS （ ON）

=700m

VGS=10V.

超级高密度电池设计极低R

DS （ ON）

.

高功率和电流处理能力。

的TO-220 &的TO- 263封装。

D

4

D

G

D

S

G

S

CEB系列

TO-263(DD-PAK)

CEP系列

TO-220

S

绝对最大额定值（TC = 25℃除非另有说明）

参数

漏源电压

栅源电压

漏电流连续

-Pulsed

漏源二极管的正向电流

最大功率耗散

@ T = 25℃

减免上述25℃

工作和存储温度范围

符号

V

DS

V

GS

I

D

I

DM

I

S

P

D

T

J

, T

英镑

极限

450

30

10

40

10

125

1.0

-55到150

单位

V

A

W

W / C

C

热特性

热阻，结到外壳

热阻，结到环境

R

JC

R

JA

4-57

1.0

62

C / W

CEP10N4/CEB10N4

电气特性（T

C

= 25°C除非另有说明）

4

参数

单脉冲漏源

雪崩能量

最大漏源

雪崩电流

符号

a

条件

V

DD

= 50V ，L = 9.16mH

R

G

=25

最小典型最大单位

漏源雪崩额定值

E

AS

I

AS

450

10

mJ

A

开关特性

漏源击穿电压

零栅极电压漏极电流

门体漏

BV

DSS

I

DSS

I

GSS

V

GS （ TH）

R

DS （ ON）

I

D（上）

g

FS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Q

g

Q

gs

Q

gd

4-58

V

GS

= 0V时，我

D

= 250A

V

DS

= 450V, V

GS

= 0V

V

GS

= 30V, V

DS

= 0V

V

DS

= V

GS

, I

D

= 250A

V

GS

= 10V ，我

D

= 6A

V

GS

= 10V, V

DS

= 10V

V

DS

= 50V ，我

D

= 6A

V

DD

= 200V,

I

D

= 10A,

V

GS

= 10V,

R

根

= 9.1

450

25

100

2

100

V

A

500 nA的

4

600 700

V

m

A

6

14

27

50

24

48

75

125

100

60

65

7

25

S

ns

nC

基本特征

a

栅极阈值电压

漏源导通电阻

通态漏电流

正向跨导

10

3

开关特性

b

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

V

DS

= 320V ，我

D

= 10A,

V

GS

= 10V

4

15

CEP10N4/CEB10N4

电气特性（T

C

= 25°C除非另有说明）

参数

动态特性

b

输入电容

输出电容

反向传输电容

二极管的正向电压

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

V

SD

V

GS

= 0V ，是= 10A

V

DS

=25V, V

GS

= 0V

F = 1.0MH

Z

1400

330

120

2.0

P

F

P

F

P

F

符号

条件

最小典型最大单位

4

漏源二极管的特性

a

V

笔记

a.Pulse测试：脉冲宽度300秒，占空比2 ％。

设计b.Guaranteed ，不受生产测试。

6

V

GS

=10,8,7,6V

5

20

25 C

I

D

，漏电流（ A）

4

3

V

GS

=5V

2

1

0

1

2

3

4

5

6

I

D

，漏电流（ A）

15

-55 C

10

125 C

5

0

1

2

3

4

5

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

图1.输出特性

图2.传输特性

4-59

CEP10N4/CEB10N4

1800

3.0

R

DS （ ON）

归一化

漏源导通电阻

西塞

1500

V

GS

=5V

2.5

2.0

TJ = 125℃

1.5

25 C

1.0

0.5

0

-55 C

4

C，电容（pF ）

1200

900

600

科斯

300

0

5

10

15

20

25

CRSS

0

5

10

15

20

25

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

I

D

，漏电流（ A）

图3.电容

BV

DSS

归一化

漏源击穿电压

Vth时，归一化

门源阈值电压

1.15

1.10

1.05

1.0

0.95

0.90

0.85

0.80

-50 -25

0

25

50

75 100 125 150

V

DS

=V

GS

I

D

=250 A

图4.导通电阻变化与

漏电流和温度

1.15

1.10

1.05

1.00

0.95

0.90

0.85

-50 -25

I

D

=250 A

0

25

50

75 100 125 150

TJ ，结温（ C）

图5.门阈值变化

随温度

18

图6.击穿电压变化

随温度

20

g

FS

，跨导（ S）

12

9

6

3

0

5

10

15

20

是，源极 - 漏极电流（ A）

15

V

DS

=10V

10

V

DS

=0V

1

0.1

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

I

DS

，漏源电流（A ）

V

SD

，体二极管正向电压（ V）

图7.跨导变化

与漏极电流

4-60

图8.体二极管正向电压

变化与源电流

CEP10N4/CEB10N4

V

GS

，门源电压（ V）

15

12

9

6

3

0

6

12 18

24 30

36

42

48

QG ，总栅极电荷（ NC）

100

D=0.01

I

D

，漏电流（ A）

V

DS

=320V

I

D

=10A

40

10

R

D

S

10

(

)

ON

Li

t

mi

1m

s

10

0

s

4

10

D

C

;1

00

m

s

m

s

1

V

GS

=20V

TC = 25℃

单脉冲

1

10

100

500 1000

0.1

V

DS

，漏源电压（V ）

图9.栅极电荷

图10.最大安全

工作区

V

DD

t

on

V

IN

D

V

GS

R

根

G

90%

t

关闭

t

r

90%

R

L

V

OUT

t

D（上）

V

OUT

t

D（关闭）

90%

10%

t

f

10%

倒

S

V

IN

50%

10%

50%

脉冲宽度

图11.开关测试电路

图12.开关波形

2

R（T ），归一化有效

瞬态热阻抗

1

D=0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

0.01

单脉冲

0.01

P

DM

t

1

t

2

1. R

JC

（吨） = R （t）的R *

JC

2. R

JC

=请查阅技术资料

3. T

JM-

T

C

= P * R

JC

(t)

4.占空比D = T1 / T2

1

10

100

1000

10000

0.1

方波脉冲持续时间（毫秒）

图13.归瞬态热阻抗曲线

4-61