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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符C型号页 > 首字符C的型号第9页 > CEM4279
双增强模式场效应晶体管( N和P沟道)
CEM4279
5
特点
40V , 6.1A ,R
DS ( ON)
= 32mΩ @V
GS
= 10V.
R
DS ( ON)
= 46mΩ @V
GS
= 4.5V.
-40V , -4.3A ,R
DS ( ON)
= 66mΩ @V
GS
= -10V.
R
DS ( ON)
= 105mΩ @V
GS
= -4.5V.
超级高密度电池设计极低R
DS ( ON)
.
高功率和电流移交能力。
被收购无铅产品。
表面贴装封装。
SO-8
D
1
8
D
1
7
D
2
6
D
2
5
1
1
S
1
2
G
1
3
S
2
4
G
2
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流连续
漏电流脉冲
a
T
A
= 25°C除非另有说明
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
T
J
,T
英镑
N沟道
40
P沟道
-40
单位
V
V
A
A
W
C
±
20
6.1
24
2.0
-55到150
±
20
-4.3
-17
最大功率耗散
操作和存储温度范围
热特性
参数
热阻,结到环境
b
符号
R
θJA
极限
62.5
单位
C / W
详细信息如有变更,恕不另行通知。
1
冯2. 2007.Jan
http://www.cetsemi.com
CEM4279
N沟道电气特性
参数
开关特性
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏电流,正向
门体漏电流,反向
基本特征
静态漏源
导通电阻
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关特性
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
漏源二极管的正向电流
b
漏源二极管的正向电压
c
d
d
c
T
A
= 25°C除非另有说明
测试条件
V
GS
= 0V时,我
D
= 250A
V
DS
= 40V, V
GS
= 0V
V
GS
= 20V, V
DS
= 0V
V
GS
= -20V, V
DS
= 0V
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250A
V
GS
= 10V ,我
D
= 6.1A
V
GS
= 4.5V ,我
D
= 4.9A
V
DS
= 5V ,我
D
= 6.1A
V
DS
= 20V, V
GS
= 0V,
F = 1.0 MHz的
1
25
35
3
1050
155
95
14
V
DD
= 20V ,我
D
= 6.1A,
V
GS
= 10V ,R
=3
10
17
18
V
DS
= 20V ,我
D
= 6.1A,
V
GS
= 4.5V
10.1
3.5
4.0
6.1
V
GS
= 0V时,我
S
= 1.0A
1.0
30
20
35
35
13
40
1
100
-100
3
32
46
典型值
最大
单位
V
A
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
nA
nA
V
m
m
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
A
V
栅极阈值电压
正向跨导
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
I
S
V
SD
漏源二极管特性及最大额定值
注意事项:
a.Repetitive评级:脉冲宽度有限的最高结温。
b.Surface安装在FR4板,T < 10秒。
c.Pulse测试:脉冲宽度< 300μS ,占空比< 2 % 。
设计d.Guaranteed ,不受生产测试。
2
CEM4279
P沟道电气特性
参数
开关特性
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏电流,正向
门体漏电流,反向
基本特征
静态漏源
导通电阻
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关特性
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
漏源二极管的正向电流
b
漏源二极管的正向电压
c
d
d
c
T
A
= 25°C除非另有说明
测试条件
V
GS
= 0V时,我
D
= -250A
V
DS
= -40V, V
GS
= 0V
V
GS
= 20V, V
DS
= 0V
V
GS
= -20V, V
DS
= 0V
V
GS
= V
DS
, I
D
= -250A
V
GS
= -10V ,我
D
= -4.3A
V
GS
= -4.5V ,我
D
= -3.7A
V
DS
= -5V ,我
D
= -4.3A
V
DS
= -20V, V
GS
= 0V,
F = 1.0 MHz的
-1
55
85
7
705
125
75
13
3
31
5
V
DS
= -20V ,我
D
= -4.3A,
V
GS
= -4.5V
5.6
2.1
2.3
-4.3
V
GS
= 0V时,我
S
= -1.3A
-1.2
26
6
62
10
7.4
-40
-1
100
-100
-3
66
105
典型值
最大
单位
V
A
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
I
S
V
SD
5
nA
nA
V
m
m
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
A
V
栅极阈值电压
正向跨导
V
DD
= -15V ,我
D
= -1A,
V
GS
= -10V ,R
= 6
漏源二极管特性及最大额定值
注意事项:
a.Repetitive评级:脉冲宽度有限的最高结温。
b.Surface安装在FR4板,T < 10秒。
c.Pulse测试:脉冲宽度< 300μS ,占空比< 2 % 。
设计d.Guaranteed ,不受生产测试。
3
CEM4279
N沟道
20
V
GS
=10,8,6,5V
16
V
GS
=4V
15
I
D
,漏电流( A)
I
D
,漏电流( A)
12
12
9
5
25 C
8
6
V
GS
=3V
4
3
T
J
=125 C
-55 C
2
3
4
5
0
0
1
2
3
4
0
0
1
V
DS
,漏极至源极电压( V)
图1.输出特性
R
DS (ON ) ,
R
DS ( ON)
,导通电阻(欧姆)
1500
1250
2.2
1.9
1.6
1.3
1.0
0.7
0.4
-100
V
GS
,栅 - 源极电压( V)
图2.传输特性
I
D
=6.1A
V
GS
=10V
C,电容(pF )
西塞
1000
750
500
250
0
0
CRSS
5
10
15
20
25
科斯
-50
0
50
100
150
200
V
DS
,漏极至源极电压( V)
图3.电容
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
-50
T
J
,结温( C)
图4.导通电阻变化
随温度
V
GS
=0V
1
V
TH
归一化
门源阈值电压
V
DS
=V
GS
I
D
=250A
I
S
,源极 - 漏极电流( A)
25
50
75
100
125
150
10
10
0
10
-25
0
-1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
T
J
,结温( C)
图5.门阈值变化
随温度
V
SD
,体二极管正向电压( V)
图6.体二极管正向电压
变化与源电流
4
P沟道
25
20
15
10
5
0
-V
GS
=10,8V
CEM4279
10
-I
D
,漏电流( A)
-V
GS
=5.0V
-I
D
,漏电流( A)
8
6
4
25 C
2
T
J
=125 C
-55 C
2
3
4
5
0
-V
GS
=4.0V
0
0.5
1
1.5
2
2.5
0
1
-V
DS
,漏极至源极电压( V)
图1.输出特性
900
750
600
450
300
150
0
科斯
CRSS
0
5
10
15
20
25
西塞
2.2
1.9
1.6
1.3
1.0
0.7
0.4
-100
-V
GS
,栅 - 源极电压( V)
图2.传输特性
I
D
=-4.3A
V
GS
=-10V
R
DS (ON ) ,
R
DS ( ON)
,导通电阻(欧姆)
C,电容(pF )
-50
0
50
100
150
200
-V
DS
,漏极至源极电压( V)
图3.电容
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
-50
V
DS
=V
GS
T
J
,结温( C)
图4.导通电阻变化
随温度
-I
S
,源极 - 漏极电流( A)
V
GS
=0V
10
1
V
TH
归一化
门源阈值电压
I
D
=-250A
10
0
-25
0
25
50
75
100
125
150
10
-1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
T
J
,结温( C)
图5.门阈值变化
随温度
-V
SD
,体二极管正向电压( V)
图6.体二极管正向电压
变化与源电流
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