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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符C型号页 > 首字符C的型号第1114页 > CEM2539
双增强模式场效应晶体管( N和P沟道)
CEM2539
D
1
D
2
特点
20V , 7.5A ,R
DS ( ON)
= 22MΩ @V
GS
= 10V.
R
DS ( ON)
= 24mΩ @V
GS
= 4.5V.
R
DS ( ON)
= 33mΩ @V
GS
= 2.5V.
-20V , -4.0A ,R
DS ( ON)
= 80mΩ @V
GS
= -10V.
R
DS ( ON)
= 100mΩ的@V
GS
= -4.5V.
R
DS ( ON)
= 150mΩ @V
GS
= -2.5V.
超级高密度电池设计极低R
DS ( ON)
.
高功率和电流移交能力。
被收购无铅产品。
表面贴装封装。
SO-8
1
D
1
8
5
G
1
*1K
G
2
S
1
D
1
7
D
2
6
D
2
5
S
2
1
S
1
2
G
1
3
S
2
4
G
2
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流连续
漏电流脉冲
a
T
A
= 25°C除非另有说明
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
T
J
,T
英镑
N沟道
20
P沟道
-20
单位
V
V
A
A
W
C
±
12
7.5
25
2.0
-55到150
±
12
-4.0
-15
最大功率耗散
操作和存储温度范围
热特性
参数
热阻,结到环境
b
符号
R
θJA
极限
62.5
单位
C / W
详细信息如有变更,恕不另行通知。
1
启3 2007.Sep 。
http://www.cetsemi.com
CEM2539
N沟道电气特性
参数
开关特性
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
门体漏电流
基本特征
c
栅极阈值电压
静态漏源
导通电阻
动态特性
d
T
A
= 25°C除非另有说明
测试条件
V
GS
= 0V时,我
D
= 250A
V
DS
= 20V, V
GS
= 0V
V
GS
=
20
1
典型值
最大
单位
V
A
A
A
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
I
GSS
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
±
12V, V
DS
= 0V
V
GS
=
±
12V, V
DS
= 0V
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250A
V
GS
= 10V ,我
D
= 6A
V
GS
= 4.5V ,我
D
= 6A
V
GS
= 2.5V ,我
D
= 5A
0.5
17
20
25
15
0.35
0.87
3.60
2.01
V
DS
= 10V ,我
D
= 5A,
V
GS
= 4.5V
4.3
1.1
2.5
±
10
±
10
1.2
22
24
33
V
m
m
m
S
正向跨导
开关特性
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
漏源二极管的正向电流
b
漏源二极管的正向电压
c
d
g
FS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
I
S
V
SD
V
DS
= 15V ,我
D
= 6A
V
DD
= 10V ,我
D
= 1A,
V
GS
= 4.5V ,R
= 6
0.7
1.8
7.5
4.3
5.7
s
s
s
s
nC
nC
nC
漏源二极管特性及最大额定值
1.5
V
GS
= 0V时,我
S
= 1.5A
1.2
A
V
注意事项:
a.Repetitive评级:脉冲宽度有限的最高结温。
b.Surface安装在FR4板,T < 10秒。
c.Pulse测试:脉冲宽度< 300μS ,占空比< 2 % 。
设计d.Guaranteed ,不受生产测试。
2
CEM2539
P沟道电气特性
参数
开关特性
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏电流,正向
门体漏电流,反向
基本特征
c
T
A
= 25°C除非另有说明
测试条件
V
GS
= 0V时,我
D
= -250A
V
DS
= -20V, V
GS
= 0V
V
GS
= 12V, V
DS
= 0V
V
GS
= -12V, V
DS
= 0V
V
GS
= V
DS
, I
D
= -250A
V
GS
= -10V ,我
D
= -3.5A
V
GS
= -4.5V ,我
D
= -2.8A
V
GS
= -2.5V ,我
D
= -2.0A
-0.5
70
80
90
10
1175
230
130
14.4
9
72.8
35
V
DS
= -10V ,我
D
= -4A,
V
GS
= -4.5V
10.6
1.5
2.5
-4.0
V
GS
= 0V时,我
S
= -1.0A
-1.0
28.8
18
145.6
70
14.1
-20
-1
100
-100
-1
80
100
150
典型值
最大
单位
V
A
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
nA
nA
V
m
m
m
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
A
V
栅极阈值电压
静态漏源
导通电阻
动态特性
d
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关特性
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
漏源二极管的正向电流
b
漏源二极管的正向电压
c
d
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
I
S
V
SD
V
DS
= -5V ,我
D
= -3.5A
V
DS
= -10V, V
GS
= 0V,
F = 1.0 MHz的
V
DD
= -10V ,我
D
= -4A,
V
GS
= -4.5V ,R
= 3
漏源二极管特性及最大额定值
注意事项:
a.Repetitive评级:脉冲宽度有限的最高结温。
b.Surface安装在FR4板,T < 10秒。
c.Pulse测试:脉冲宽度< 300μS ,占空比< 2 % 。
设计d.Guaranteed ,不受生产测试。
3
N沟道
25
20
15
10
5
0
V
GS
=10,8,6,5,4V
CEM2539
10
8
6
4
25 C
2
T
J
=125 C
0
0.0
-55 C
1.0
1.5
2.0
2.5
I
D
,漏电流( A)
I
D
,漏电流( A)
5
V
GS
=2V
0
3
6
9
12
0.5
V
DS
,漏极至源极电压( V)
图1.输出特性
R
DS (ON ) ,
R
DS ( ON)
,导通电阻(欧姆)
2.2
1.9
1.6
1.3
1.0
0.7
0.4
-100
I
D
=6A
V
GS
=10V
V
GS
,栅 - 源极电压( V)
图2.传输特性
V
GS
=0V
10
1
I
S
,源极 - 漏极电流( A)
0
50
100
150
200
10
0
-50
10
-1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
T
J
,结温( C)
图3.导通电阻变化
随温度
V
TH
归一化
门源阈值电压
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
-50
V
DS
=V
GS
I
D
=250A
V
SD
,体二极管正向电压( V)
图4.体二极管正向电压
变化与源电流
-25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
,结温( C)
图5.门阈值变化
随温度
4
P沟道
15
12
9
-V
GS
=2V
6
3
0
-V
GS
=-10,-8,-6V
CEM2539
10
-I
D
,漏电流( A)
-I
D
,漏电流( A)
8
6
4
2
T
J
=125 C
0
25 C
-55 C
1.0
1.5
2.0
0
1
2
3
4
5
0
0.5
-V
DS
,漏极至源极电压( V)
图7.输出特性
R
DS (ON ) ,
R
DS ( ON)
,导通电阻(欧姆)
1500
1250
1000
750
500
250
0
CRSS
0
2
4
6
8
10
科斯
西塞
2.2
1.9
1.6
1.3
1.0
0.7
0.4
-100
-V
GS
,栅 - 源极电压( V)
图8.传热特性
I
D
=-3.5A
V
GS
=-10V
C,电容(pF )
-50
0
50
100
150
200
-V
DS
,漏极至源极电压( V)
图9.电容
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
-50
V
DS
=V
GS
T
J
,结温( C)
图10.导通电阻变化
随温度
-I
S
,源极 - 漏极电流( A)
V
GS
=0V
10
1
V
TH
归一化
门源阈值电压
I
D
=-250A
10
0
-25
0
25
50
75
100
125
150
10
-1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
T
J
,结温( C)
图11.栅极阈值变化
随温度
-V
SD
,体二极管正向电压( V)
图12.体二极管正向电压
变化与源电流
5
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    联系人:杨小姐
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    -
    -
    -
    -
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联系人:钟小姐
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CET
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联系人:销售部
地址:门市:上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
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联系人:朱
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电话:18926544209/18025435189
联系人:夏小姐/朱先生
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CEM2539
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CET
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电话:15821228847 // 13764057178 // 15026993318
联系人:销售部
地址:门市:上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
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2024
20918
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联系人:何小姐
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电话:0755-82865294/82517859
联系人:吴小姐
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CEM2539
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