CEM2539
N沟道电气特性
参数
开关特性
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
门体漏电流
基本特征
c
栅极阈值电压
静态漏源
导通电阻
动态特性
d
T
A
= 25°C除非另有说明
测试条件
V
GS
= 0V时,我
D
= 250A
V
DS
= 20V, V
GS
= 0V
V
GS
=
民
20
1
典型值
最大
单位
V
A
A
A
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
I
GSS
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
±
12V, V
DS
= 0V
V
GS
=
±
12V, V
DS
= 0V
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250A
V
GS
= 10V ,我
D
= 6A
V
GS
= 4.5V ,我
D
= 6A
V
GS
= 2.5V ,我
D
= 5A
0.5
17
20
25
15
0.35
0.87
3.60
2.01
V
DS
= 10V ,我
D
= 5A,
V
GS
= 4.5V
4.3
1.1
2.5
±
10
±
10
1.2
22
24
33
V
m
m
m
S
正向跨导
开关特性
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
漏源二极管的正向电流
b
漏源二极管的正向电压
c
d
g
FS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
I
S
V
SD
V
DS
= 15V ,我
D
= 6A
V
DD
= 10V ,我
D
= 1A,
V
GS
= 4.5V ,R
根
= 6
0.7
1.8
7.5
4.3
5.7
s
s
s
s
nC
nC
nC
漏源二极管特性及最大额定值
1.5
V
GS
= 0V时,我
S
= 1.5A
1.2
A
V
注意事项:
a.Repetitive评级:脉冲宽度有限的最高结温。
b.Surface安装在FR4板,T < 10秒。
c.Pulse测试:脉冲宽度< 300μS ,占空比< 2 % 。
设计d.Guaranteed ,不受生产测试。
2
CEM2539
P沟道电气特性
参数
开关特性
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏电流,正向
门体漏电流,反向
基本特征
c
T
A
= 25°C除非另有说明
测试条件
V
GS
= 0V时,我
D
= -250A
V
DS
= -20V, V
GS
= 0V
V
GS
= 12V, V
DS
= 0V
V
GS
= -12V, V
DS
= 0V
V
GS
= V
DS
, I
D
= -250A
V
GS
= -10V ,我
D
= -3.5A
V
GS
= -4.5V ,我
D
= -2.8A
V
GS
= -2.5V ,我
D
= -2.0A
-0.5
70
80
90
10
1175
230
130
14.4
9
72.8
35
V
DS
= -10V ,我
D
= -4A,
V
GS
= -4.5V
10.6
1.5
2.5
-4.0
V
GS
= 0V时,我
S
= -1.0A
-1.0
28.8
18
145.6
70
14.1
民
-20
-1
100
-100
-1
80
100
150
典型值
最大
单位
V
A
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
nA
nA
V
m
m
m
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
A
V
栅极阈值电压
静态漏源
导通电阻
动态特性
d
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关特性
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
漏源二极管的正向电流
b
漏源二极管的正向电压
c
d
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
I
S
V
SD
V
DS
= -5V ,我
D
= -3.5A
V
DS
= -10V, V
GS
= 0V,
F = 1.0 MHz的
V
DD
= -10V ,我
D
= -4A,
V
GS
= -4.5V ,R
根
= 3
漏源二极管特性及最大额定值
注意事项:
a.Repetitive评级:脉冲宽度有限的最高结温。
b.Surface安装在FR4板,T < 10秒。
c.Pulse测试:脉冲宽度< 300μS ,占空比< 2 % 。
设计d.Guaranteed ,不受生产测试。
3