功率晶体管
TO- 202案例
型号
NPN
2N6548
2N6549
2N6551
2N6552
2N6553
CEN-U01A
CEN-U05
CEN-U06
CEN-U07
CEN-U10
CEN-U45
2N6554
2N6555
2N6556
CEN-U51A
CEN-U55
CEN-U56
CEN-U57
CEN-U60
CEN-U95
PNP
IC
(A)
最大
2.0
2.0
1.0
1.0
1.0
2.0
2.0
2.0
2.0
0.5
2.0
PD
(W)
BVCBO
(V)
民
BVCEO
(V)
民
40
40
60
80
100
40
60
80
100
300
40
民
25,000
15,000
80
80
80
50
20
20
20
40
25,000
的hFE
最大
150,000
150,000
300
300
300
--
--
--
--
--
150,000
@ IC
(MA )
VCE ( SAT )
(V)
最大
@ IC
(A)
fT
(兆赫)
民
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
1.75
1.75
1.75
1.75
1.75
1.75
50
50
60
80
100
50
60
80
100
300
50
200
200
50
50
50
1000
500
500
500
30
200
2.0
2.0
1.0
1.0
1.0
0.7
0.5
0.5
0.5
1.5
1.0
2.0
2.0
1.0
1.0
1.0
1.0
0.25
0.25
0.25
0.02
0.20
100
100
75
75
75
50
50
50
50
60
100
阴影部分表示达林顿。
TO- 202器件具有剪切标签(案例: TO- 202-2 ) 。
添加“N”后缀的零件编号。
TO- 202-2案例
89
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
CEN - U05 CEN- U06 CEN- U07 NPN
CEN - U55 CEN- U56 CEN- U57 PNP
其他芯片
功率晶体管
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
描述:
中环半导体CEN - U05 / U55
系列类型是互补硅功率
专为通用音频放大器晶体管
应用程序。这些器件在电气上等同于
美国国家半导体的NSDU05 , NSDU06 , NSDU07 ,
NSDU55 , NSDU56和NSDU57 。
标记:全部型号
TO- 202案例
应用范围:
专为高通用
电压放大器和驱动程序
产品特点:
高集电极 - 发射极击穿电压
高10W功耗
CEN-U05
CEN-U55
60
60
CEN-U06
CEN-U56
80
80
4.0
2.0
10
1.75
-65到+150
71.4
12.5
CEN-U07
CEN-U57
100
100
最大额定值:
(TC=25°C)
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
功耗
功耗( TA = 25 ° C)
工作和存储结温
热阻
热阻
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PD
PD
TJ , TSTG
Θ
JA
Θ
JC
单位
V
V
V
A
W
W
°C
° C / W
° C / W
电气特性:
( TC = 25°C ,除非
符号
测试条件
ICBO
VCB =额定VCBO
IEBO
VEB=4.0V
BVCEO
IC = 1.0毫安( CEN - U05 , CEN- U55 )
BVCEO
IC = 1.0毫安( CEN - U06 , CEN- U56 )
BVCEO
IC = 1.0毫安( CEN - U07 , CEN- U57 )
VCE ( SAT )
IC = 250毫安, IB = 10毫安
VCE ( SAT )
IC = 250毫安, IB = 25毫安
VBE (ON)的
的hFE
的hFE
的hFE
fT
COB
VCE=1.0V,
VCE=1.0V,
VCE=1.0V,
VCE=1.0V,
VCE=5.0V,
IC=250mA
IC=50mA
IC=250mA
IC=500mA
IC =的200mA, F = 100MHz的
另有说明)
民
最大
0.1
100
单位
μA
μA
V
V
60
80
100
0.5
0.35
1.2
80
50
20
50
30
V
V
V
V
兆赫
pF
VCB = 10V , IE = 0 , F = 1.0MHz的
R2 ( 2012年20月)
CEN - U05 CEN- U06 CEN- U07 NPN
CEN - U55 CEN- U56 CEN- U57 PNP
其他芯片
功率晶体管
TO- 202案例 - 机械外形
前导码:
1 )发射
2 )基
3 )集电极
标签是常见的3脚
标记:
全部型号
R2 ( 2012年20月)
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米