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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符C型号页 > 首字符C的型号第358页 > CEP02N6
CEP02N6/CEB02N6
CEI02N6/CEF02N6
N沟道增强型网络场效晶体管
特点
TYPE
CEP02N6
CEB02N6
CEI02N6
CEF02N6
V
DSS
600V
600V
600V
600V
R
DS （ ON）
5
5
5
5
I
D
2A
2A
2A
2A
e
@V
GS
10V
10V
10V
10V
D
超级高密度电池设计极低R
DS （ ON）
.
高功率和电流移交能力。
被收购无铅产品。
TO- 220 & TO- 263 & TO- 262封装& TO- 220F通孔全白了。
D
G
G
D
S
CEI系列
TO-262(I2-PAK)
S
CEB系列
TO-263(DD-PAK)
G
G
D
S
CEP系列
TO-220
G
D
S
CEF系列
TO-220F
S
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流连续
漏电流脉冲
a
最大功率耗散@ T
C
= 25 C
- 减免上述25℃
单脉冲雪崩能量
d
重复性雪崩电流
a
TC = 25℃ ，除非另有说明
极限
符号
TO-220/263/262
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
f
P
D
E
AS
I
AR
E
AR
T
J
,T
英镑
2
6
60
0.48
125
2
5.4
600
TO-220F
单位
V
V
±
30
2
e
A
A
W
W / C
mJ
A
mJ
C
6
e
29
0.23
125
2
5.4
-55到150
重复性雪崩能量
a
操作和存储温度范围
热特性
参数
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
符号
R
θJC
R
θJA
2.1
62.5
极限
4.3
65
单位
C / W
C / W
2002.September
4-2
http://www.cetsemi.com
CEP02N6/CEB02N6
CEI02N6/CEF02N6
电气特性
参数
开关特性
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏电流，正向
门体漏电流，反向
基本特征
静态漏源
导通电阻
正向跨导
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关特性
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
漏源二极管的正向电流
漏源二极管的正向电压
b
c
c
b
TC = 25℃ ，除非另有说明
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
I
S
g
V
SD
V
GS
= 0V时，我
S
= 2A
h
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
V
DS
= 600V, V
GS
= 0V
V
GS
= 30V, V
DS
= 0V
V
GS
= -30V, V
DS
= 0V
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250A
V
GS
= 10V ，我
D
= 1A
V
DS
= 50V ，我
D
= 1A
民
600
典型值
最大
单位
V
4
25
100
-100
2
3.8
1.2
250
50
30
18
35
35
90
40
25
4
5.0
A
nA
nA
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
栅极阈值电压
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V,
F = 1.0 MHz的
V
DD
= 300V ，我
D
= 2A,
V
GS
= 10V ，R
根
= 18
18
50
16
20
2
12
V
DS
= 480V ，我
D
= 2A,
V
GS
= 10V
漏源二极管特性及最大额定值
2
1.5
A
V
注意事项：
a.Repetitive评级：脉冲宽度有限的最高结温。
b.Pulse测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2 ％ 。
设计c.Guaranteed ，不受生产测试。
D.L = 60mH ，我
AS
= 2.0A ，V
DD
= 50V ，R
G
= 25Ω ，起始物为
J
= 25 C .
e.Limited只有最高温度允许的。
F .Pulse宽度有限的安全工作区。
g.Full包我
S（ MAX）的
= 1.5A .
h.Full套餐五
SD
测试条件我
S
= 1.5A .
4-3
CEP02N6/CEB02N6
CEI02N6/CEF02N6
3.0
V
GS
=10,9,8,7V
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
0
2
4
6
8
10
12
I
D
，漏电流（ A）
I
D
，漏电流（ A）
V
GS
=6V
T
J
=150 C
10
0
V
GS
=5V
-55 C
25 C
10
-1
1.V
DS
=40V
2.Pulse测试
4
6
8
10
2
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1.输出特性
600
500
400
300
200
100
0
0
5
科斯
CRSS
10
15
20
25
西塞
2.2
1.9
1.6
1.3
1.0
0.7
0.4
-100
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
图2.传输特性
R
DS （ON ） ，
归
R
DS （ ON）
，导通电阻（欧姆）
I
D
=1A
V
GS
=10V
C，电容（pF ）
-50
0
50
100
150
200
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图3.电容
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
-50
T
J
，结温（ C）
图4.导通电阻变化
随温度
1
V
TH
归一化
门源阈值电压
V
DS
=V
GS
I
D
=250A
I
S
，源极 - 漏极电流（ A）
10
V
GS
=0V
10
0
10
-25
0
25
50
75
100
125
150
-1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
T
J
，结温（ C）
图5.门阈值变化
随温度
V
SD
，体二极管正向电压（ V）
图6.体二极管正向电压
变化与源电流
4-4
CEP02N6/CEB02N6
CEI02N6/CEF02N6
V
GS
，门源电压（ V）
15
V
DS
=480V
I
D
=2A
10
1
10s
I
D
，漏电流（ A）
12
R
DS （ ON）
极限
10
0
4
1ms
10ms
DC
9
6
10
-1
3
0
0
6
12
18
24
10
-2
T
C
=25 C
T
J
=150 C
单脉冲
10
0
10
1
10
2
10
3
QG ，总栅极电荷（ NC）
图7.栅极电荷
V
DS
，漏源电压（V ）
图8.最大安全
工作区
V
DD
t
on
V
IN
D
V
GS
R
根
G
90%
t
关闭
t
r
90%
R
L
V
OUT
t
D（上）
V
OUT
t
D（关闭）
90%
10%
t
f
10%
倒
S
V
IN
50%
10%
50%
脉冲宽度
图9.开关测试电路
图10.开关波形
R（T ） ，归一化有效
瞬态热阻抗
10
0
D=0.5
0.2
0.1
10
-1
P
DM
0.05
0.02
0.01
t
1
t
2
1. R
θJC
（吨） = R （t）的R *
θJC
2. R
θJC
=请查阅技术资料
3. T
JM-
T
C
= P * R
θJC
(t)
4.占空比D = T1 / T2
10
-2
单脉冲
-5
10
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
方波脉冲持续时间（秒）
图11.归瞬态热阻抗曲线
4-5
CEP02N6/CEB02N6
4
电气特性（T
C
= 25°C除非另有说明）
参数
动态特性
b
输入电容
输出电容
反向传输电容
二极管的正向电压
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
V
SD
V
DS
=25V, V
GS
= 0V
F = 1.0MH
Z
250
50
30
1.5
P
F
P
F
P
F
符号
条件
最小典型最大单位
漏源二极管的特性
a
4
V
GS
= 0V ， IS = 2A
V
笔记
a.Pulse测试：脉冲宽度300秒，占空比2 ％ 。
设计b.Guaranteed ，不受生产测试。
。 L = 60mH ，我
AS
= 2.0A ，V
DD
= 50V ，R
G
=25
，起始物为
J
=25 C
3.0
V
GS
=10,9,8,7V
2.5
I
D
，漏电流（ A）
2.0
1.5
1.0
I
D
，漏电流（ A）
150 C
1
V
GS
=6V
V
GS
=5V
0.5
0
0
2
4
6
8
10
12
-55 C
25 C
1.V
DS
=40V
2.Pulse测试
0.1
2
4
6
8
10
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
图1.输出特性
图2.传输特性
4-4
CEP02N6/CEB02N6
R
DS （ ON）
归一化
R
DS （ ON）
,
导通电阻（欧姆）
600
500
2.2
1.9
1.6
1.3
1.0
0.7
0.4
-100
-50
0
50
100
150
200
I
D
=1A
V
GS
=10V
C，电容（pF ）
400
300
200
100
0
0
5
10
15
20
25
科斯
CRSS
西塞
4
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
T
J
，结温（ C）
图3.电容
BV
DSS
归一化
漏源击穿电压
Vth时，归一化
门源阈值电压
1.30
1.20
1.10
1.00
0.90
0.80
0.70
0.60
-50 -25
0
25
50
75 100 125 150
V
DS
=V
GS
I
D
=250 A
图4.导通电阻变化与
温度
1.15
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
-50 -25
I
D
=250 A
0
25
50
75 100 125 150
TJ ，结温（ C）
TJ ，结温（ C）
图5.门阈值变化
随温度
4
图6.击穿电压变化
随温度
20
10
V
GS
=0V
g
FS
，跨导（ S）
V
DS
=50V
3
2
是，源极 - 漏极电流（ A）
0
1
2
3
4
1
1
0
0.1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
I
DS
，漏源电流（A ）
V
SD
，体二极管正向电压（ V）
图7.跨导变化
与漏极电流
4-5
图8.体二极管正向电压
变化与源电流
CEP02N6/CEB02N6
V
GS
，门源电压（ V）
15
12
9
6
3
0
0
6
12
18
24
QG ，总栅极电荷（ NC）
10
V
DS
=480V
I
D
=2A
I
D
，漏电流（ A）
1
R
DS
4
(O
N)
LIM
it
D
C
1m
10
m
s
10
s
s
0.1
T
C
=25C
TJ = 25℃
单脉冲
1
10
100
500 1000
0.01
V
DS
，漏源电压（V ）
图9.栅极电荷
图10.最大安全
工作区
V
DD
t
on
V
IN
D
V
GS
R
根
G
90%
t
关闭
t
r
90%
R
L
V
OUT
t
D（上）
V
OUT
t
D（关闭）
90%
10%
t
f
10%
倒
S
V
IN
50%
10%
50%
脉冲宽度
图11.开关测试电路
图12.开关波形
2
R（T ） ，归一化有效
瞬态热阻抗
1
D=0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
P
DM
t
1
t
2
1. R
JC
（吨） = R （t）的R *
JC
2. R
JC
=请查阅技术资料
3. T
JM-
T
C
= P * R
JC
(t)
4.占空比D = T1 / T2
1
10
100
1000
10000
0.01
0.01
0.1
方波脉冲持续时间（毫秒）
图13.归瞬态热阻抗曲线
4-6
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推荐型号
CY7C1382B-167AI
C3739
CY2546
C14G2
CM2830KIM23
CSQ255E
CY7C1513AV18-167BZC
CCSMA1-MM-RG174-6
CD4516BM
CAT140161JWI-GT3
CSD1047F
C062G102B5CH5CA
C1-68NJ-10
C3302/16
CLAS1415
CDA15FD221J03
C056K102M1BX5CS
CD74FCT844EN
CDLL944
CB1ZSA2515533290653
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数量
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    -
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