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CEP01N6/CEB01N6
CEI01N6/CEF01N6
N沟道增强型网络场效晶体管
特点
TYPE
CEP01N6
CEB01N6
CEI01N6
CEF01N6
V
DSS
650V
650V
650V
650V
R
DS （ ON）
15
15
15
15
I
D
1A
1A
1A
1A
e
@V
GS
10V
10V
10V
10V
D
超级高密度电池设计极低R
DS （ ON）
.
高功率和电流移交能力。
被收购无铅产品。
TO- 220 & TO- 263 & TO- 262封装& TO- 220F通孔全白了。
D
G
S
CEB系列
TO-263(DD-PAK)
G
G
D
S
CEI系列
TO-262(I2-PAK)
G
D
S
CEP系列
TO-220
G
D
S
CEF系列
TO-220F
S
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流连续
漏电流脉冲
a
最大功率耗散@ T
C
= 25 C
- 减免上述25℃
单脉冲雪崩能量
d
重复性雪崩电流
操作和存储温度范围
TC = 25℃ ，除非另有说明
极限
符号
TO-220/263/262
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
f
P
D
E
AS
I
AS
T
J
,T
英镑
1
4
36
0.29
60
0.8
650
TO-220F
单位
V
V
±
30
1
e
A
A
W
W / C
mJ
A
C
4
e
28
0.22
-55到150
热特性
参数
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
符号
R
θJC
R
θJA
3.5
62.5
极限
4.5
65
单位
C / W
C / W
版本1 。
2005.December
1
http://www.cetsemi.com
CEP01N6/CEB01N6
CEI01N6/CEF01N6
电气特性
参数
开关特性
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏电流，正向
门体漏电流，反向
基本特征
栅极阈值电压
静态漏源
导通电阻
动态特性
c
Forwand跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关特性
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
开启下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
漏源二极管的正向电流
漏源二极管的正向电压
b
c
TC = 25℃ ，除非另有说明
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
V
DS
= 600V, V
GS
= 0V
V
GS
= 30V, V
DS
= 0V
V
GS
= -30V, V
DS
= 0V
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250A
V
GS
= 10V ，我
D
= 0.4A
2
12
民
650
1
10
-10
4
15
典型值
最大
单位
V
A
A
A
6
V
g
FS
b
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
I
S
V
SD
V
DS
= 20V ，我
D
= 0.4A
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V
F = 1.0MHz的
0.5
136
46
19
19
38
26
48
70
8
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
0.8
A
V
V
DD
= 300V ，我
D
= 0.4A,
V
GS
= 10V ，R
根
= 4.7
13
24
35
6
1.0
4.4
V
DS
= 480V ，我
D
= 0.8A,
V
GS
= 10V
漏源二极管特性及最大额定值
V
GS
= 0V时，我
S
= 0.8A
1.6
注意事项：
a.Repetitive评级：脉冲宽度有限的最高结温。
b.Pulse测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2 ％ 。
设计c.Guaranteed ，不受生产测试。
D.L = 190mH ，我
AS
= 0.8A ，V
DD
= 50V ，R
G
= 25Ω ，起始物为
J
= 25 C .
e.Limited只有最高温度允许的。
F .Pulse宽度有限的安全工作区。
2
CEP01N6/CEB01N6
CEI01N6/CEF01N6
1.5
V
GS
=10,9,8V
2.5
25 C
I
D
，漏电流（ A）
V
GS
=6V
0.9
I
D
，漏电流（ A）
1.2
2.0
1.5
0.6
1.0
0.3
0.5
T
J
=125 C
0.0
-55 C
4
5
6
7
V
GS
=5V
0.0
0
5
10
15
20
25
1
2
3
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1.输出特性
240
200
160
120
80
科斯
40
0
0
5
10
15
20
25
CRSS
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
-100
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
图2.传输特性
西塞
R
DS （ON ） ，
归
R
DS （ ON）
，导通电阻（欧姆）
I
D
=0.4A
V
GS
=10V
C，电容（pF ）
-50
0
50
100
150
200
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图3.电容
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
-50
T
J
，结温（ C）
图4.导通电阻变化
随温度
V
GS
=0V
0
V
TH
归一化
门源阈值电压
V
DS
=V
GS
I
D
=250A
I
S
，源极 - 漏极电流（ A）
25
50
75
100
125
150
10
10
-1
10
-25
0
-2
0.2
0.6
1.0
1.4
1.8
2.2
T
J
，结温（ C）
图5.门阈值变化
随温度
V
SD
，体二极管正向电压（ V）
图6.体二极管正向电压
变化与源电流
3
CEP01N6/CEB01N6
CEI01N6/CEF01N6
V
GS
，门源电压（ V）
10
V
DS
=480V
I
D
=0.8A
10
1
I
D
，漏电流（ A）
8
R
DS （ ON）
极限
10
0
4
100s
1ms
10ms
DC
6
4
10
-1
2
0
0
1
2
3
4
5
6
10
-2
T
C
=25 C
T
J
=150 C
单脉冲
10
0
10
1
10
2
10
3
QG ，总栅极电荷（ NC）
图7.栅极电荷
V
DS
，漏源电压（V ）
图8.最大安全
工作区
V
DD
t
on
V
IN
D
V
GS
R
根
G
90%
t
关闭
t
r
90%
R
L
V
OUT
t
D（上）
V
OUT
t
D（关闭）
90%
10%
t
f
10%
倒
S
V
IN
50%
10%
50%
脉冲宽度
图9.开关测试电路
图10.开关波形
R（T ） ，归一化有效
瞬态热阻抗
10
0
D=0.5
0.2
0.1
10
-1
P
DM
0.05
0.02
0.01
t
1
t
2
1. R
θJC
（吨） = R （t）的R *
θJC
2. R
θJC
=请查阅技术资料
3. T
JM-
T
C
= P * R
θJC
(t)
4.占空比D = T1 / T2
10
-2
单脉冲
-5
10
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
方波脉冲持续时间（秒）
图11.归瞬态热阻抗曲线
4-5
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